一种减反射玻璃连续磁控溅射工艺的制作方法

本发明涉及玻璃制造技术，尤其涉及磁控溅射镀膜玻璃制造技术，具体是一种减反射玻璃连续磁控溅射工艺。

背景技术：

1、减反射镀膜玻璃是利用磁控溅射在高真空状态下通过在玻璃表面沉积一层或多层具有特定光学性质的薄膜材料，以减少光的反射损耗，提高透射率和光学性能的技术。减反射镀膜玻璃的主要目标是降低光在界面处的反射，从而增加通过玻璃的光强。减反射镀膜玻璃用于建筑或者汽车等领域，其反射率低于4%，能够大大减少光污染，且使整个视觉效果更显通透、时尚和现代。用于建筑内部装饰中，提升整个建筑的装修档次和品位，更能突出建筑的现代感。减反射玻璃用于特殊场所内部(比如体育场馆、博物馆等)，可有效避免反射光的干扰，并有利于摄像和拍摄时获得清晰的画面。

2、目前，为了使产品具备更好的适应性，具有宽波段减反效果的减反射镀膜玻璃一直是各个玻璃生产厂家研发的重点。研究表明，具有宽波段减反效果的减反射镀膜玻璃，其膜系结构设计通常膜厚都在150nm以上，但现有的镀膜玻璃产品，当膜层总厚度大于150nm时，存在溅射效率低，膜层均匀性控制难度大，生产效率低的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的就是提供一种减反射玻璃连续磁控溅射工艺，旨在解决具有宽波段减反效果的膜系厚度过大引起的溅射效率低、膜层均匀性控制难度大、生产效率低的问题。

2、为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

3、一种减反射玻璃连续磁控溅射工艺，包括以下步骤：

4、步骤s1、将清洁后的玻璃基板送入第一真空室，第一真空室气氛为流量比700：800的高纯氩气和高纯氧气，溅射压强为1-1.1pa，在玻璃基板表面磁控溅射厚度为12-15nm的第一氧化铌层；

5、步骤s2、将镀覆第一氧化铌层后的玻璃基板依次送入第二真空室和第三真空室分别进行磁控溅射，在第一氧化铌层表面镀覆总厚度为35-37nm的第一氧化硅层；第二真空室和第三真空室的气氛均为流量比1000：100的高纯氩气和高纯氧气，溅射压强均为1-1.1pa；

6、步骤s3、将镀覆第一氧化硅层后的玻璃基板依次送入第四真空室、第五真空室、第六真空室和第七真空室分别进行磁控溅射，在第一氧化硅层表面镀覆总厚度为115-127nm的第二氧化铌层；第四真空室、第五真空室、第六真空室和第七真空室的气氛均为流量比700：800的高纯氩气和高纯氧气，溅射压强均为1-1.1pa；

7、步骤s4、将镀覆第二氧化铌层后的玻璃基板依次送入第八真空室、第九真空室和第十真空室进行磁控溅射，在第二氧化铌层表面镀覆总厚度为95-105nm的第二氧化硅层；第八真空室、第九真空室和第十真空室的气氛均为流量比1000：100的高纯氩气和高纯氧气，溅射压强均为1-1.1pa；

8、步骤s5、镀后处理。

9、所述步骤s1中，玻璃基板为6毫米白玻；第一真空室的阴极靶材为氧化铌靶，溅射速率为0.58nm/min，溅射速度为0.9m/min，溅射功率为18.6kw；第一氧化铌层的厚度为12nm。

10、所述步骤s2中，第二真空室和第三真空室的阴极靶材均为硅靶，溅射速率均为0.53nm/min，溅射速度均为0.9m/min，溅射功率均为18.6kw；第一氧化硅层的总厚度为36nm。

11、所述步骤s3中，第四真空室、第五真空室、第六真空室和第七真空室阴极靶材均为氧化铌靶，溅射速率均为0.58nm/min，溅射速度均为0.9m/min，溅射功率均为44.6kw。

