一种减少单晶硅生长收尾氧化物的装置的制作方法

本技术涉及单晶硅制造，具体为一种减少单晶硅生长收尾氧化物的装置。

背景技术：

1、太阳能是理想的清洁能源，发展光伏产业对于调整能源结构、推进能源生产和消费方式变革、促进生态文明建设具有重要意义。近年来随着光伏发电成本的持续下降，光伏行业具有了更加广阔的市场空间。低成本、高品质的单晶硅片是单晶硅制造企业的核心竞争力。为进一步降低成本，行业采取各种降本措施。

2、在现有技术(公开号为cn116200812a，提出了一种基于直拉法降低单晶硅底部氧化的提断方法)中，通过改进提断方法的顺序为打开真空泵至100％，加大氩气流量至120sl/min，降低坩埚锅位的速度为150mm/min，氩气流量降至100sl/min，坩埚锅位的速度增至280mm/min以及优化提断时的拉晶速度和提断速度，同时各个步骤依次同时进行，有效降低了底部单晶硅氧化情况的发生，提高了单晶硅循环料品质，节约了清洗成本。

3、现有技术中，提出了控制氩气流量和真空泵的开度，实现降低了底部单晶硅氧化情况的发生，但是现有的氩气的流量控制和真空泵开度的控制较为麻烦，且精度不高。

技术实现思路

1、解决的技术问题

2、针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种减少单晶硅生长收尾氧化物的装置，具备减少单晶收尾后续清洗工序的清洗循环料处理收尾氧化物的问题、提升循环料的品质的优点，解决了现有的氩气的流量控制和真空泵开度的控制较为麻烦，且精度不高的问题。

3、(二)技术方案

4、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种减少单晶硅生长收尾氧化物的装置，包括主腔室，所述主腔室的顶部设有提拉装置，所述主腔室的内部设有坩埚托架，所述坩埚托架的顶部设有石英坩埚；

5、所述主腔室的进气端设有进气组件，所述主腔室的抽气端设有真空抽气组件；

6、所述主腔室和所述进气组件以及所述真空抽气组件通过控制组件连接，所述控制组件包括：

7、控制箱体；

8、内密封座，固定连接于所述控制箱体的内侧壁；

9、调节板，滑动连接于所述内密封座的内侧壁；

10、调节箱，固定连接于所述控制箱体的一侧；

11、变速箱，安装于所述调节箱的一侧；

12、驱动电机，固定连接于所述变速箱的一侧，输出轴与所述变速箱的输入轴相连；

13、丝杠，转动连接于所述调节箱的内部，一端与所述变速箱的输出轴相连；

14、螺母，螺纹连接于所述丝杠的外侧壁；

15、推板，设置于所述螺母的外侧壁，一侧与所述调节板相连。

16、优选的，所述进气组件包括：

17、氩气储罐；

18、进气接头，通过所述控制组件与所述氩气储罐连接；

19、进气管，固定连接于所述进气接头的一端。

20、优选的，所述真空抽气组件包括：

21、真空泵；

22、抽气接头，通过所述控制组件与所述真空泵连接；

23、抽气管，固定连接于所述抽气接头的一端。

24、优选的，所述调节板的外侧壁设有橡胶垫。

25、优选的，所述驱动电机为伺服电机。

26、(三)有益效果

27、与现有技术相比，本实用新型提供了一种减少单晶硅生长收尾氧化物的装置，具备以下有益效果：

28、该减少单晶硅生长收尾氧化物的装置，通过设置控制组件，控制组件设置于进气组件和抽气组件上，在进行抽气和进气时可以精确控制抽气量和进气量，使该机构控制方便，且精度高，进而实现减少单晶收尾后续清洗工序的清洗循环料处理收尾氧化物的问题、提升循环料的品质。

技术特征：

1.一种减少单晶硅生长收尾氧化物的装置，包括主腔室(10)，所述主腔室(10)的顶部设有提拉装置(20)，所述主腔室(10)的内部设有坩埚托架(30)，所述坩埚托架(30)的顶部设有石英坩埚(40)；其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种减少单晶硅生长收尾氧化物的装置，其特征在于：所述进气组件(50)包括：

3.根据权利要求1所述的一种减少单晶硅生长收尾氧化物的装置，其特征在于：所述真空抽气组件(60)包括：

4.根据权利要求1所述的一种减少单晶硅生长收尾氧化物的装置，其特征在于：所述调节板(73)的外侧壁设有橡胶垫。

5.根据权利要求1所述的一种减少单晶硅生长收尾氧化物的装置，其特征在于：所述驱动电机(76)为伺服电机。

技术总结
本技术涉及单晶硅制造技术领域，且公开了一种减少单晶硅生长收尾氧化物的装置，包括主腔室，所述主腔室的顶部设有提拉装置，所述主腔室的内部设有坩埚托架，所述坩埚托架的顶部设有石英坩埚；所述主腔室的进气端设有进气组件，所述主腔室的抽气端设有真空抽气组件；所述主腔室和所述进气组件以及所述真空抽气组件通过控制组件连接，所述控制组件包括：控制箱体；内密封座，固定连接于所述控制箱体的内侧壁；通过设置控制组件，控制组件设置于进气组件和抽气组件上，在进行抽气和进气时可以精确控制抽气量和进气量，使该机构控制方便，且精度高，进而实现减少单晶收尾后续清洗工序的清洗循环料处理收尾氧化物的问题、提升循环料的品质。

技术研发人员：童翔,贺琪,万仕华,廖运龙,曹国维
受保护的技术使用者：新疆其亚硅业有限公司
技术研发日：20230727
技术公布日：2024/2/6