一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构的制作方法

本技术涉及碳化硅外延炉反应室，具体为一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构。

背景技术：

1、随着碳化硅半导体技术的进步，产业应用对碳化硅功率器件性能的要求越来越高，成本要求越来越低，大功率电力电子器件对碳化硅晶体和外延材料提出更高的要求和需求，提高备件利用率，降低生产成本成为碳化硅晶体发展的当务之急。

2、根据中国专利公开号：cn 215800051 u，名字为：一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，技术方案为：多个卡接板释放了应力，进一步降低了保护板开裂的问题，提高了使用寿命，而且保护板发生开裂后，可以仅对发生开裂的对应的卡接板进行拆卸更换，降低了维修成本；多个卡接板与顶盖本体卡接相连后通过锥形垫片压紧保护板后，通过螺纹套筒和预紧螺母与顶盖本体相连，使保护板的安装更加牢固稳定。

3、上述专利是针对保护板的安装更加牢固稳定所做出的改进，本申请提供了另一种解决方案。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，具备保护板的安装更加牢固稳定的优点，解决了保护板的安装不够牢固稳定的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，包括顶盖本体，所述顶盖本体内设有安装机构；

3、所述安装机构包括活动安装于顶盖本体内的连接杆，所述连接杆外周壁固定连接有第一连接块和第二连接块，所述第一连接块和第二连接块内均开设有限位孔，所述第一连接块和第二连接块上表面螺纹连接有插接至顶盖本体内的限位杆，所述顶盖本体下表面卡接有保护板，所述顶盖本体内开设有通孔，所述顶盖本体内固定连接有螺纹套筒，所述保护板外周壁固定连接有卡接杆，所述保护板内开设有限位槽。

4、进一步，所述限位槽与卡接杆相适配，所述保护板的数量大于两个。

5、进一步，所述保护板的数量大于两个，多个所述保护板与顶盖本体直径相等。

6、进一步，所述通孔位于螺纹套筒内，所述限位孔与限位杆螺纹连接。

7、进一步，所述限位杆的高度大于第一连接块与限位孔之间的最近距离，所述通孔贯穿保护板。

8、进一步，所述螺纹套筒贯穿保护板，所述限位杆插接至保护板内。

9、进一步，所述卡接杆的数量大于两个，所述限位槽的数量等于卡接杆的数量。

10、进一步，所述保护板为扇形。

11、与现有技术相比，本申请的技术方案具备以下有益效果：

12、该一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，通过设置连接杆、第一连接块、第二连接、限位孔、限位杆和保护板，从而可以通过限位杆让顶盖本体与保护板进行连接，多个保护板与顶盖本体连接，从而方便对损坏的保护板进行更换，通过设置卡接杆和限位槽，从而可以让多个保护板之间连接，从而解决了保护板的安装不够牢固稳定的问题。

技术特征：

1.一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，包括顶盖本体(1)，其特征在于：所述顶盖本体(1)内设有安装机构(2)；

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，其特征在于：所述限位槽(12)与卡接杆(11)相适配，所述保护板(8)的数量大于两个。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，其特征在于：所述保护板(8)的数量大于两个，多个所述保护板(8)与顶盖本体(1)直径相等。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，其特征在于：所述通孔(9)位于螺纹套筒(10)内，所述限位孔(6)与限位杆(7)螺纹连接。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，其特征在于：所述限位杆(7)的高度大于第一连接块(4)与限位孔(6)之间的最近距离，所述通孔(9)贯穿保护板(8)。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，其特征在于：所述螺纹套筒(10)贯穿保护板(8)，所述限位杆(7)插接至保护板(8)内。

技术总结
本技术涉及一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，包括顶盖本体，所述顶盖本体内设有安装机构，所述安装机构包括活动安装于顶盖本体内的连接杆，所述连接杆外周壁固定连接有第一连接块和第二连接块，所述第一连接块和第二连接块内均开设有限位孔，所述第一连接块和第二连接块上表面螺纹连接有插接至顶盖本体内的限位杆，所述顶盖本体下表面卡接有保护板。该一种碳化硅外延炉反应室顶盖结构，通过设置连接杆、第一连接块、第二连接、限位孔、限位杆和保护板，从而可以通过限位杆让顶盖本体与保护板进行连接，多个保护板与顶盖本体连接，从而方便对损坏的保护板进行更换，通过设置卡接杆和限位槽，从而可以让多个保护板之间连接。

技术研发人员：沈恒文,程宣林,金修领,郝小峰,刘彤辉,高月华
受保护的技术使用者：江苏艾匹克半导体设备有限公司
技术研发日：20230518
技术公布日：2024/1/15