一种多晶硅还原炉四氟套的制作方法

本技术涉及多晶硅还原炉，具体涉及一种多晶硅还原炉四氟套。

背景技术：

1、在多晶硅还原炉的运行过程中四氟套具有以下作用：

2、绝缘作用：四氟套可以作为电极和炉体之间的绝缘材料，保证电流的顺利通过，同时避免电流泄露，防止发生电击事故；

3、耐高温作用：多晶硅还原炉中的反应温度通常很高，四氟套具有很好的耐高温性能，可以在高温下保持其形状和性能，防止高温对其造成破坏；

4、耐腐蚀作用：在多晶硅还原炉中，通常会使用各种酸性或碱性溶液来清洗和反应，四氟套具有很好的耐腐蚀性能，可以防止酸碱溶液对其造成腐蚀破坏；

5、减少摩擦作用：在多晶硅还原炉中，四氟套可以作为滑动部件，减少炉体和电极之间的摩擦力，降低机械磨损，延长设备使用寿命；

6、隔热作用：四氟套具有良好的隔热性能，可以减少热量传递和热损失，提高能源利用率。

7、总的来说，多晶硅还原炉中的四氟套具有绝缘、耐高温、耐腐蚀、减少摩擦和隔热等作用，能够保证多晶硅还原炉的正常运行和生产安全。

8、在现有技术中，还原炉四氟套在运行几炉次后，经常出现老化现象，绝缘降低，甚至是放电现象发生造成多晶硅的污染。

9、通过分析可能造成原因：温度波动：还原炉内的温度波动可能导致四氟套的热胀冷缩，加速其老化过程。压力变化：还原炉内的压力波动可能对四氟套造成机械应力，导致其损坏或性能下降。化学侵蚀：炉内使用的化学物质可能对四氟套产生侵蚀作用，导致其性能下降。物理磨损：四氟套在运行过程中可能受到炉内物料的冲刷和摩擦，导致其表面损伤。电极问题：与四氟套配合使用的电极可能存在电场不均匀等问题，导致放电现象发生。通过分析判断为四氟套结构设计不合理，因此，提供一种新结构尺寸的多晶硅还原炉四氟套。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于：针对目前存在的上述问题，提供了一种多晶硅还原炉四氟套，对四氟套结构尺寸进行改进，通过改进后的四氟套，解决四氟套使用中出现老化现象，绝缘降低，甚至是放电现象发生造成多晶硅的污染的现象。

2、本实用新型的技术方案如下：

3、一种多晶硅还原炉四氟套，包括四氟套本体，所述四氟套本体包括顶部和杆部，顶部设置在杆部上，顶部的横截面面积大于杆部的横截面面积；所述顶部的高度尺寸小于现有技术四氟套顶部高度尺寸。

4、进一步的，所述顶部与杆部的连接处呈阶梯状结构。

5、进一步的，所述顶部的高度尺寸相较于现有四氟套顶部高度尺寸缩短了10mm。

6、进一步的，所述四氟套本体的高度为387.5mm，顶部的高度尺寸为72.5mm。

7、进一步的，所述顶部的宽度尺寸为75mm，杆部的宽度尺寸为60mm。

8、进一步的，所述杆部和顶部的厚度均为5mm。

9、与现有的技术相比本实用新型的有益效果是：

10、1、一种多晶硅还原炉四氟套，技改后，还原炉的缺相率得到了有效的降低。从原来的40％减少到了13％，这一数字的降低表明还原炉在运行过程中的效率得到了提升，同时也意味着生产过程中的浪费减少了；

11、2、一种多晶硅还原炉四氟套，通过改进，还原炉的月平均异常料比例也得到了显著下降。从原来的4.5％下降到了2.3％，这一比例的下降每月可以减少异常料损失高达176吨，每吨按15000元计算，每月可以减少损失264万元。不仅减少了经济损失，同时也增强了生产过程的稳定性和可靠性；

12、3、一种多晶硅还原炉四氟套，通过改进和优化还原炉四氟套的设计，不仅提高了其运行效率和安全性，同时也美化了其运行过程和结果。这些改进不仅带来了经济效益，同时也增强了操作人员对还原炉运行情况的掌握能力。

技术特征：

1.一种多晶硅还原炉四氟套，其特征在于，包括四氟套本体，所述四氟套本体包括顶部和杆部，顶部设置在杆部上，顶部的横截面面积大于杆部的横截面面积；所述顶部的高度尺寸小于现有技术四氟套顶部高度尺寸。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉四氟套，其特征在于，所述顶部与杆部的连接处呈阶梯状结构。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉四氟套，其特征在于，所述顶部的高度尺寸相较于现有四氟套顶部高度尺寸缩短了10mm。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉四氟套，其特征在于，所述四氟套本体的高度为387.5mm，顶部的高度尺寸为72.5mm。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉四氟套，其特征在于，所述顶部的宽度尺寸为75mm，杆部的宽度尺寸为60mm。

6.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉四氟套，其特征在于，所述杆部和顶部的厚度均为5mm。

技术总结
本技术公开了一种多晶硅还原炉四氟套，包括四氟套本体，所述四氟套本体包括顶部和杆部，顶部设置在杆部上，顶部的横截面面积大于杆部的横截面面积；所述顶部的高度尺寸小于现有技术四氟套顶部高度尺寸。对四氟套结构尺寸进行改进，通过改进后的四氟套，解决四氟套使用中出现老化现象，绝缘降低，甚至是放电现象发生造成多晶硅的污染的现象。

技术研发人员：杨海荣,周书红,刘彦东,周寿忠,鲁海东,彭冬寿,李小武,张磊,赵大锋
受保护的技术使用者：新疆东方希望新能源有限公司
技术研发日：20240318
技术公布日：2025/2/17