本发明涉及镀膜玻璃，特别涉及一种镀膜玻璃的制备方法、镀膜玻璃及装置。
背景技术：
1、镀膜玻璃，是在玻璃表面涂镀一层或多层金属、合金、金属化合物等的薄膜，其中，tco玻璃即透明导电氧化物镀膜玻璃，是在平板玻璃表面通过物理或者化学镀膜的方法均匀地镀上一层透明的导电氧化物薄膜。长期以来被广泛应用于太阳能电池、平板显示器、有机发光二极管、低辐射玻璃、特殊功能窗涂层、透明薄膜晶体管及柔性电子器件等领域。
2、tco薄膜玻璃通常采用化学气相沉积镀膜工艺进行制备，将镀膜原料以气态形式均匀的喷射到高温、洁净、高速拉引的玻璃带上表面，气态原料在高温状态下在玻璃表面上传输、分解、扩散、沉积成膜，且膜层原子与玻璃组成原子形成牢固的共价键结合，分别完成镀制多层阻挡层和导电层，形成“玻璃/阻挡层/导电膜层”夹层式复合膜。但目前的制备方法存在膜层的厚度误差大，镀膜均匀性差的问题。
技术实现思路
1、本发明的主要目的是提出一种镀膜玻璃的制备方法、镀膜玻璃及装置，旨在解决现有技术中膜层的厚度误差大，镀膜均匀性差的问题。
2、为实现上述目的，第一方面，本发明提出一种镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤：
3、提供一玻璃基片；
4、获取所述玻璃基片的水平数据，在所述水平数据异常时，调节所述玻璃基片的水平位置；
5、在所述玻璃基片表面沉积阻挡层；
6、在所述阻挡层表面沉积功能导电层，得到镀膜玻璃。
7、可选地，所述获取所述玻璃基片的水平数据，在所述水平数据异常时，调节所述玻璃基片的水平位置的步骤包括：
8、获取所述玻璃基片的水平数据；
9、判断所述水平数据是否满足预设条件；
10、若否，调节所述玻璃基片的水平位置，以使得所述水平数据满足预设条件。
11、可选地，所述在所述玻璃基片表面沉积阻挡层的步骤中，所述玻璃基片的移动速度为5-10mm/s。
12、可选地，所述在所述玻璃基片表面沉积阻挡层的步骤中，采用气相沉积法沉积阻挡层，沉积温度为640～660℃。
13、可选地，所述阻挡层包括碳氧化硅层，所述阻挡层的厚度为40～85nm。
14、可选地，所述在所述玻璃基片表面沉积阻挡层的步骤中，沉积采用的原料包括硅源、碳源、氧源、催化剂、反应抑制剂。
15、可选地，所述硅源包括硅烷，所述碳源包括二氧化碳，所述催化剂包括磷酸三甲酯，所述反应抑制剂包括乙烯。
16、可选地，所述在所述玻璃基片表面沉积阻挡层的步骤中，所述硅烷的体积流量为16-18ml/min，所述二氧化碳的体积流量为45-48ml/min，所述磷酸三甲酯的体积流量为20-22ml/min，所述乙烯的体积流量为35-38ml/min。
17、可选地，所述在所述阻挡层表面沉积功能导电层的步骤中，所述玻璃基片的移动速度为3-12mm/s。
18、可选地，所述在所述阻挡层表面沉积功能导电层的步骤中，采用气相沉积法沉积功能导电层，沉积温度为630～650℃。
19、可选地，所述功能导电层包括氟掺杂的sno2层，所述功能导电层的厚度为400～650nm。
20、可选地，所述在所述阻挡层表面沉积功能导电层的步骤中，沉积采用的原料包括锡源、氟源、氧源。
21、可选地，所述锡源包括丁基三氯化锡，所述氟源包括三氟乙酸，所述氧源包括水和氧气。
22、可选地，所述在所述阻挡层表面沉积功能导电层的步骤中，所述丁基三氯化锡的体积流量为230-250ml/min，所述三氟乙酸的体积流量为230-250ml/min，所述水的体积流量为16.2-17l/min，所述氧气的体积流量为460-480ml/min。
23、第二方面，本发明提供一种根据第一方面的制备方法制备得到的镀膜玻璃。
24、可选地，所述镀膜玻璃的膜厚误差小于9.2％，所述膜厚误差通过下式表示：
25、
26、可选地，所述镀膜玻璃的可见光透过率大于79％。
27、可选地，所述镀膜玻璃的雾度小于13.2％。
28、第三方面，本发明提供一种太阳能电池，包括第二方面所述的镀膜玻璃。
29、第四方面，本发明提供一种制备镀膜玻璃的装置，包括：
30、检测装置，用于获取玻璃基片的水平数据；
31、玻璃基片调节装置，用于调节玻璃基片的水平位置；以及，
32、控制器，与所述检测装置和所述玻璃基片调节装置电性连接。
33、本发明的技术方案中，通过在玻璃基片沉积阻挡层之前，获取玻璃基片的水平数据，在水平数据异常时，调节玻璃基片的水平位置，从而使得玻璃基片在沉积阻挡层之前的水平位置良好，从而对成膜厚度进行优化，减小成膜厚度误差，提升镀膜均匀性，进而提高薄膜性能。
