一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法与流程

本发明属于纳米金属氧化物材料制备，尤其涉及一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法。

背景技术：

1、纳米氧化铝是一种粒径为1～100纳米的超细颗粒，由于其表面效应、量子尺寸效应、体积效应、宏观量子隧道效应的作用而具有良好的热学、光学、电学、磁学以及化学方面的性质，同时具有较高的化学活性，并具有很高的化学稳定性、热稳定性、高硬度及耐腐蚀性等一系列优良特性。

2、公开号为cn100345761c的中国专利，其公开了一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，该方法是将熔融的无机铝盐增溶于烃类组分和表面活性剂的混合物中，形成油包熔融盐的超增溶胶团，使胶团中的熔融盐与沉淀剂反应所生成的氢氧化铝被限制在胶团内，但是其制备方法较复杂，所得纳米氧化铝的颗粒粒径较大。

技术实现思路

1、本发明的目的是针对现有技术的不足之处，提供一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，该制备方法操作简便，对设备要求较低，耗时较短，得到的纳米氧化铝粒径较小。

2、一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，依次包括以下步骤：

3、s1、将沉淀剂溶于去离子水中，得到沉淀剂溶液，将铝盐溶于去离子水中，得到铝盐溶液，然后将分别得到的两种溶液搅拌混合均匀得到混合溶液；

4、s2、将s1中的混合溶液中加入一元醇，搅拌均匀后老化，然后在常温条件下过滤、洗涤、干燥，得到粉体；

5、s3、将s2中的粉体焙烧，焙烧后随炉冷却至常温，得到纳米氧化铝。

6、作为一种优选，所述s1中，沉淀剂为碳酸铵、氨水或氢氧化钠中的一种或几种，溶液的浓度为0.5～2.0 mol·l-1。

7、作为一种优选，所述s1中，铝盐为硝酸铝、氯化铝或硫酸铝中的一种或几种，溶液的浓度0.5～2.0 mol·l-1。

8、作为一种优选，所述s1中，搅拌温度为35～40℃，时间为30～40min。

9、作为一种优选，所述s2中，一元醇为乙醇、异丙醇或正丁醇中的一种或几种。

10、作为一种优选，所述s2中，老化温度为60～80℃，时间为4～5h。

11、作为一种优选，所述s2中，洗涤过程中使用的溶剂为无水乙醇或蒸馏水。

12、作为一种优选，所述s2中，干燥温度为100～120℃，时间为10～12h。

13、作为又一种优选，所述s3中，焙烧温度为600～1200℃，时间为3～6h。

14、本发明使用的制备方法操作简便，对设备要求较低，耗时较短，所制得的纳米氧化铝粒径较小，纯度较高。

15、2. 本发明使用的制备方法所制得的纳米氧化铝的颗粒大小均匀，比表面积小，产品质量高。

16、综上所述，本发明的纳米氧化铝粒径小，纯度高的优点，适合纳米金属氧化物材料制备技术领域。

技术特征：

1.一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于：所述s1中，沉淀剂为碳酸铵、氨水或氢氧化钠中的一种或几种，溶液的浓度为0.5～2.0mol·l-1。

3.根据权利要求1所述的一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于：所述s1中，铝盐为硝酸铝、氯化铝或硫酸铝中的一种或几种，溶液的浓度0.5～2.0mol·l-1。

4.根据权利要求1所述的一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于：所述s1中，搅拌温度为35～40℃，时间为30～40min。

5.根据权利要求1所述的一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于：所述s2中，一元醇为乙醇、异丙醇或正丁醇中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于：所述s2中，老化温度为60～80℃，时间为4～5h。

7.根据权利要求1所述的一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于：所述s2中，洗涤过程中使用的溶剂为无水乙醇或蒸馏水。

8.根据权利要求1所述的一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于：所述s2中，干燥温度为100～120℃，时间为10～12h。

9.根据权利要求1所述的一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，其特征在于：所述s3中，焙烧温度为600～1200℃，时间为3～6h。

技术总结
本发明属于纳米金属氧化物材料制备技术领域，本发明提供一种颗粒均匀的新型纳米金属氧化物的制备方法，S1、将沉淀剂溶于去离子水中，得到沉淀剂溶液，将铝盐溶于去离子水中，得到铝盐溶液，然后将分别得到的两种溶液搅拌混合均匀得到混合溶液；S2、将S1中的混合溶液中加入一元醇，搅拌均匀后老化，然后在常温条件下过滤、洗涤、干燥，得到粉体；S3、将S2中的粉体焙烧，焙烧后随炉冷却至常温，得到纳米氧化铝，该方法操作简便，对设备要求较低，耗时较短，所得纳米氧化铝得粒径小，纯度高。

技术研发人员：周志强,侯慧雷,李文强,施丹,任世刚,常梦涵
受保护的技术使用者：浙江华熔科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/29