一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置的制作方法

本技术涉及直拉法生产单晶，更具体地说，本技术涉及一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置。

背景技术：

1、直拉法又称为切克劳斯基法，它是1918年由切克劳斯基（czochralski）建立起来的一种晶体生长方法，简称cz法。cz法的特点是在一个直筒型的热系统汇总，用石墨电阻加热，将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化，然后将籽晶插入熔体表面进行熔接，将旋转的籽晶下降与熔体浸润接触，逐步提升，经引颈、缩颈、放肩等径控制、收尾等步骤完或拉晶。

2、中国专利公开了一种新型单晶炉降氧上保温筒（cn218969434u），其筒体内部是台阶通孔，形成上腔4和下腔，下腔的内径与其下方的中保温筒的内径相同，大于上腔的内径，筒体的侧壁上设有一圈抽成真空的环形的真空槽，真空槽的顶部用顶塞封闭，筒体的外侧壁上包裹一层保温材料，能使单晶炉热场内部氩气流向更加顺畅，加快带走热场内部产生挥发物以及氧原子，防止挥发物在热场石墨件残留，有利于改善单晶炉热场内部拉晶的高纯环境且加大纵向温度梯度，从而减少断线、降氧效果明显，可以有效果保持上保温筒的温度，减少热量散失，但是在实际使用过程中，因为发热区发热集中、均布导致梯度小、热辐射面积大，导致坩埚中氧产生多导致单晶硅棒反切率高。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的上述缺陷，本实用新型提供一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置，包括旋转底座，所述旋转底座顶部设有拼接降氧机构；

3、所述拼接降氧机构包括两个脚板，所述脚板与旋转底座固定连接，所述脚板横截面设为l形，所述脚板底部开设有第一贯穿孔，所述脚板顶部开设有第一凹槽，所述第一凹槽一侧开设有多个第二贯穿孔，所述第一凹槽顶部设有第一加热瓣，所述第一加热瓣一侧设有第二加热瓣，所述第一加热瓣与第二加热瓣一侧均开设有第二凹槽，所述第二凹槽内壁固定开设有两个第一螺纹孔，所述第一加热瓣与第二加热瓣另一侧设第三凹槽，所述第三凹槽内壁开设有第二螺纹孔，所述第三凹槽内壁一侧设有拼接块，所述拼接块一侧开设有多个第三贯穿孔，通过拼接降氧机构上移增大纵向温度梯度、减小热辐射面积减少氧的产生、降低熔体中的氧含量从而降低拉制晶棒中的氧含量。

4、作为上述技术方案的进一步描述：

5、所述旋转底座顶部开设有两个第三螺纹孔，所述旋转底座底部设有旋转机构，所述旋转机构包括底板，所述底板顶部固定连接有支撑架，利用支撑架来支撑电机。

6、作为上述技术方案的进一步描述：

7、所述支撑架外壁顶部开设有环形凹槽，所述支撑架内壁顶部固定连接有电机，通过环形槽来辅助承载板的旋转。

8、作为上述技术方案的进一步描述：

9、所述电机输出端固定连接有连接杆，所述连接杆穿过支撑架延伸至支撑架外部，利用连接杆带动承载板转动。

10、作为上述技术方案的进一步描述：

11、所述连接杆一端固定连接有承载板，所述承载板底部固定连接有两个支撑柱，支撑柱与环形滑槽滑动连接。

12、作为上述技术方案的进一步描述：

13、所述承载板顶部固定连接有底座，所述底座顶部固定连接有液压伸缩杆，通过液压伸缩杆伸缩改变加热区域对拉升下阶段页面变化而改变加热位置。

14、作为上述技术方案的进一步描述：

15、所述第二贯穿孔与第一螺纹孔贯通连接，所述第三贯穿孔与第二螺纹孔贯通连接。

16、与现有技术相比，本实用新型的技术效果和优点：

17、1、通过设置拼接降氧机构，利用第一加热瓣与第二加热瓣对其进行加热，通过第一加热瓣与第二加热瓣对材料进行加热，从而将发热区主要发热位置整体上移增大纵向温度梯度、减小热辐射面积减少氧的产生、降低熔体中的氧含量从而降低拉制晶棒中的氧含量；

18、2、通过设置旋转机构，电机旋转带动连接杆旋转，利用连接杆旋转带动承载板旋转，通过承载板旋转带动液压伸缩杆转动，利用液压伸缩杆带动旋转底座转动，从而使拼接降氧机构转动，使材料受热更加均匀，从而使拉升的时候不会产生因为受热不均而变形。

技术特征：

1.一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置，包括旋转底座（1），其特征在于：所述旋转底座（1）顶部设有拼接降氧机构；

2.根据权利要求1所述的一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置，其特征在于：所述旋转底座（1）顶部开设有两个第三螺纹孔（14），所述旋转底座（1）底部设有旋转机构，所述旋转机构包括底板（23），所述底板（23）顶部固定连接有支撑架（16）。

3.根据权利要求2所述的一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置，其特征在于：所述支撑架（16）外壁顶部开设有环形凹槽（17），所述支撑架（16）内壁顶部固定连接有电机（18）。

4.根据权利要求3所述的一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置，其特征在于：所述电机（18）输出端固定连接有连接杆（19），所述连接杆（19）穿过支撑架（16）延伸至支撑架（16）外部。

5.根据权利要求4所述的一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置，其特征在于：所述连接杆（19）一端固定连接有承载板（20），所述承载板（20）底部固定连接有两根支撑柱（21）。

6.根据权利要求5所述的一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置，其特征在于：所述承载板（20）顶部固定连接有底座（15），所述底座（15）顶部固定连接有液压伸缩杆（22）。

7.根据权利要求1所述的一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置，其特征在于：所述第二贯穿孔与第一螺纹孔（9）贯通连接，所述第三贯穿孔（13）与第二螺纹孔（11）贯通连接。

技术总结
本技术公开了一种直拉法生产单晶用多瓣拼接降氧装置，具体涉及直拉法生产单晶技术领域，包括旋转底座，所述旋转底座顶部设有拼接降氧机构；所述拼接降氧机构包括两个脚板，所述脚板与旋转底座固定连接，所述脚板横截面设为L形，所述脚板底部开设有第一贯穿孔，所述脚板顶部开设有第一凹槽，所述第一凹槽一侧开设有多个第二惯穿孔，所述第一凹槽顶部设有第一加热瓣。本技术通过设置拼接降氧机构，利用第一加热瓣与第二加热瓣对其进行加热，通过第一加热瓣与第二加热瓣对材料进行加热，从而将发热区主要发热位置整体上移增大纵向温度梯度、减小热辐射面积减少氧的产生、降低熔体中的氧含量从而降低拉制晶棒中的氧含量。

技术研发人员：韩龙,王建利,郭嘉伟,董智慧
受保护的技术使用者：乌海市京运通新材料科技有限公司
技术研发日：20230905
技术公布日：2024/9/19