本发明涉及zno纳米棒的领域，尤其是涉及zno纳米棒的沉积工艺方法。
背景技术：
1、半导体zno无毒无污染，制备简单，来源广泛，在光电化学方面拥有一定的应用前景，但是其宽禁带的特点导致其对可见光基本无吸收，大大减弱了其光电化学性能
2、采用电化学沉积法和脉冲激光沉积法在导电玻璃(ito)上制备了zno种子层，并在种子层基础上电化学沉积制备了六方纤锌矿晶型的zno纳米棒阵列，纳米棒以基底为底板纵向生长，表面和侧面光滑。
3、发明人提供一种zno纳米棒的沉积工艺方法。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本发明提供zno纳米棒的沉积工艺方法。
2、本发明提供的zno纳米棒的沉积工艺方法采用如下的技术方案：
3、zno纳米棒的沉积工艺方法，将导电玻璃ito切割成1×5cm2的规整基材，放入超声波清洗仪中分别用超纯水和乙醇清洗3次，每次15min。洗涤完成后，放入70℃的烘箱中干燥备用。
4、可选的，使用分析天平称取一定量的zno药品，用压片机压实，置于坩埚中备用。
5、可选的，使用沾有乙醇的纸巾擦拭真空室的内壁、基座和激光发生器，再用锡箔纸覆盖真空室内壁和相关器件，防止种子层沉积过程中引入污染物。
6、可选的，将把靶材放在基座上，调整基座和激光发射器的位置并固定好，打开电机控制，让基座旋转起来，且调整转速不应过快或过慢，然后关闭真空室。
7、可选的，确保真空泵油量充足，打开循环水冷却系统，打开总电源、控制面板、旁通阀和机械泵，同时打开分子泵进行预热。此时机械泵运作，真空室区域抽至0pa的低真空状态，关闭机械泵，启动分子泵，当真空泵的示数从0增加到400时，打开闸阀，等到真空室真空度达到5×10-4pa时，开始沉积种子层。
8、可选的，打开激光发射器，设置沉积的激光能量和沉积时间，待沉积结束后，关闭激光发射器和控制基底旋转的电机。
9、可选的，种子层沉积完成之后等待10min，等待种子层薄膜冷却至室温，然后在操作界面控制空气进入真空室，使其压强与大气压持平，接着打开真空室取出种子层薄膜，密封保存。
10、可选的，取出样品后，使用沾有的酒精试纸擦拭激光枪和相关器件，用吸尘器清洗真空室中靶材沉积过程中产生的粉尘。
11、综上所述，本发明包括以下至少一种有益技术效果：
12、1.使用沾有乙醇的纸巾擦拭真空室的内壁、基座和激光发生器，再用锡箔纸覆盖真空室内壁和相关器件，防止种子层沉积过程中引入污染物，将把靶材放在基座上，调整基座和激光发射器的位置并固定好，打开电机控制，让基座旋转起来，且调整转速不应过快或过慢，然后关闭真空室。
1.zno纳米棒的沉积工艺方法，其特征在于：将导电玻璃ito切割成1×5cm2的规整基材，放入超声波清洗仪中分别用超纯水和乙醇清洗3次，每次15min。洗涤完成后，放入70℃的烘箱中干燥备用。
2.根据权利要求1所述的zno纳米棒的沉积工艺方法，其特征在于：使用分析天平称取一定量的zno药品，用压片机压实，置于坩埚中备用。
3.根据权利要求2所述的zno纳米棒的沉积工艺方法，其特征在于：使用沾有乙醇的纸巾擦拭真空室的内壁、基座和激光发生器，再用锡箔纸覆盖真空室内壁和相关器件，防止种子层沉积过程中引入污染物。
4.根据权利要求3所述的zno纳米棒的沉积工艺方法，其特征在于：将把靶材放在基座上，调整基座和激光发射器的位置并固定好，打开电机控制，让基座旋转起来，且调整转速不应过快或过慢，然后关闭真空室。
5.根据权利要求4所述的zno纳米棒的沉积工艺方法，其特征在于：确保真空泵油量充足，打开循环水冷却系统，打开总电源、控制面板、旁通阀和机械泵，同时打开分子泵进行预热，此时机械泵运作，真空室区域抽至0pa的低真空状态，关闭机械泵，启动分子泵，当真空泵的示数从0增加到400时，打开闸阀，等到真空室真空度达到5×10-4pa时，开始沉积种子层。
6.根据权利要求5所述的zno纳米棒的沉积工艺方法，其特征在于：打开激光发射器，设置沉积的激光能量和沉积时间，待沉积结束后，关闭激光发射器和控制基底旋转的电机。
7.根据权利要求6所述的zno纳米棒的沉积工艺方法，其特征在于：种子层沉积完成之后等待10min，等待种子层薄膜冷却至室温，然后在操作界面控制空气进入真空室，使其压强与大气压持平，接着打开真空室取出种子层薄膜，密封保存。
8.根据权利要求7所述的zno纳米棒的沉积工艺方法，其特征在于：取出样品后，使用沾有的酒精试纸擦拭激光枪和相关器件，用吸尘器清洗真空室中靶材沉积过程中产生的粉尘。