一种碳化硅晶体生长炉下盖总成的制作方法

本技术属于碳化硅晶体生长炉，具体涉及一种碳化硅晶体生长炉下盖总成。

背景技术：

1、碳化硅晶体生长炉在晶体生长过程中，通过外部的高频线圈加热坩埚，使坩埚内的原料分解成气体挥发到坩埚顶部的籽晶区域结晶生成所需要的碳化硅晶体，传统的生长炉通常将坩埚静置的设置在炉体内，通入惰性保护气体，通过原料的升华，直接生成结晶，由于受热不均，原料区域气化的升华量有所不同，往往会导致生成的结晶品质参差不齐，一致性差，为此，我们提出了一种碳化硅晶体生长炉下盖总成。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在坩埚受热不均，易导致生成的结晶品质参差不齐，一致性差的缺点，而提出的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成。该碳化硅晶体生长炉下盖总成可使碳化硅晶体生长原料受热更加均匀，使原料区域气化量保持一致，通过连续不断的旋转升华堆叠，可有效提高结晶的一致性，从而提高碳化硅晶体的结晶品质。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

3、设计一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，包括炉体下盖，所述炉体下盖的底部固定连接有盖板，炉体下盖的一侧设有抽气口，所述盖板的轴心位置贯穿设有转轴，所述转轴通过轴套固定连接在所述盖板上；所述盖板的下方固定设有用于所述转轴旋转的驱动机构；所述转轴位于炉体下盖内的一端上固定设有托盘，所述托盘上固定设有用于放置石墨坩埚的石英管。

4、进一步的，所述炉体下盖的顶部设有与炉体对接的法兰，所述法兰的外侧设有环状的固定板。

5、进一步的，所述驱动机构包括减速电机、主动齿盘和从动齿盘，所述主动齿盘固定设置在减速电机的输出轴上，所述从动齿盘固定设置在从动齿盘上，所述从动齿盘与主动齿盘相啮合，所述盖板的下方通过连接杆固定设有安装板，所述减速电机固定设置在安装板上。

6、进一步的，所述托盘的顶部固定设有石墨垫板，所述石墨垫板的顶部设有用于固定所述石英管的卡槽。

7、进一步的，所述石墨垫板的周向上设有多个向内凹陷的凹槽。

8、进一步的，所述石墨坩埚的底部设有与石英管匹配的底垫，所述底垫可插接在石英管上。

9、进一步的，所述托盘的轴心线上竖直固定设有支撑杆，所述石墨坩埚插接在支撑杆内，石墨坩埚的底部设有与支撑杆外径适配的开孔。

10、本实用新型提出的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，有益效果在于：本实用新型可使放置在炉体内部的石墨坩埚进行旋转，旋转后的坩埚一方面可使内部原料在接收外部高频线圈加热时，受热更加均匀，使原料区域气化的量保持一致，另一方面可使气化上升的原料以旋转的方式落入到籽晶区域，连续不断的这种旋转升华堆叠，可有效提高结晶的一致性，从而提高碳化硅晶体的结晶品质。

技术特征：

1.一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，包括炉体下盖(1)，所述炉体下盖(1)的底部固定连接有盖板(2)，炉体下盖(1)的一侧设有抽气口(11)，其特征在于，所述盖板(2)的轴心位置贯穿设有转轴(3)，所述转轴(3)通过轴套(4)固定连接在所述盖板(2)上；

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，其特征在于，所述炉体下盖(1)的顶部设有与炉体对接的法兰(12)，所述法兰(12)的外侧设有环状的固定板(13)。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，其特征在于，所述驱动机构包括减速电机(5)、主动齿盘(51)和从动齿盘(52)，所述主动齿盘(51)固定设置在减速电机(5)的输出轴上，所述从动齿盘(52)固定设置在从动齿盘(52)上，所述从动齿盘(52)与主动齿盘(51)相啮合，所述盖板(2)的下方通过连接杆(54)固定设有安装板(53)，所述减速电机(5)固定设置在安装板(53)上。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，其特征在于，所述托盘(6)的顶部固定设有石墨垫板(61)，所述石墨垫板(61)的顶部设有用于固定所述石英管(7)的卡槽(62)。

5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，其特征在于，所述石墨垫板(61)的周向上设有多个向内凹陷的凹槽(63)。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，其特征在于，所述石墨坩埚(8)的底部设有与石英管(7)匹配的底垫(81)，所述底垫(81)可插接在石英管(7)上。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，其特征在于，所述托盘(6)的轴心线上竖直固定设有支撑杆(64)，所述石墨坩埚(8)插接在支撑杆(64)内，石墨坩埚(8)的底部设有与支撑杆(64)外径适配的开孔。

技术总结
本技术公开了一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括炉体下盖，炉体下盖的底部固定连接有盖板，炉体下盖的一侧设有抽气口，盖板的轴心位置贯穿设有转轴，转轴通过轴套固定连接在盖板上；盖板的下方固定设有用于转轴旋转的驱动机构；转轴位于炉体下盖内的一端上固定设有托盘，托盘上固定设有用于放置石墨坩埚的石英管。本技术可使放置在炉体内部的石墨坩埚进行旋转，使碳化硅晶体生长的原料受热更加均匀，确保了原料区域气化的量保持一致，另外可使气化上升的原料以旋转的方式落入到籽晶区域，连续不断的这种旋转升华堆叠，可有效提高结晶的一致性，从而提高碳化硅晶体的结晶品质。

技术研发人员：于永澔,李光
受保护的技术使用者：南京宏泰晶智能装备科技有限公司
技术研发日：20230323
技术公布日：2024/1/15