还原炉尾气孔保护装置的制作方法

本技术涉及多晶硅的生产领域，尤其是涉及一种还原炉尾气孔保护装置。

背景技术：

1、目前多晶硅的生产工艺大多采用改良西门子法工艺，反应后含有h2、sihcl3、sicl4、sih2cl2和hcl的汽气混合物经尾气孔排出到回收系统，回收系统将各个有用组分分离开来再投入到系统中，实现一个闭环的循环生产过程。在多晶硅的生产过程中，还原炉中有硅粉产生，硅粉会掉入尾气孔或粘附在尾气孔壁上，严重时会堵塞尾气孔，以致尾气排出不畅，影响生产。

2、目前，防止硅粉落入尾气孔的办法有配置筛网状的合金或不锈钢部件，使用钟罩式的防落硅装置，或者采用分体式的防落硅装置。但存在有以下缺陷：筛网状的合金或不锈钢部件在高温腐蚀环境中的使用寿命短，需经常更换。钟罩式的防落硅装置在还原炉发生倒棒的情况下会被损坏，产生高额的更换费用。这两种办法在清理还原炉底盘时，另需其他装置保护还原炉尾气孔。分体式的防落硅装置对还原炉尾气孔内壁的保护能力不足。

技术实现思路

1、本实用新型的主要目的在于提供一种还原炉尾气孔保护装置，解决防落硅装置对还原炉尾气孔内壁的保护能力不足的问题。

2、为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种还原炉尾气孔保护装置，尾气排烟管上卡接有管体结构的防结垢主体，防结垢主体上端开口设有环形结构排气罩，表面开有多个排气口，且排气口与排气罩上端开口连通，排气罩上端开口位置设有盖板。

3、优选方案中，排气口上设有防护网，防护网与排气罩活动连接。

4、优选方案中，排气口表面上设有卡槽，防护网插在卡槽中固定。

5、优选方案中，盖板下方表面设有第一凸台，排气罩上端设有匹配第一凸台的第一安装凹环，第一安装凹环与第一凸台配合。

6、优选方案中，排气罩下端设有凸起的第二凸台，防结垢主体上设有配合第二凸台的第二安装凹环，第二安装凹环与第二凸台配合。

7、优选方案中，盖板上还设有把手。

8、优选方案中，防结垢主体内部设有倒锥形的存粉罩，存粉罩底部设有封闭结构的收集罩，收集罩上方设有多个网孔。

9、优选方案中，存粉罩上方开口环位置设有第二限位环，防结垢主体内部设有凸起的第一限位环，第一限位环下端抵靠在限位环上表面。

10、优选方案中，限位环上表面设有倾斜的倒角面，倒角面向防结垢主体内部过度向上方向倾斜。

11、优选方案中，盖板、排气罩和防结垢主体材料为氮化硅材质。

12、本实用新型提供了一种还原炉尾气孔保护装置，在有效保护还原炉尾气孔的同时，还能一定程度上降低还原炉的维护成本。在还原炉生产过程中，凸型盖板盖与排气孔主体结合，在不影响还原炉排放尾气的同时还可以防止硅粉落入尾气孔中。在还原炉生产过程中，安装防结垢装置，能避免少量硅粉掉落进尾气孔而粘附在尾气孔壁上，还可定期取出防结垢装置便于清理。在还原炉停炉清理底盘期间，拆走排气孔主体，将凸型盖板盖在防结垢主体上，更能有效避免清理过程中硅粉掉落进尾气孔中。装置整体采用氮化硅材质，拆装方便的同时能够实现单独更换损坏的部分，可避免产生高额的整体更换费用。

技术特征：

1.一种还原炉尾气孔保护装置，其特征是：尾气排烟管（5）上卡接有管体结构的防结垢主体（4），防结垢主体（4）上端开口设有环形结构排气罩（2），表面开有多个排气口（201），且排气口（201）与排气罩（2）上端开口连通，排气罩（2）上端开口位置设有盖板（1）；

2.根据权利要求1所述一种还原炉尾气孔保护装置，其特征是：盖板（1）下方表面设有第一凸台（101），排气罩（2）上端设有匹配第一凸台（101）的第一安装凹环（202），第一安装凹环（202）与第一凸台（101）配合。

3.根据权利要求1所述一种还原炉尾气孔保护装置，其特征是：排气罩（2）下端设有凸起的第二凸台（204），防结垢主体（4）上设有配合第二凸台（204）的第二安装凹环（401），第二安装凹环（401）与第二凸台（204）配合。

4.根据权利要求1所述一种还原炉尾气孔保护装置，其特征是：盖板（1）上还设有把手（102）。

5.根据权利要求1所述一种还原炉尾气孔保护装置，其特征是：存粉罩（6）上方开口环位置设有第二限位环（601），防结垢主体（4）内部设有凸起的第一限位环（402），第二限位环（601）下端抵靠在第一限位环（402）上表面。

6.根据权利要求5所述一种还原炉尾气孔保护装置，其特征是：第一限位环（402）上表面设有倾斜的倒角面，倒角面向防结垢主体（4）内部过度向上方向倾斜。

7.根据权利要求1所述一种还原炉尾气孔保护装置，其特征是：盖板（1）、排气罩（2）和防结垢主体（4）材料为氮化硅材质。

技术总结
本技术提供一种还原炉尾气孔保护装置，尾气排烟管上卡接有管体结构的防结垢主体，防结垢主体上端开口设有环形结构排气罩，表面开有多个排气口，且排气口与排气罩上端开口连通，排气罩上端开口位置设有盖板。在有效保护还原炉尾气孔的同时，还能一定程度上降低还原炉的维护成本。

技术研发人员：杨万沛,田洪先,左昭贵,张坤,危敢想,李银,杨波
受保护的技术使用者：宜昌南玻硅材料有限公司
技术研发日：20230403
技术公布日：2024/1/22