一种碲靶及其制备方法与应用与流程

本公开涉及靶材的制备方法，具体涉及一种碲靶及其制备方法与应用。

背景技术：

1、高技术材料由体材向薄膜转移，从而使镀膜器件迅速发展起来。溅射是制备薄膜材料的主要技术之一。用加速的离子轰击固体表面，离子和固体表面原子交换动量，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，这一过程称为溅射。被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的源材料，通常称为靶材。

2、碲有两种同素异形体，即黑色粉末状、无定形碲和银白色、金属光泽、六方晶系的晶态碲，是一种重要的半导体，禁带宽0.34电子伏，主要用于冶金、电子工业、化学工业、玻璃等方面产。对于碲靶材来讲，密度是其影响质量的重要因素：高致密度靶材具有导电、导热性好、强度高等优点，使用这种靶材镀膜，溅射功率小，成膜速率高，薄膜不易开裂，靶材使用寿命长，而且溅镀薄膜的电阻率低，透光率高。

3、粉末真空热压法由于碲熔点低，热压温度不能太高，获得不到高密度靶材；浇铸的方法难以去除气孔，也会导致靶材的密度低，以上两种方法制备得到的碲靶的相对密度约为94-97％。

技术实现思路

1、本公开的目的在于克服现有技术的不足，提供一种碲靶及其制备方法与应用。

2、为实现上述目的，本公开采取的技术方案为：第一方面，提供一种碲靶的制备方法，包括以下步骤：

3、s1：将含有碲块的模具装入坩埚中，进行真空密封，所得坩埚置于垂直加热炉中；

4、s2：然后加热至600-700℃，保温30-90min；

5、s3：保温结束后，坩埚以5-10r/min旋转速度并以0.05-0.5mm/min的降温速率降温至室温，即得碲靶。

6、在一个实施方式中，所述保温的温度为620-650℃。

7、在一个实施方式中，所述保温的时间为40-60min。

8、在一个实施方式中，所述降温速率为0.1-0.3mm/min。

9、在一个实施方式中，所述旋转速度为6-8r/min。

10、在一个实施方式中，所述加热的升温速率为3-5℃/min。

11、在一个实施方式中，所述模具为石墨模具。

12、在一个实施方式中，所述碲块的纯度为5n。

13、另一方面，提供一种碲靶，所述碲靶采用如上述碲靶的制备方法制备得到。

14、再一方面，提供所述的碲靶在制备薄膜材料中的应用。

15、与现有技术相比，本公开的有益效果为：本公开采用坩埚下降熔融法制备碲靶，并通过选择特定的参数，提高了碲靶的密度导电性、导热性以及强度。

技术特征：

1.一种碲靶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保温的温度为620-650℃。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保温的时间为40-60min。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述降温速率为0.1-0.3mm/min。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述旋转速度为6-8r/min。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述加热的升温速率为3-5℃/min。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述模具为石墨模具。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碲块的纯度为5n。

9.一种碲靶，其特征在于，所述碲靶采用如权利要求1-8任一项所述碲靶的制备方法制备得到。

10.如权利要求9所述的碲靶在制备薄膜材料中的应用。

技术总结
本公开提供一种碲靶及其制备方法与应用，属于靶材制备的技术领域。本公开碲靶的制备方法，包括以下步骤：S1：将含有碲块的模具装入坩埚中，进行真空密封，所得坩埚置于垂直加热炉中；S2：然后加热至600‑700℃，保温30‑90min；S3：保温结束后，坩埚以5‑10r/min旋转速度并以0.05‑0.5mm/min的降温速率降温至室温，即得碲靶。本公开通过控制保温的温度、时间、旋转速度和降温速率获得了致密度高的碲靶，提高了碲靶的导电性、导热性以及强度。

技术研发人员：文崇斌,朱刘,童培云
受保护的技术使用者：先导薄膜材料（广东）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15