一种热场的制作方法

文档序号:33114117发布日期:2023-02-01 02:35阅读:30来源:国知局
一种热场的制作方法

1.本实用新型涉及硅棒生产领域,具体为一种热场。


背景技术:

2.随着光伏行业的爆发式增长,装机量不断攀升,并在下游电池环节的技术迭代更新下,客户对单晶硅的质量要求越来越高,为了提升单晶硅的质量,可以通过降低成本及提高电池转换效率来实现,而提高电池转换效率则需要通过降低单晶硅中的氧含量,以减少氧对太阳能电池的转换效率,因此,在单晶生长时,需要降低硅液含氧量,而通用的做法是采取低埚转工艺拉晶或缩短加热器发热区的手段来控制单晶氧含量。
3.但是,由于加热器发热区缩短幅度有限,而大幅度缩短将影响拉晶安全,造成漏硅风险上升,因此,急需一种能够降低硅液氧含量的热场。


技术实现要素:

4.有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种热场,以解决现有热场采取低埚转工艺拉晶或缩短加热器发热区的手段来控制单晶氧含量时,由于加热器发热区缩短幅度有限,大幅度缩短将影响拉晶安全,容易造成漏硅风险的问题。
5.为实现上述目的,本实用新型实施例提供如下技术方案:
6.一种热场,包括:导流筒、保温桶和石英坩埚;
7.保温桶设置于石英坩埚上方;
8.导流筒设置于保温桶内,导流筒用于将保护气体导入至石英坩埚;
9.保温桶的下端面开设有多个槽。
10.优选的,多个槽沿保温桶的周向均匀分布。
11.优选的,保温桶下部的外径大于保温桶上部的外径。
12.优选的,槽的结构为长方体。
13.优选的,槽竖直开设于保温桶。
14.本实用新型提供了一种热场,将保温桶设置于石英坩埚上方;导流筒设置于保温桶内,导流筒将保护气体导入至石英坩埚,并在保温桶的下端面开设多个槽。通过上述公开的单晶炉,通过在保温桶的下端面开设多个槽,进而在sio跟随反射的保护气体反射至保温桶的槽时,能够增大保护气体与sio的混合气体的折射角度,增加混合气体的流动速率,减少sio进入硅液的量,进而减少硅液中的含氧量,保证了硅棒的质量,并避免氧影响太阳能电池的转换效率,相较于现有采取低埚转工艺拉晶或缩短加热器发热区的手段来控制单晶氧含量,能够有效避免大幅度缩短导致的拉晶安全发生,并降低了漏硅风险。
附图说明
15.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅
是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
16.图1为本实用新型实施例提供的一种热场的结构示意图;
17.图2为本实用新型实施例提供的保温桶的结构示意图。
18.其中,导流筒1,保温桶2、槽21,石英坩埚3。
具体实施方式
19.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
20.本实用新型实施例提供一种热场,参见图1和图2,图1为热场的结构示意图,所述热场包括:导流筒1、保温桶2和石英坩埚3;
21.保温桶2设置于石英坩埚3上方;
22.导流筒1设置于保温桶2内,导流筒1用于将保护气体导入至石英坩埚3;
23.保温桶2的下端面开设有多个槽21。
24.需要说明的是,在单晶硅生长过程中,通过导流筒1向石英坩埚3输送保护气体,保护气体经过硅液液面反射时,保护气体与sio混合,sio跟随反射的保护气体流至保温桶2的下端面,并在保温桶2的下端面再次反射,最后在外部抽气的作用下,sio跟随反射的保护气体从热场底部排气口排出。
25.本实用新型将保温桶2设置于石英坩埚3上方;导流筒1设置于保温桶2内,导流筒1将保护气体导入至石英坩埚3,并在保温桶2的下端面开设多个槽21。通过上述公开的单晶炉,通过在保温桶2的下端面开设多个槽21,进而在sio跟随反射的保护气体反射至保温桶2的槽21时,能够增大保护气体与sio的混合气体的折射角度,增加混合气体的流动速率,减少sio进入硅液的量,进而减少硅液中的含氧量,保证了硅棒的质量,并避免氧影响太阳能电池的转换效率,相较于现有采取低埚转工艺拉晶或缩短加热器发热区的手段来控制单晶氧含量,能够有效避免大幅度缩短导致的拉晶安全发生,并降低了漏硅风险。
26.具体的,多个槽21沿保温桶2的周向均匀分布。
27.需要说明的是,沿保温桶2的周向均匀开设多个槽21,能够在sio跟随反射的保护气体反射至保温桶2的槽21时,使保温桶2四周的混合气体的折射角度增大,进而能够提升混合气体在保温桶2四周的流动速率,进而能够进一步减少sio进入硅液的量,提升拉晶后硅棒的质量。
28.进一步,保温桶2下部的外径大于保温桶2上部的外径。
29.需要说明的是,将保温桶2下部的外径设置成大于保温桶2上部的外径,能够有效增加保护气体与sio的混合气体的折射角度,进而提升混合气体的流动速率,减少sio进入硅液的量,进而减少硅液中的含氧量,保证了硅棒的质量。
30.优选的,保温桶2下部的外径大于保温桶2上部的外径30mm至40mm。
31.具体的,槽21的结构为长方体。
32.需要说明的是,槽21的结构可以为长方体,也可以为其他类型结构,本领域技术人
员可根据需求进行选择。
33.具体的,槽21的深度为8mm,宽度为36mm,长度100mm。
34.对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。


技术特征:
1.一种热场,其特征在于,包括:导流筒、保温桶和石英坩埚;所述保温桶设置于所述石英坩埚上方;所述导流筒设置于所述保温桶内,所述导流筒用于将保护气体导入至所述石英坩埚;所述保温桶的下端面开设有多个槽。2.根据权利要求1所述的热场,其特征在于,多个所述槽沿所述保温桶的周向均匀分布。3.根据权利要求1所述的热场,其特征在于,所述保温桶下部的外径大于所述保温桶上部的外径。4.根据权利要求1所述的热场,其特征在于,所述槽的结构为长方体。5.根据权利要求4所述的热场,其特征在于,所述槽竖直开设于所述保温桶。

技术总结
本实用新型提供了一种热场。将保温桶设置于石英坩埚上方;导流筒设置于保温桶内,导流筒将保护气体导入至石英坩埚,并在保温桶的下端面开设多个槽。通过上述公开的热场,通过在保温桶的下端面开设多个槽,进而在SiO跟随反射的保护气体反射至保温桶的槽时,能够增大保护气体与SiO的混合气体的折射角度,增加混合气体的流动速率,减少SiO进入硅液的量,进而减少硅液中的含氧量,保证了硅棒的质量,并避免氧影响太阳能电池的转换效率,相较于现有采取低埚转工艺拉晶或缩短加热器发热区的手段来控制单晶氧含量,能够有效避免大幅度缩短导致的拉晶安全发生,并降低了漏硅风险。并降低了漏硅风险。并降低了漏硅风险。


技术研发人员:劳海兵 王新强 万军军 云飞
受保护的技术使用者:双良硅材料(包头)有限公司
技术研发日:2022.11.09
技术公布日:2023/1/31
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