氮化硅基板的制作方法

本发明涉及一种用于半导体模块或功率模块的氮化硅基板。

背景技术：

1、将陶瓷基板与金属板贴合而成的电路基板用于半导体模块、功率模块等。在该陶瓷基板中使用氮化硅，最近正在研究高热导率的氮化硅基板。

2、高热导率(120w/m·k程度)的氮化硅基板例如公开于专利文献1(日本特开2018-184333号公报)中。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2018-184333号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、如果想要以例如超过1边100mm的大尺寸制作专利文献1中记载的高热导率的氮化硅基板，则有时在氮化硅基板内热导率会产生偏差。例如，氮化硅基板中心部的热导率与端部的热导率产生差异。若氮化硅基板中存在热导率低的部位，则该热导率低的部位的散热性变差，有可能影响基板整体的散热性。另外，在高热导率的氮化硅基板上形成多个电路基板区域并通过切分来制作多个电路基板的情况下，若存在热导率低的部位，则有可能对由该部分形成的电路基板的散热性造成影响。如果制作大尺寸的高热导率的氮化硅基板，则存在热导率产生偏差、成品率(合格率)降低的课题。

3、本发明的目的在于，在基板内抑制热导率的偏差且以高成品率提供氮化硅基板。

4、用于解决课题的方法

5、发明人发现，在制作氮化硅基板时，通过在氮化工序中抑制基板内si的氮化的偏差，能够制作抑制了基板内的热导率偏差的氮化硅基板。

6、本发明的氮化硅基板中，基板中心部的热导率λc与基板端部的热导率λe的比率即λe/λc为0.85～1.15。

7、本发明的氮化硅基板优选为150mm×150mm以上的尺寸。

8、本发明的氮化硅基板优选λc及λe为100w/m·k以上。

9、发明效果

10、根据本发明，能够在基板内抑制热导率的偏差，以高成品率得到氮化硅基板。

技术特征：

1.一种氮化硅基板，其中，基板中心部的热导率λc与基板端部的热导率λe的比率即λe/λc为0.85～1.15。

2.根据权利要求1所述的氮化硅基板，其中，所述氮化硅基板的尺寸为150mm×150mm以上。

3.根据权利要求1或2所述的氮化硅基板，其中，所述λc和所述λe为100w/m·k以上。

技术总结
若制作大尺寸的高热导率的氮化硅基板，则存在产生热导率低的部位且成品率(合格率)降低的课题。一种氮化硅基板，其中，基板中心部的热导率λc与基板端部的热导率λe的比率即λe/λc为0.85～1.15。上述氮化硅基板优选为150mm×150mm以上的尺寸。上述氮化硅基板的上述λc和上述λe优选为100W/m·K以上。

技术研发人员：加贺洋一郎,福本怜,岛田馨
受保护的技术使用者：株式会社博迈立铖
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15