一种快速制备石墨烯的方法

文档序号:34611899发布日期:2023-06-29 07:46阅读:80来源:国知局
一种快速制备石墨烯的方法

本发明属于石墨烯制备,具体涉及一种快速制备石墨烯的方法。


背景技术:

1、现有的制备石墨烯的方法主要有化学气相沉积法、微机械剥离法、化学剥离法等。

2、微机械剥离法是利用胶带的粘合力,通过多次粘贴将鳞片石墨等层层剥离,然后将带有石墨薄片的胶带粘贴到硅片等目标基体上,最后用丙酮等溶剂去除胶带,从而等到单层石墨烯,这种方法操作过程简单,产物质量高,但是产量低,难以实现石墨烯的大面积和规模化制备。

3、化学气相沉积法是以甲烷等含碳化合物作为碳源,通过其在机体表面的高温分解生长石墨烯,该方法虽然制备得到的石墨烯质量很高,可以实现大面积生长,但是其反应所需反应物甲烷,价格昂贵,实验操作过程危险程度较高。

4、化学剥离法是利用氧化还原反应在石墨层的碳原子上引入官能团,使石墨的层间距增大,从而削弱其层间相互作用,然后通过超声或者快速膨胀将氧化石墨层层层分离得到氧化石墨烯,最后通过化学还原或高温还原等方法去除含氧官能团得到石墨烯。该方法是目前可以宏量制备石墨烯的有效方法,但是制备周期较长,且在氧化、超声以及后续还原的过程中往往会造成碳原子的缺失,制备的石墨烯含有较多的缺陷,导致导电性较差。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种快速制备石墨烯的方法,本发明提供的方法生产周期短,且能够得到导电性优异的石墨烯。

2、为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

3、本发明提供了一种快速制备石墨烯的方法,包括以下步骤:

4、将氧化石墨压制成型后,进行闪烧处理,得到所述石墨烯;

5、所述闪烧处理的温度为1000~5000℃,保温时间为5~500s。

6、优选的,所述氧化石墨的含氧量为0.1~30%。

7、优选的,所述闪烧处理在保护气氛中进行。

8、优选的,所述闪烧处理在常压下进行。

9、优选的,所述压制成型前,还包括对所述氧化石墨进行研磨;所述研磨后的氧化石墨的粒径为1~50μm。

10、优选的,所述压制成型的压力为18~24mpa,保压时间为5~20s。

11、优选的,升温至所述闪烧处理温度的升温速率为90~300℃/s。

12、优选的,所述闪烧处理包括:

13、将压制成型后的氧化石墨置于导电载体上,所述导电载体的两端和电源的正负极连接,通电进行闪烧处理。

14、优选的,所述导电载体包括碳纸、石墨片、钼舟、钨舟或不锈钢片;

15、所述导电载体的厚度为0.1~10mm。

16、优选的,所述通电的电流为1~500a。

17、本发明提供了一种快速制备石墨烯的方法,包括以下步骤:将氧化石墨压制成型后,进行闪烧处理,得到所述石墨烯;所述闪烧处理的温度为1000~5000℃,保温时间为5~500s。在本发明中,在闪烧处理的过程中,能够使氧化石墨的能量瞬间升高产生强烈热震,并激发碳层上的羟基、羧基等含氧基团的热运动,通过含氧基团的快速分解脱出,实现单层氧化石墨的还原;同时脱出的氧能够破坏石墨层之间的范德华力,进而实现石墨层之间的剥离,最终得到石墨烯。



技术特征:

1.一种快速制备石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氧化石墨的含氧量为0.1~30%。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述闪烧处理在保护气氛中进行。

4.根据权利要求1或3所述的方法,其特征在于,所述闪烧处理在常压下进行。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述压制成型前,还包括对所述氧化石墨进行研磨;所述研磨后的氧化石墨的粒径为1~50μm。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述压制成型的压力为18~24mpa,保压时间为5~20s。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,升温至所述闪烧处理温度的升温速率为90~300℃/s。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述闪烧处理包括:

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述导电载体包括碳纸、石墨片、钼舟、钨舟或不锈钢片;

10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述通电的电流为1~500a。


技术总结
本发明属于石墨烯制备技术领域,具体涉及一种快速制备石墨烯的方法。本发明提供了一种快速制备石墨烯的方法,包括以下步骤:将氧化石墨压制成型后,进行闪烧处理,得到所述石墨烯;所述闪烧处理的温度为1000~5000℃,保温时间为5~500s。在本发明中,在闪烧处理的过程中,能够使氧化石墨的能量瞬间升高,并激发碳层上的羟基、羧基等含氧基团的热运动,通过含氧基团的快速分解脱出,实现单层氧化石墨的还原;同时脱出的氧能够破坏石墨层之间的范德华力,进而实现石墨层之间的剥离,最终得到石墨烯。

技术研发人员:张校刚,黄康生,田世齐,方畅,俞家晖,窦辉
受保护的技术使用者:南京航空航天大学
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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