外延生长基座和外延生长装置的制作方法

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种外延生长基座和外延生长装置。

背景技术：

1、在外延设备中，晶圆衬底从传输腔室进入工艺腔室并坐落在基座上开始旋转，反应气体从工艺腔室进气端进入并流经基座上方的晶圆进行外延生长，在晶圆上表面生长一层外延层，从而制造出来的晶圆称为外延晶圆。相比抛光晶圆，外延晶圆具有表面缺陷少，并且能够控制外延层厚度与电阻率等优势。然而沉积气体不仅沉积在晶圆衬底正面，因晶圆接触基座周边不完全密封，反应气体同时也会沉积在晶圆衬底背面边缘区域，产生外延晶圆背部凸起(backside bump)缺陷。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本发明提供一种外延生长基座和外延生长装置，解决气体在晶圆背面沉积的问题。

2、为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：一种外延生长基座，包括承载本体，所述承载本体包括用于承载晶圆的晶圆承载区，所述晶圆承载区包括中心区域和位于所述中心区域的外围且与所述中心区域相连的边缘区域，所述边缘区域用于与晶圆的边缘接触，所述承载本体还包括贯穿所述承载本体的气体通道，所述气体通道具有开设于所述晶圆承载区的承载面的第一开口，部分所述第一开口位于所述边缘区域，部分所述第一开口位于所述中心区域。

3、可选的，所述气体通道沿所述承载本体的周向方向均匀设置，且多个所述气体通道相间隔设置。

4、可选的，所述承载本体还包括位于所述晶圆承载区的外围的环形凸台，所述第一开口向远离所述中心区域的方向延伸至所述环形凸台。

5、可选的，沿着从所述边缘区域到所述中心区域的方向，所述气体通道倾斜设置。

6、可选的，所述气体通道包括相连通的第一分支通道和第二分支通道，所述第一分支通道和所述第二分支通道呈角度相交设置。

7、可选的，所述第一分支通道向靠近所述晶圆承载区的方向倾斜延伸设置至第一位置，所述第一位置位于所述中心区域，所述第二分支通道由所述第一位置向所述承载本体的底部延伸并贯穿所述承载本体。

8、可选的，所述第二分支通道垂直于所述硅片晶圆承载区设置。

9、可选的，所述边缘区域和所述中心区域形成台阶结构。

10、可选的，所述边缘区域为由所述环形凸台向所述中心区域倾斜设置的斜面。

11、本发明实施例还提供一种外延生长装置，包括上述的外延生长基座。

12、本发明的有益效果是：所述气体通道的设置，可以起到排出外延生长气体的作用，从而可以避免外延生长气体在晶圆的背面沉积，提高外延晶圆的良率。

技术特征：

1.一种外延生长基座，其特征在于，包括承载本体，所述承载本体包括用于承载晶圆的晶圆承载区，所述晶圆承载区包括中心区域和位于所述中心区域的外围且与所述中心区域相连的边缘区域，所述边缘区域用于与晶圆的边缘接触，所述承载本体还包括贯穿所述承载本体的气体通道，所述气体通道具有开设于所述晶圆承载区的承载面的第一开口，部分所述第一开口位于所述边缘区域，部分所述第一开口位于所述中心区域。

2.根据权利要求1所述的外延生长基座，其特征在于，所述气体通道沿所述承载本体的周向方向均匀设置，且多个所述气体通道相间隔设置。

3.根据权利要求1所述的外延生长基座，其特征在于，所述承载本体还包括位于所述晶圆承载区的外围的环形凸台，所述第一开口向远离所述中心区域的方向延伸至所述环形凸台。

4.根据权利要求1所述的外延生长基座，其特征在于，沿着从所述边缘区域到所述中心区域的方向，所述气体通道倾斜设置。

5.根据权利要求1所述的外延生长基座，其特征在于，所述气体通道包括相连通的第一分支通道和第二分支通道，所述第一分支通道和所述第二分支通道呈角度相交设置。

6.根据权利要求5所述的外延生长基座，其特征在于，所述第一分支通道向靠近所述晶圆承载区的方向倾斜延伸设置至第一位置，所述第一位置位于所述中心区域，所述第二分支通道由所述第一位置向所述承载本体的底部延伸并贯穿所述承载本体。

7.根据权利要求5所述的外延生长基座，其特征在于，所述第二分支通道垂直于所述晶圆承载区设置。

8.根据权利要求3所述的外延生长基座，其特征在于，所述边缘区域和所述中心区域形成台阶结构。

9.根据权利要求8所述的外延生长基座，其特征在于，所述边缘区域为由所述环形凸台向所述中心区域倾斜设置的斜面。

10.一种外延生长装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的外延生长基座。

技术总结
本发明涉及一种外延生长基座，包括承载本体，所述承载本体包括用于承载晶圆的晶圆承载区，所述晶圆承载区包括中心区域和位于所述中心区域的外围的边缘区域，所述边缘区域用于与晶圆的边缘接触，所述承载本体包括贯穿所述承载本体的气体通道，所述气体通道具有开设于所述晶圆承载区的承载面的第一开口，部分所述第一开口位于所述边缘区域，部分所述第一开口位于所述中心区域。本发明还涉及一种外延生长装置。所述气体通道的设置，可以起到排出外延生长气体的作用，从而可以避免外延生长气体在晶圆的背面沉积，提高外延晶圆的良率。

技术研发人员：刘凯,金柱炫
受保护的技术使用者：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25