一种单晶硅生长炉的石墨坩埚的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种石墨樹祸，特别涉及一种单晶娃生长炉的石墨樹祸。
【背景技术】
[0002]目前，能源短缺和环境污染已成为制约人类社会可持续发展的两大重要因素。光伏发电因发电过程中无污染、无噪音、维护简单、无需生产原料等优点而逐步显示出其发展空间和应用前景。太阳能电池用的单晶硅的制作是这个产业中重要的一个环节。单晶硅在制作工程中，大部分过程是吸热过程，即需要外部供给热量。单晶硅生长炉中一般有一个石墨制的主发热体，其两端同上直流电，产生热量，发热体处在吸热体的外面，热量是由外向内径向传导的。随着硅单晶直径的加大，单晶硅生长炉热场的尺寸变得越来越大，相应的石墨坩埚的重量也在大大增加。目前使用的坩锅由于结构简单，存在着传热效率低、加热缓慢、加热时间长、能耗闻等缺点。
[0003]由于单晶硅生长炉需要经常开炉和停炉，在温度急剧变化的恶劣工况下，石墨坩埚在使用一段时间后容易产生开裂，特别对于三瓣式石墨坩埚来说，开裂后容易断裂，这样对于设于石墨坩埚内的石英坩埚来说失去支撑就很容易损坏，导致石英坩埚内的硅料熔体外溢，产生不良后果。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是提供一种传热效率高、加热速度快、节约能耗且能降低单晶硅生产中氧含量的单晶硅生长炉的石墨坩埚。
[0005]实现本发明目的的技术方案是:本发明具有本体；所述本体包括圆柱形的侧壁和半球形的底部；所述本体由三瓣块体组成；所述侧壁的外表面等距设有环形的凸台和凹槽，凸台和凹槽间隔分布；所述相邻块体的顶部通过连接件连接。
[0006]上述凸台的高度为I臟?5臟；所述凹槽的深度为I臟?5臟。
[0007]上述相邻块体的顶部设有连接孔；所述连接件为两头弯曲的金属卡线，金属卡线卡设在连接孔内。
[0008]本发明具有积极的效果:(I)本发明通过增加外表面积来提高传热面积，加大了传热量，从而实现了快速加热和能耗的节约；(2)本发明能有效降低单晶硅生产中的氧含量，且采用连接件能一定程度上对本身及石英坩埚起到保护的作用。
【附图说明】
[0009]为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0010]图1为本发明的剖视结构示意图。
[0011]图2为本发明的俯视图。
【具体实施方式】
[0012]见图1和图2，本发明具有本体I ;所述本体I包括圆柱形的侧壁11和半球形的底部12 ;其特征在于:所述本体I由三瓣块体1-1组成；所述侧壁11的外表面等距设有环形的凸台11-1和凹槽11-2，凸台11-1和凹槽11-2间隔分布；所述凸台11_1的高度为Imm?5mm ;所述凹槽11-2的深度为Imm?5mm ;所述相邻块体1_1的顶部设有连接孔；所述连接件2为两头弯曲的金属卡线，金属卡线卡设在连接孔内。
[0013]以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种单晶娃生长炉的石墨樹祸，具有本体(I);所述本体(I)包括圆柱形的侧壁(11)和半球形的底部(12);其特征在于:所述本体(I)由三瓣块体(1-1)组成；所述侧壁(11)的外表面等距设有环形的凸台(11-1)和凹槽(11-2)，凸台(ll-ι)和凹槽(11-2)间隔分布；所述相邻块体(1-1)的顶部通过连接件(2)连接。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征在于:所述凸台(11-1)的高度为1_?5_ ;所述凹槽(11-2)的深度为1_?5_。
3.根据权利要求2所述的一种单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征在于:所述相邻块体(1-1)的顶部设有连接孔；所述连接件(2)为两头弯曲的金属卡线，金属卡线卡设在连接孔内。
【专利摘要】本发明涉及一种单晶硅生长炉的石墨坩埚，具有本体；所述本体包括圆柱形的侧壁和半球形的底部；所述本体由三瓣块体组成；所述侧壁的外表面等距设有环形的凸台和凹槽，凸台和凹槽间隔分布；所述相邻块体的顶部通过连接件连接。本发明传热效率高、加热迅速且节约能耗，而且对本身及石英坩埚具有一定的保护作用。
【IPC分类】C30B29-06, C30B15-10
【公开号】CN104674338
【申请号】CN201310613131
【发明人】朱红妹, 于秋江
【申请人】江苏环球龙圣环境科技发展有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年11月26日