技术特征：1.一种镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述获取所述玻璃基片的水平数据，在所述水平数据异常时，调节所述玻璃基片的水平位置的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述玻璃基片表面沉积阻挡层的步骤中，所述玻璃基片的移动速度为5-10mm/s。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述玻璃基片表面沉积阻挡层的步骤中，采用气相沉积法沉积阻挡层，沉积温度为640～660℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡层包括碳氧化硅层，所述阻挡层的厚度为40～85nm。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述玻璃基片表面沉积阻挡层的步骤中，沉积采用的原料包括硅源、碳源、氧源、催化剂、反应抑制剂。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述硅源包括硅烷，所述碳源包括二氧化碳，所述催化剂包括磷酸三甲酯，所述反应抑制剂包括乙烯。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述玻璃基片表面沉积阻挡层的步骤中，所述硅烷的体积流量为16-18ml/min，所述二氧化碳的体积流量为45-48ml/min，所述磷酸三甲酯的体积流量为20-22ml/min，所述乙烯的体积流量为35-38ml/min。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阻挡层表面沉积功能导电层的步骤中，所述玻璃基片的移动速度为3-12mm/s。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阻挡层表面沉积功能导电层的步骤中，采用气相沉积法沉积功能导电层，沉积温度为630～650℃。
11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能导电层包括氟掺杂的sno2层，所述功能导电层的厚度为400～650nm。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阻挡层表面沉积功能导电层的步骤中，沉积采用的原料包括锡源、氟源、氧源。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述锡源包括丁基三氯化锡，所述氟源包括三氟乙酸，所述氧源包括水和氧气。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阻挡层表面沉积功能导电层的步骤中，所述丁基三氯化锡的体积流量为230-250ml/min，所述三氟乙酸的体积流量为230-250ml/min，所述水的体积流量为16.2-17l/min，所述氧气的体积流量为460-480ml/min。
15.一种根据权利要求1-14任一项所述的制备方法制备得到的镀膜玻璃。
16.根据权利要求15所述的镀膜玻璃，其特征在于，所述镀膜玻璃的膜厚误差小于9.2％，所述膜厚误差通过下式表示：
17.根据权利要求15所述的镀膜玻璃，其特征在于，所述镀膜玻璃的可见光透过率大于79％。
18.根据权利要求15所述的镀膜玻璃，其特征在于，所述镀膜玻璃的雾度小于13.2％。
19.一种太阳能电池，包括权利要求15-18任一项所述的镀膜玻璃。
20.一种制备镀膜玻璃的装置，其特征在于，包括：
技术总结本发明公开了一种镀膜玻璃的制备方法、镀膜玻璃及装置。所述制备方法包括以下步骤：提供一玻璃基片；获取所述玻璃基片的水平数据，在所述水平数据异常时，调节所述玻璃基片的水平位置；在所述玻璃基片表面沉积阻挡层；在所述阻挡层表面沉积功能导电层，得到镀膜玻璃。本发明通过在玻璃基片沉积阻挡层之前，获取玻璃基片的水平数据，在水平数据异常时，调节玻璃基片的水平位置，从而使得玻璃基片在沉积阻挡层之前的水平位置良好，从而对成膜厚度进行优化，减小成膜厚度误差，提升镀膜均匀性，进而提高薄膜性能。
技术研发人员：朱小蝶,马增勇,方洋,黄环宇,何燕芳,张军屏
受保护的技术使用者：湖南旗滨光能科技有限公司
技术研发日：技术公布日：2024/6/20