单晶炉的制作方法

本技术涉及光伏制造，尤其涉及一种单晶炉。

背景技术：

1、单晶炉是一种在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。

2、单晶炉的炉体底部一般设置有排气孔。在单晶硅拉制过程中，连续向炉体内充入氩气，同时真空泵不断地通过排气孔向外抽气，保证炉体内的压力稳定。

3、在制备光伏级和半导体级单晶硅棒时，液态硅表面会挥发出一氧化硅杂质，一氧化硅杂质随着氩气的流动会被带到炉体底部的排气孔处。由于炉体底部的排气孔温度较低，一氧化硅杂质遇冷后会逐渐凝结在排气孔位置处，随着时间的推移，凝结的一氧化硅杂质会越来越多，排气孔堵塞程度逐渐严重，增大了真空泵抽真空的难度，同时成晶变差，导致单晶硅生长失败。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种单晶炉，以解决现有技术中存在的单晶炉的排气孔容易发生堵塞的技术问题。

2、如上构思，本实用新型所采用的技术方案是：

3、单晶炉，包括炉体，所述炉体内设置有空腔，所述空腔的下端开口设置有炉底板，所述空腔的底部设置有炉底保温层，所述单晶炉还包括：

4、排气管，设置于所述炉底板的底部，所述排气管内设置有两端具有开口的排气腔；

5、导气管，一端位于所述空腔内，另一端依次穿过所述炉底保温层和所述炉底板后延伸入所述排气腔内。

6、作为上升单晶炉的一种优选方案，所述导气管包括主管体和设置在所述主管体一端的安装凸缘，所述安装凸缘安装于所述空腔内，所述主管体的另一端依次穿过所述炉底保温层和所述炉底板后延伸入所述排气腔内。

7、作为上升单晶炉的一种优选方案，所述排气管的内壁设置有第一隔热层，部分第一隔热层夹设于所述主管体和所述排气管之间。

8、作为上升单晶炉的一种优选方案，所述第一隔热层与所述主管体之间还夹设有第二隔热层。

9、作为上升单晶炉的一种优选方案，所述第二隔热层设置于所述第一隔热层的内壁或者设置于所述主管体的外壁。

10、作为上升单晶炉的一种优选方案，所述第二隔热层为保温固化毡。

11、作为上升单晶炉的一种优选方案，所述第一隔热层的材质为隔热胶。

12、作为上升单晶炉的一种优选方案，所述导气管相对所述炉底板的伸出长度为10mm-2000mm。

13、作为上升单晶炉的一种优选方案，所述排气管内设置有用于对所述排气管降温的冷却流道，所述导气管相对所述炉底板伸出的长度不小于所述冷却流道沿所述排气管的轴向的尺寸。

14、作为上升单晶炉的一种优选方案，所述炉底保温层为保温固化毡。

15、本实用新型的有益效果：

16、本实用新型提出的单晶炉，将导气管的另一端延伸入排气管的排气腔内，在伸入到排气腔内的导气管的导向作用和隔离作用下，随氩气流动的一氧化硅杂质在初步进入到排气腔内时继续与导气管的内壁接触，而不会直接与低温的排气管接触，防止随氩气流动的一氧化硅杂质和温度较低的排气管直接接触，降低了一氧化硅杂质在排气管位置处的凝结速度，从而降低了排气管的堵塞程度，也减小了真空泵抽真空的难度，增长了单晶炉内坩埚的使用时间，降低了单晶硅棒的制造成本。

技术特征：

1.单晶炉，包括炉体(1)，所述炉体(1)内设置有空腔(11)，所述空腔(11)的下端开口设置有炉底板(2)，其特征在于，所述空腔(11)的底部设置有炉底保温层(12)，所述单晶炉还包括：

2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述导气管(3)包括主管体(32)和设置在所述主管体(32)一端的安装凸缘(31)，所述安装凸缘(31)安装于所述空腔(11)内，所述主管体(32)的另一端依次穿过所述炉底保温层(12)和所述炉底板(2)后延伸入所述排气腔内。

3.根据权利要求2所述的单晶炉，其特征在于，所述排气管(4)的内壁设置有第一隔热层，部分第一隔热层夹设于所述主管体(32)和所述排气管(4)之间。

4.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，所述第一隔热层与所述主管体(32)之间还夹设有第二隔热层(321)。

5.根据权利要求4所述的单晶炉，其特征在于，所述第二隔热层(321)设置于所述第一隔热层的内壁或者设置于所述主管体(32)的外壁。

6.根据权利要求4所述的单晶炉，其特征在于，所述第二隔热层(321)为保温固化毡。

7.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，所述第一隔热层的材质为隔热胶。

8.根据权利要求1-7任一项所述的单晶炉，其特征在于，所述导气管(3)相对所述炉底板(2)的伸出长度为10mm-2000mm。

9.根据权利要求1-7任一项所述的单晶炉，其特征在于，所述排气管(4)内设置有用于对所述排气管(4)降温的冷却流道，所述导气管(3)相对所述炉底板(2)伸出的长度不小于所述冷却流道沿所述排气管(4)的轴向的尺寸。

10.根据权利要求1-7任一项所述的单晶炉，其特征在于，所述炉底保温层(12)为保温固化毡。

技术总结
本技术公开了一种单晶炉，其属于光伏制造技术领域，单晶炉包括炉体，所述炉体内设置有空腔，所述空腔的下端开口设置有炉底板，所述空腔的底部设置有炉底保温层，所述单晶炉还包括排气管和导气管。排气管设置于所述炉底板的底部，所述排气管内设置有两端具有开口的排气腔；导气管的一端位于所述空腔内，另一端依次穿过所述炉底保温层和所述炉底板后延伸入所述排气腔内。本技术将导气管的另一端延伸入排气腔内，防止随氩气流动的一氧化硅杂质和温度较低的排气管直接接触，降低了一氧化硅杂质在排气管位置处的凝结速度，从而降低了排气管的堵塞程度，也减小了真空泵抽真空的难度，增长了坩埚的使用时间，降低了单晶硅棒的制造成本。

技术研发人员：刘世龙,王林,何安林,孙伟
受保护的技术使用者：阿特斯阳光电力集团股份有限公司
技术研发日：20231020
技术公布日：2024/5/12