本发明涉及单晶炉的,尤其涉及一种单晶炉浸硅预警系统。
背景技术:
1、单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备;在作业过程中,拉晶一共分为熔料、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、加料、复投等多个阶段,在不同阶段水冷屏会进行上升下降;
2、单晶炉包括水冷屏、导流筒、炉体和升降装置,升降装置设于炉体外部,水冷屏和导流筒设于炉体内部,导流筒与水冷屏连接,升降装置与水冷屏连接以带动水冷屏和导流筒升降。
3、然而,水冷屏距离液面较近,而石英埚内的硅液温度高达1400度,为了避免出现水冷屏接触硅液面的事故,急需一种相应的安全保护措施。
技术实现思路
1、(一)要解决的技术问题
2、鉴于现有技术的上述缺点、不足,本发明提供一种单晶炉浸硅预警系统,其提出了一种新的防止水冷屏和硅液相接触的形式。
3、(二)技术方案
4、为了达到上述目的,本发明采用的主要技术方案包括:
5、第一方面,本发明提供一种单晶炉浸硅预警系统,包括水冷屏、导流筒、炉体和升降装置,还包括导线和测试装置,导线跟随水冷屏同步升降,导线的一端向硅液面延伸至导流筒和水冷屏的下边缘之外,导线的另一端延伸出炉体;当导线的一端浸入硅液时,通路导通使测试装置输出报警信号;当导线未浸入硅液时,通路断开;通路包括测试装置、导线、硅液、炉体和导流筒,测试装置的信号输出端与导线电连接,测试装置的信号输出端与导流筒电连接。
6、在本发明的一个技术方案中,还包括可拆卸连接于导流筒的绝缘套,导线穿过绝缘套,以使导流筒与导线保持绝缘关系。
7、在本发明的一个技术方案中,还包括两条管路,两条管路的一端与水冷屏内腔连通,另一端与供液组件连通;两组管路与导流筒导通,同时与导线绝缘;升降装置带动两条管路升降以带动水冷屏和导流筒升降。
8、在本发明的一个技术方案中,导线沿一条管路的轴线排布。
9、在本发明的一个技术方案中,导线通过航空插头与测试装置电连接;航空插头内至少包括两组插脚,一组插脚与导线电连接,另一组插脚与管路电连接。
10、在本发明的一个技术方案中,还包括连接耳和绝缘件,连接耳连接于管路,绝缘件设于连接耳,导线穿过绝缘件。
11、在本发明的一个技术方案中,绝缘件包括横置绝缘件和纵置绝缘件,以实现横向延伸或竖向延伸的导线与连接耳的连接;其中,横置绝缘件通过锁定件锁定于对应连接耳;纵置绝缘件以自重搭接于对应连接耳。
12、在本发明的一个技术方案中,还包括设于炉体的限位开关;当升降装置带动水冷屏和导流筒下降至第一位置时,限位开关被触发,以使升降装置停止带动水冷屏和导流筒继续下行。
13、在本发明的一个技术方案中,还包括设于炉体的挡块;当升降装置带动水冷屏和导流筒下降至第二位置时,挡块阻挡升降装置继续带动水冷屏和导流筒继续下行。
14、在本发明的一个技术方案中,升降装置带动水冷屏和导流筒下降时,限位开关首先触发,通路其次导通,挡块最后生效。
15、(三)有益效果
16、本发明的有益效果是:本发明的单晶炉浸硅预警系统,能够在水冷屏和导流筒在下降至一定程度后,且未与硅液接触时,提前输出警报信息,以提醒相关人员,导流筒和水冷屏存在被硅液侵蚀熔化的风险,以使相关人员作为对应的应对手段,如控制硅液面降低,或者控制水冷屏和导流筒停止下降;
17、同时,本发明中,利用单晶炉本身构件充作通路的导体,也就无需改变单晶炉原本的结构形式,使得该预警系统对于单晶炉本身的结构功能几乎无影响,并且使得该预警系统具备了极佳的结构紧凑性。
1.一种单晶炉浸硅预警系统,包括水冷屏(1)、导流筒(2)、炉体(3)和升降装置(4),其特征在于:
2.如权利要求1所述的单晶炉浸硅预警系统,其特征在于:还包括可拆卸连接于所述导流筒(2)的绝缘套(6),所述导线(5)穿过所述绝缘套(6),以使所述导流筒(2)与所述导线(5)保持绝缘关系。
3.如权利要求2所述的单晶炉浸硅预警系统,其特征在于:还包括两条管路(7),两条所述管路(7)的一端与所述水冷屏(1)内腔连通,另一端与供液组件连通;
4.如权利要求3所述的单晶炉浸硅预警系统,其特征在于:所述导线(5)沿一条所述管路(7)的轴线排布。
5.如权利要求4所述的单晶炉浸硅预警系统,其特征在于:
6.如权利要求5所述的单晶炉浸硅预警系统,其特征在于:还包括连接耳(8)和绝缘件(9),所述连接耳(8)连接于所述管路(7),所述绝缘件(9)设于所述连接耳(8),所述导线(5)穿过所述绝缘件(9)。
7.如权利要求6所述的单晶炉浸硅预警系统,其特征在于:所述绝缘件(9)包括横置绝缘件(91)和纵置绝缘件(92),以实现横向延伸或竖向延伸的导线(5)与所述连接耳(8)的连接;其中,所述横置绝缘件(91)通过锁定件(a)锁定于对应所述连接耳(8);所述纵置绝缘件(92)以自重搭接于对应所述连接耳(8)。
8.如权利要求1所述的单晶炉浸硅预警系统,其特征在于:还包括设于所述炉体(3)的限位开关;
9.如权利要求8所述的单晶炉浸硅预警系统,其特征在于:还包括设于所述炉体(3)的挡块;当所述升降装置(4)带动所述水冷屏(1)和所述导流筒(2)下降至第二位置时,所述挡块阻挡所述升降装置(4)继续带动所述水冷屏(1)和所述导流筒(2)继续下行。
10.如权利要求9所述的单晶炉浸硅预警系统,其特征在于:所述升降装置(4)带动所述水冷屏(1)和所述导流筒(2)下降时,所述限位开关首先触发,所述通路其次导通,所述挡块最后生效。