本技术主要涉及氮化镓外延生长,具体涉及一种氮化镓外延片生长用基座。
背景技术:
1、硅基氮化镓技术是针对低成本大规模生产之高压、高功率、高电子移动率晶体管的解决方案,由于氮化镓出色的物理特性,如低阻抗性、高切换频率、高导热性,以及高击穿电场,氮化镓可用于高压环境,硅片的外延生长主要包括真空外延沉积、气相外延沉积以及液相外延沉积等生长方法,其中以气相外延沉积的应用最为广泛。
2、发明人在具体的实施例操作过程中,发现了以下缺陷:
3、目前高强度抗拉硅基氮化镓外延片生长用基座正在加工后需要工作人员使用镊子逐个取出高强度抗拉硅基氮化镓外延片,导致基座取放高强度抗拉硅基氮化镓外延片过程较为费时,影响高强度抗拉硅基氮化镓外延片在基座上生长加工的便捷性和效率。经检索,申请号202321615802.4公开了一种高强度抗拉硅基氮化镓外延片生长用基座,包括:石墨基座盘,所述石墨基座盘的上表面开设有多个放置凹槽,且放置凹槽的槽壁活动连接有限位盘,相邻两个所述限位盘的外壁共同固定连接有连接片,所述石墨基座盘的上表面固定连接有两个对称分布的限位机构,所述限位盘的内壁活动连接有外延片放置机构。本实用新型能够有效提高生长基座取放高强度抗拉硅基氮化镓外延片的便捷性和效率,而且取放过程中能够保证外延片移动的稳定性,而且限位机构能够保证生长基座结构稳固,不易发生外延片掉落的情况。该申请案虽然通过连接片和限位盘的连接,使得多个限位盘可以一起被取出,但同样的连接片和限位盘的去处需要人工进行操作,且连接片在使用的时候是受到限制的,因此不便于进行上拉操作,操作起来也比较繁琐;其次氮化镓外延片的固定效果不好。
4、需要说明的是,上述内容属于发明人的技术认知范畴,由于本领域的技术内容浩如烟海、过于庞杂,因此本申请的上述内容并不必然构成现有技术。
技术实现思路
1、1.实用新型要解决的技术问题:
2、本实用新型的提供了一种氮化镓外延片生长用基座,用以解决上述背景技术中存在的技术问题。
3、2.技术方案:
4、为达到上述目的,本实用新型提供的技术方案为:一种氮化镓外延片生长用基座,包括基座盘,所述基座盘顶部均匀开设有多个凹槽,所述凹槽内侧活动安装有限位筒,所述限位筒内部固定连接有吸附盘,所述吸附盘上表面吸附有氮化镓外延片;所述基座盘顶部开设有安装槽,所述安装槽内侧设有自动取放机构,所述自动取放机构包括多个套环,多个所述套环相对应设于限位筒外侧壁上。
5、进一步的,所述自动取放机构还包括气缸,所述气缸安装于安装槽内部,所述气缸执行端连接有执行杆,所述执行杆外侧壁上连接有多个连接杆,多个所述连接杆一端分别与多个所述套环一一连接。
6、进一步的,所述套环套设于限位筒外侧壁上,所述套环与限位筒之间设置有橡胶圈。
7、进一步的,所述基座盘内部下方开设有空腔,所述空腔内侧设有吸风组件,所述凹槽下方开设有通风槽,所述限位筒底壁上均匀开设有若干输风口,所述吸附盘内侧开设有若干吸附口,所述吸风组件通过依次通过通风槽、输风口和吸附口吸附住氮化镓外延片。
8、进一步的,所述吸风组件包括电机,所述电机安装于空腔内部,所述电机输出端连接有吸风机。
9、3.有益效果:
10、采用本实用新型提供的技术方案,与现有技术相比,具有如下有益效果:
11、本实用新型设计合理,利用安装槽、气缸、执行杆、连接杆、套环和橡胶圈的设置配合,能够自动实现对多个限位筒的取放功能,取放更加的方便快捷,提高了氮化镓外延片的取放效率;
12、通过空腔、电机、吸风机、通风槽、输风口、吸附盘和吸附口之间的设置配合,能够氮化镓外延片放置时保持其稳固性,避免其位置发生偏移或者掉落,在需要取出的时候,解除对氮化镓外延片的吸附作用即可。
13、需要说明的是,本实用新型未介绍的结构由于不涉及本实用新型的设计要点及改进方向,均与现有技术相同或者可采用现有技术加以实现在此不做赘述。
1.一种氮化镓外延片生长用基座,其特征在于:包括基座盘(1),所述基座盘(1)顶部均匀开设有多个凹槽(101),所述凹槽(101)内侧活动安装有限位筒(2),所述限位筒(2)内部固定连接有吸附盘(3),所述吸附盘(3)上表面吸附有氮化镓外延片;所述基座盘(1)顶部开设有安装槽(102),所述安装槽(102)内侧设有自动取放机构,所述自动取放机构包括多个套环(4),多个所述套环(4)相对应设于限位筒(2)外侧壁上。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延片生长用基座,其特征在于:所述自动取放机构还包括气缸(5),所述气缸(5)安装于安装槽(102)内部,所述气缸(5)执行端连接有执行杆(6),所述执行杆(6)外侧壁上连接有多个连接杆(7),多个所述连接杆(7)一端分别与多个所述套环(4)一一连接。
3.根据权利要求2所述的一种氮化镓外延片生长用基座,其特征在于:所述套环(4)套设于限位筒(2)外侧壁上,所述套环(4)与限位筒(2)之间设置有橡胶圈。
4.根据权利要求3所述的一种氮化镓外延片生长用基座,其特征在于:所述基座盘(1)内部下方开设有空腔(103),所述空腔(103)内侧设有吸风组件,所述凹槽(101)下方开设有通风槽(104),所述限位筒(2)底壁上均匀开设有若干输风口(201),所述吸附盘(3)内侧开设有若干吸附口(301),所述吸风组件通过依次通过通风槽(104)、输风口(201)和吸附口(301)吸附住氮化镓外延片。
5.根据权利要求4所述的一种氮化镓外延片生长用基座,其特征在于:所述吸风组件包括电机(8),所述电机(8)安装于空腔(103)内部,所述电机(8)输出端连接有吸风机(9)。