12、所述步骤s3中，第四真空室和第五真空室的镀覆厚度之和小于等于第六真空室和第七真空室的镀覆厚度之和。

13、所述步骤s4中，第八真空室、第九真空室和第十真空室的阴极靶材均为硅靶，溅射速率均为0.53nm/min，溅射速度均为0.9m/min，溅射功率均为53.8kw。

14、所述步骤s4中，第八真空室的镀覆厚度小于等于第九真空室和第十真空室的镀覆厚度之和。

15、本发明的有益效果：

16、1）生产的反射镀膜玻璃为可钢化玻璃产品，不仅可以单片使用，可进一步复合为夹层、中空、弯钢等复合工艺产品。

17、2）产品膜层区别于以往镀膜产品，采用的膜系结构具有较宽的宽波段减反效果，膜层厚度大于150nm，反射率小于4%，可见光透过率大于94%，主要用于光伏、汽车、高端建筑、航空航天、显示等领域，应用领域广；

18、3）磁控溅射工艺的溅射效率高，膜层均匀性控制良好，溅射效率提升约40%，生产成本降低了近30%。

技术特征：

1.一种减反射玻璃连续磁控溅射工艺，其特征是：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种减反射玻璃连续式磁控溅射工艺，其特征是：所述步骤s1中，玻璃基板为6毫米白玻；第一真空室的阴极靶材为氧化铌靶，溅射速率为0.58nm/min，溅射速度为0.9m/min，溅射功率为18.6kw；第一氧化铌层的厚度为12nm。

3.根据权利要求1所述的一种减反射玻璃连续式磁控溅射工艺，其特征是：所述步骤s2中，第二真空室和第三真空室的阴极靶材均为硅靶，溅射速率均为0.53nm/min，溅射速度均为0.9m/min，溅射功率均为18.6kw；第一氧化硅层的总厚度为36nm。

4.根据权利要求1所述的一种减反射玻璃连续式磁控溅射工艺，其特征是：所述步骤s3中，第四真空室、第五真空室、第六真空室和第七真空室阴极靶材均为氧化铌靶，溅射速率均为0.58nm/min，溅射速度均为0.9m/min，溅射功率均为44.6kw。

5.根据权利要求1所述的一种减反射玻璃连续式磁控溅射工艺，其特征是：所述步骤s3中，第四真空室和第五真空室的镀覆厚度之和小于等于第六真空室和第七真空室的镀覆厚度之和。

6.根据权利要求1所述的一种减反射玻璃连续式磁控溅射工艺，其特征是：所述步骤s4中，第八真空室、第九真空室和第十真空室的阴极靶材均为硅靶，溅射速率均为0.53nm/min，溅射速度均为0.9m/min，溅射功率均为53.8kw。

7.根据权利要求1所述的一种减反射玻璃连续式磁控溅射工艺，其特征是：所述步骤s4中，第八真空室的镀覆厚度小于等于第九真空室和第十真空室的镀覆厚度之和。

技术总结
本发明涉及玻璃制造技术，具体是一种减反射玻璃连续磁控溅射工艺，包括以下步骤：在第一真空室磁控溅射厚度为12‑15nm的第一氧化铌层；依次送入第二真空室和第三真空室分别进行磁控溅射，在第一氧化铌层表面镀覆总厚度为35‑37nm的第一氧化硅层；依次送入第四真空室、第五真空室、第六真空室和第七真空室分别进行磁控溅射，在第一氧化硅层表面镀覆总厚度为115‑127nm的第二氧化铌层；依次送入第八真空室、第九真空室和第十真空室进行磁控溅射，在第二氧化铌层表面镀覆总厚度为95‑105nm的第二氧化硅层。本发明提供的工艺获得的膜系结构具有较宽的宽波段减反效果，应用领域更为广泛。采用多室连续镀膜，溅射效率提升约40%，生产成本降低了近30%。

技术研发人员：董西阳,柳洪章,屠帅帅,杨建民,齐飞,马玉聪,段新杰,白金鸽
受保护的技术使用者：耀华（洛阳）玻璃有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/2/20