一种基于下降法晶体生长装置的升降机构的制作方法

本技术涉及晶体升降机构，具体为一种基于下降法晶体生长装置的升降机构。

背景技术：

1、单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，目前单晶硅的生长技术有两种：区熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。在直拉法制造单晶硅时，要将多晶料置于坩埚中，经过高温加热使其熔化，然后籽晶由顶部降下至熔化的多晶硅中，通过控制液面的温度，使熔化的多晶硅在籽晶周围重新结晶，生成排列整齐的单晶硅棒。

2、根据中国专利公开号：cn202030857u，名字为：直拉单晶炉用组合坩埚，技术方案为：并在其筒体部分采用炭/炭复合材料制作，整体成型，坩埚的强度高，使用寿命长；同时，炭/炭复合材料比各向同性石墨强度高2.5倍以上，相比原石墨材质能减薄一半左右的厚度，大大节省了材料；其次，在筒体不开瓣的情况下，圆周方向无腐蚀接缝面，可大大提高其使用寿命；而底座由于使用可加工性能良好的各向同性石墨材料制作，只需要较薄板料即可加工成型，加工简单，且相比原结构大大节省了材料和成本。

3、上述专利存在以下问题：不方便对坩埚进行旋转和升降，不能满足生产需求，故而提出一种基于下降法晶体生长装置的升降机构来解决上述中所提出的问题。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种基于下降法晶体生长装置的升降机构，具备方便进行旋转和升降的优点，解决了不方便对坩埚进行旋转和升降的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种基于下降法晶体生长装置的升降机构，包括固定箱和底板，其特征在于：所述固定箱内设有调节机构；

3、所述调节机构包括转动安装于固定箱内的安装杆，所述安装杆外周壁固定连接有第一锥齿轮，所述固定箱内转动连接有与第一锥齿轮相啮合的第二锥齿轮，所述第二锥齿轮后表面固定连接有转动杆，所述转动杆后表面固定连接有转盘，所述转盘外周壁固定连接有连接杆，所述连接杆外周壁固定连接有坩埚，所述安装杆外周壁固定连接有限位块，所述固定箱前表面开设有第一限位槽和第二限位槽,所述底板上表面设有安装筒。

4、进一步，所述转盘外周壁固定连接有防滑纹，所述连接杆与坩埚之间固定连接有加强筋。

5、进一步，所述加强筋的数量为两个，所述加强筋为三角形。

6、进一步，所述第一限位槽与限位块相适配，所述第二限位槽与限位块相适配。

7、进一步，所述第二限位槽为圆形槽，所述安装筒的直径大于坩埚的直径。

8、进一步，所述坩埚位于安装筒内，所述第一限位槽为矩形槽。

9、与现有技术相比，本实用新型提供了一种基于下降法晶体生长装置的升降机构，具备以下有益效果：

10、该基于下降法晶体生长装置的升降机构，通过设置转盘、安装杆、第一锥齿轮、第二锥齿轮和转动杆，从而可以通过转盘带动转动杆进行旋转，通过设置连接杆和坩埚，从而可以带动坩埚上下移动和转动，通过设置限位块、第一限位槽、第二限位槽，从而可以对转动进行限位，从而解决了不方便对坩埚进行旋转和升降的问题。

技术特征：

1.一种基于下降法晶体生长装置的升降机构，包括固定箱(1)和底板(13)，其特征在于：所述固定箱(1)内设有调节机构(2)；

2.根据权利要求1所述的一种基于下降法晶体生长装置的升降机构，其特征在于：所述转盘(7)外周壁固定连接有防滑纹，所述连接杆(8)与坩埚(9)之间固定连接有加强筋。

3.根据权利要求2所述的一种基于下降法晶体生长装置的升降机构，其特征在于：所述加强筋的数量为两个，所述加强筋为三角形。

4.根据权利要求1所述的一种基于下降法晶体生长装置的升降机构，其特征在于：所述第一限位槽(11)与限位块(10)相适配，所述第二限位槽(12)与限位块(10)相适配。

5.根据权利要求1所述的一种基于下降法晶体生长装置的升降机构，其特征在于：所述第二限位槽(12)为圆形槽，所述安装筒(14)的直径大于坩埚(9)的直径。

6.根据权利要求1所述的一种基于下降法晶体生长装置的升降机构，其特征在于：所述坩埚(9)位于安装筒(14)内，所述第一限位槽(11)为矩形槽。

技术总结
本技术涉及一种基于下降法晶体生长装置的升降机构，包括固定箱和底板，所述固定箱内设有调节机构，所述调节机构包括转动安装于固定箱内的安装杆，所述安装杆外周壁固定连接有第一锥齿轮，所述固定箱内转动连接有与第一锥齿轮相啮合的第二锥齿轮，所述第二锥齿轮后表面固定连接有转动杆，所述转动杆后表面固定连接有转盘，所述转盘外周壁固定连接有连接杆。该基于下降法晶体生长装置的升降机构，通过设置转盘、安装杆、第一锥齿轮、第二锥齿轮和转动杆，从而可以通过转盘带动转动杆进行旋转，通过设置连接杆和坩埚，从而可以带动坩埚上下移动和转动，通过设置限位块、第一限位槽、第二限位槽，从而可以对转动进行限位。

技术研发人员：郑锦刚,翟海峰
受保护的技术使用者：福州克雷斯试验设备有限公司
技术研发日：20230812
技术公布日：2024/2/25