降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法与流程

本发明属于重掺器件正向压降控制方法，具体涉及一种降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法。

背景技术：

1、通过直拉法拉制的晶棒制成硅片后，硅片在做外延或衬底结果后用在器件端后出现正向压降vf波动大的现象，经探索，将产品用在砷衬底表面600v扩pt产品，单晶氧含量高，客户端高温后内部氧衬底多，衬底吸杂能力过强，部分pt被衬底吸收，则会导致vf偏高。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种降低晶棒氧含量以降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法。

2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

3、一种降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法，在晶棒拉制等径阶段时，在预定氩气流量下，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时，达到预定的比值，以降低晶棒的氧含量。

4、优选地，所述坩埚转速与炉压的预定的比值为0.8-1.3。

5、优选地，所述炉压为8kpa-10kpa。

6、优选地，等径阶段，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速降低，所述坩埚转速为8rpm-12rpm。

7、优选地，从等径初期至拉制等径(1/4-1/3)时，坩埚转速为9.5rpm-10.5rpm，从拉制等径(1/4-1/3)至等径结束时，坩埚转速为8rpm-10rpm。

8、优选地，所述预定氩气流量为70slm-90slm。

9、优选地，所述预定氩气流量90slm。

10、优选地，所述炉压为8.66kpa。

11、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

12、本发明提供的降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法，在预定氩气流量下，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时均能够达到预定的比值，以降低晶棒的氧含量，进而氧与空位结合的概率降低，不易形成体微缺陷，且使得氧含量径向分布均匀，进而降低器件端正向压降vf异常的概率。

技术特征：

1.一种降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法，其特征在于：在晶棒拉制等径阶段时，在预定氩气流量下，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时，达到预定的比值，以降低晶棒的氧含量。

2.如权利要求1所述的降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法，其特征在于：所述坩埚转速与炉压的预定的比值为0.8-1.3。

3.如权利要求1所述的降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法，其特征在于：所述炉压为8kpa-10kpa。

4.如权利要求1所述的降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法，其特征在于：等径阶段，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速降低，所述坩埚转速为8rpm-12rpm。

5.如权利要求4所述的降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法，其特征在于：从等径初期至拉制等径（1/4-1/3）时，坩埚转速为9.5rpm-10.5rpm，从拉制等径（1/4-1/3）至等径结束时，坩埚转速为8rpm-10rpm。

6.如权利要求1所述的降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法，其特征在于：所述预定氩气流量为70slm-90slm。

7.如权利要求6所述的降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法，其特征在于：所述预定氩气流量90slm。

8.如权利要求3所述的降低重掺砷器件端正向压降vf异常的方法，其特征在于：所述炉压为8.66kpa。

技术总结
本发明提供降低重掺砷器件端正向压降VF异常的方法，涉及重掺器件正向压降控制方法技术领域，在预定氩气流量下，随着晶棒拉制长度的增加，坩埚转速与炉压在等径拉制不同长度时均能够达到预定的比值，以降低晶棒的氧含量，进而氧与空位结合的概率降低，不易形成体微缺陷，且使得氧含量径向分布均匀，进而降低器件端正向压降VF异常的概率。

技术研发人员：刘彦鹏,芮阳,王忠保,伊冉,徐慶晧,曹启刚,王黎光,张昆
受保护的技术使用者：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15