一种氮化硅陶瓷及其制备方法

文档序号:34901939发布日期:2023-07-26 13:22阅读:62来源:国知局
一种氮化硅陶瓷及其制备方法

本发明属于陶瓷材料制备,具体涉及一种氮化硅陶瓷及其制备方法。


背景技术:

1、氮化硅陶瓷具有强度高、硬度大、导热高、热膨胀系数小、高温蠕变小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等诸多优点,在国防、军工、电子信息等关键领域具有不可替代的地位。

2、氮化硅陶瓷具有一定的孔隙,为了提高氮化硅陶瓷的孔隙率,一般采用在陶瓷浆料中添加造孔剂,再通过高温烧结去除造孔剂得到孔洞,这种方法虽然能大幅度提高氮化硅陶瓷的孔隙率,但是,由于造孔剂在体系中的分布不均匀,大小难以达到一致,造成孔隙率不均一,氮化硅粉体在有机胶体系中以合适的比例分散,也会造成烧结后成孔,且孔隙大小分布均一,不同的有机溶剂配置的有机胶造成的孔隙率不同,摸索其优化的配方,提高氮化硅陶瓷的孔隙率,是本领域内一个重要的研究方向。

3、氮化硅陶瓷在孔隙率较大时,其硬度和断裂韧性会有所降低,因此,在制备烧结氮化硅陶瓷的浆料配方中,应该调节相关的组分,在保持氮化硅陶瓷的高孔隙率的同时提高材料的硬度和断裂韧性。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种氮化硅陶瓷及其制备方法。

2、一种氮化硅陶瓷,由如下重量份数的原料制成:氮化硅粉体40-120份、有机溶剂30-100份、粘合剂5-15份、增塑剂3-8份、烧结助剂5-15份、分散剂1-3份。

3、所述有机溶剂为聚乙二醇和异丙醇按照体积比2:1混合的有机溶剂。

4、所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛和醋酸乙烯酯-叔碳酸乙烯酯共聚物乳液按照质量比1:1混合的混合物。

5、所述增塑剂为邻苯二甲基二丁酯、邻苯二甲酸丁苄酯、邻苯二甲酸二辛酯、甲基松香酯中的一种或几种。

6、所述烧结助剂为mgo、al2o3、la2o3、ce2o3、pr2o3、nd2o3中的一种或几种。

7、所述分散剂为蓖麻油、松油醇、过硫酸铵、聚乙烯吡咯烷酮、聚醚酰亚胺、三油酸甘油酯、磷酸脂中的一种或几种。

8、所述氮化硅陶瓷的制备方法,按照如下步骤进行:

9、(1)按照重量份数,取有机溶剂20-70份、粘合剂5-15份、增塑剂3-8份加入到容器中搅拌均匀,制成有机胶;

10、(2)取有机溶剂10-30份、氮化硅粉体40-120份、烧结助剂5-15份、分散剂1-3份依次加入球磨中,球磨12-24h,加入步骤(1)中配置的有机胶,再球磨12-24h,制成流延浆料;

11、(3)将步骤(2)处理好的流延浆料进行真空脱泡10-30min,并在5-10rpm转速下搅拌10-30min,然后在温度10-25℃条件下将搅拌好的浆料放入密闭容器中陈腐10-15h;

12、(4)将步骤(3)的浆料用流延机进行流延成型,并将生坯用纸筒缠好;该步骤的工艺参数为:流延速度0.1-0.2m/min,流延干燥室一区温度为15-35℃,流延干燥室二区温度为55-85℃,流延干燥室一区温度为75-120℃;

13、(5)将步骤(4)的生坯裁剪,并通过传送带运输到敷粉线上进行敷粉,敷粉压力0.05-0.1mpa,敷粉温度55-85℃;

14、(6)将敷粉好的氮化硅生坯按正反面交错堆叠在承烧板上,放置入连续炉中进行排胶;该步骤的工艺参数:排胶温度450-650℃,时间5-15h;

15、(7)将排胶好的产品放入到烧结炉内进行烧结;该步骤的工艺参数:烧结温度1650-1850℃,烧结时间15-25h,烧结压力0.5-1.0mpa;

16、(8)用喷砂设备去除烧结后的氮化硅陶瓷表面隔粘粉,所述砂目数为100-3000目,喷砂压力为0.01-0.5mpa。

17、步骤(5)所述敷粉的浆料由如下重量份数的组分构成:氮化硼粉体80-120份、羧甲基纤维素0.5-1.5份、无水乙醇300-500份。

18、步骤(8)所述砂为氧化铝、氧化锆、二氧化硅中的一种或几种。

19、本发明的有益效果:本发明制备的氮化硅陶瓷,孔隙率高,强度和断裂韧性高;采用聚乙二醇和异丙醇复合有机溶剂,提高了材料的孔隙率;采用聚乙烯醇缩丁醛和醋酸乙烯酯-叔碳酸乙烯酯共聚物乳液复合粘合剂,提高了材料的强度;采用复合增塑剂,提高了材料的断裂韧性。



技术特征:

1.一种氮化硅陶瓷,其特征在于,由如下重量份数的原料制成:氮化硅粉体40-120份、有机溶剂30-100份、粘合剂5-15份、增塑剂3-8份、烧结助剂5-15份、分散剂1-3份。

2.根据权利要求1所述氮化硅陶瓷,其特征在于,所述有机溶剂为聚乙二醇和异丙醇按照体积比2:1混合的有机溶剂。

3.根据权利要求1所述氮化硅陶瓷,其特征在于,所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛和醋酸乙烯酯-叔碳酸乙烯酯共聚物乳液按照质量比1:1混合的混合物。

4.根据权利要求1所述氮化硅陶瓷,其特征在于,所述增塑剂为邻苯二甲基二丁酯、邻苯二甲酸丁苄酯、邻苯二甲酸二辛酯、甲基松香酯中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述氮化硅陶瓷,其特征在于,所述烧结助剂为mgo、al2o3、la2o3、ce2o3、pr2o3、nd2o3中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述氮化硅陶瓷,其特征在于,所述分散剂为蓖麻油、松油醇、过硫酸铵、聚乙烯吡咯烷酮、聚醚酰亚胺、三油酸甘油酯、磷酸脂中的一种或几种。

7.权利要求1所述氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,按照如下步骤进行:

8.根据权利要求1所述氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤(5)所述敷粉的浆料由如下重量份数的组分构成:氮化硼粉体80-120份、羧甲基纤维素0.5-1.5份、无水乙醇300-500份。

9.根据权利要求1所述氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤(8)所述砂为氧化铝、氧化锆、二氧化硅中的一种或几种。


技术总结
本发明公开了一种氮化硅陶瓷及其制备方法。由如下重量份数的原料制成:氮化硅粉体40‑120份、有机溶剂30‑100份、粘合剂5‑15份、增塑剂3‑8份、烧结助剂5‑15份、分散剂1‑3份。本发明制备的氮化硅陶瓷,孔隙率高,强度和断裂韧性高;采用聚乙二醇和异丙醇复合有机溶剂,提高了材料的孔隙率;采用聚乙烯醇缩丁醛和醋酸乙烯酯‑叔碳酸乙烯酯共聚物乳液复合粘合剂,提高了材料的强度;采用复合增塑剂,提高了材料的断裂韧性。

技术研发人员:江楠,何帆,李牧远,宋经纬
受保护的技术使用者:乐山职业技术学院
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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