一种保护籽晶型坩埚的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种保护籽晶型坩埚，包括坩埚主体，其中，所述坩埚主体的内底部具有凹槽。所述保护籽晶型坩埚，通过在坩埚底部设置凹槽，使得底部凹槽中的籽晶的最低处低于其它处底部的籽晶，在保持正常底部籽晶预留高度的情况下，使得四周边角的籽晶保存完好，从而起到了保护籽晶的作用。
【专利说明】
一种保护籽晶型坩埚
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及多晶硅铸锭技术领域，特别是涉及一种坩祸。
【背景技术】
[0002]现在的坩祸主要承载着装载硅料和硅锭成型长晶工作。光伏太阳能电站的不断发展和生产技术的不断提高，客户对高效硅片和高效组件的需求不断提升，而铸锭是这其中的关键所在。以往的全熔工艺由于没有稳定的引晶作用，生产出来的硅锭的整体质量偏低。研发人员从单晶使用籽晶来拉晶处得到启发，研发出了半熔工艺，大大的提高了多晶铸锭的质量，提高了光电转换效率。但由于保温热场不均匀，采用半熔工艺时，硅锭边角的籽晶经常全熔，没有起到引晶的作用，因此，如何保护边角籽晶不熔，是研发人员一直想攻克的难题。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种保护籽晶型坩祸，在保持正常底部紫晶预留高度的情况下，不会使得所有的籽晶全熔，有效地保护了籽晶。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种保护籽晶型坩祸，包括坩祸主体，其中，所述坩祸主体的内底部具有凹槽。
[0005]其中，所述凹槽为环形凹槽。
[0006]其中，所述环形凹槽与所述坩祸的底部内侧壁的间距为20mm-40mm。
[0007]其中，所述环形凹槽与所述坩祸的底部内侧壁的间距处处相等。
[0008]其中，所述环形凹槽的纵截面为长方形、梯形或圆弧形。
[0009]其中，所述环形凹槽的宽度为20mm-150mm。
[0010]其中，所述环形凹槽的深度为2mm-10mm。
[0011]本实用新型实施例所提供的保护籽晶型坩祸，与现有技术相比，具有以下优点:
[0012]本实用新型实施例提供的保护籽晶型坩祸，包括坩祸主体，其中，所述坩祸主体的内底部具有凹槽。
[0013]所述保护籽晶型坩祸，通过在坩祸底部设置凹槽，这就使得底部凹槽中的籽晶的最低处低于其它处底部籽晶，在保持正常底部籽晶预留高度的情况下，使得其余位置的籽晶不会全熔，从而起到了保护籽晶的作用，提高整体硅锭的质量，得到高效硅片。
[0014]综上所述，本实用新型实施例所提供的保护籽晶型坩祸，通过在坩祸底部设置凹槽，起到了保护籽晶的作用，提高整体硅锭的质量，得到高效硅片。
【附图说明】
[0015]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本实用新型实施例所提供的保护籽晶型坩祸的一种【具体实施方式】的俯视图结构示意图；
[0017]图2为本实用新型实施例所提供的保护籽晶型坩祸的一种【具体实施方式】的正视图结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]正如【背景技术】部分所述，现有技术中为了得到更优质的硅锭，多晶铸锭时采用了半熔生产工艺，但半熔铸锭时硅锭边角籽晶经常会全熔，导致引晶效果差。因此，如何保证边角籽晶不熔是需要研发人员克服的难题。
[0019]基于此，本实用新型实施例提供了一种保护籽晶型坩祸，包括坩祸主体，其中，所述坩祸主体的内底部具有凹槽。
[0020]综上所述，本实用新型实施例提供的保护籽晶型坩祸，通过在坩祸底部设置凹槽，这就使得底部凹槽中的籽晶的最低处低于其它处底部籽晶，在保持正常底部籽晶预留高度的情况下，使得其余位置的籽晶不会全熔，从而起到了保护籽晶的作用，提高整体硅锭的质量，得到高效硅片。
[0021]为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】做详细的说明。
[0022]在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广。因此本实用新型不受下面公开的具体实施的限制。
[0023]请参考图1-2，图1为本实用新型实施例所提供的保护籽晶型坩祸的一种【具体实施方式】的俯视图结构示意图；图2为本实用新型实施例所提供的保护籽晶型坩祸的一种【具体实施方式】的正视图结构示意图。
[0024]在一种具体方式中，所述保护籽晶型坩祸，包括坩祸主体，其中，所述坩祸主体的内底部具有凹槽I。
[0025]所述保护籽晶型坩祸，通过在坩祸底部设置凹槽I，这就使得底部凹槽I中的籽晶的最低处低于其它处底部籽晶，在保持正常底部籽晶预留高度的情况下，使得其余位置的籽晶不会全熔，从而起到了保护籽晶的作用，提高整体硅锭的质量，得到高效硅片。
[0026]由于采用半熔工艺时，使得开始熔化后的液体流入所述凹槽I，为使得凹槽I内各处的液体的温度的差别减小，提高导热效率，所述凹槽I为环形凹槽I。需要说明的是，这里的环形凹槽I是指凹槽I没有首尾，凹槽I内的液体可以沿着一个方向流动时，可以回到原来的位置，凹槽I的整体的外形可以是圆环形，也可以是方形或其它形状，而且凹槽的数量可以是一个也可以是多个，本实用新型对凹槽的形状和数量不做具体限定。
[0027]由于对坩祸加热的加热器绝大多数时候是在坩祸的外部设置的，为使得加热均匀，与坩祸外壁的距离相等，为减少凹槽I内的液体的温度差，提高整体硅锭的质量，得到高效硅片，所述环形凹槽I与所述坩祸的底部内侧壁2的间距为20mm-40mm。
[0028]更进一步，所述环形凹槽I与所述坩祸的底部内侧壁2的间距处处相等。
[0029]为降低凹槽I的加工工艺，同时也使得凹槽I的形状更加有规则，凹槽I内的液体的温差越小，所述环形凹槽I的纵截面为长方形、梯形或圆弧形。需要说明的是所述环形凹槽I的纵截面还可以是其它的形状，如椭圆弧等，本实用新型对此不作具体限定。
[0030]为确保坩祸结构的稳定性，所述环形凹槽I的宽度为20mm-150mm，所述环形凹槽I的深度为2mm-10mm。
[0031]—般所述环形凹槽I为长方形环形凹槽I，通过在坩祸底部四周做环形凹槽I，使得底部四周的籽晶的最低处低于中间处底部籽晶，在保持正常底部籽晶预留高度的情况下，使得四周的籽晶不会全熔，从而起到了保护籽晶的作用，这种方法比较简单，有效的保护了籽晶，替代了其他各种通过改进铸锭炉热场工艺的方法，且改进热场、工艺的方法不够明显有效，且不同炉台普适性不强，而在坩祸底部做凹槽I的方法具有较强的普适性。
[0032]综上所述，本实用新型实施例的保护籽晶型坩祸，通过在坩祸底部设置凹槽，这就使得底部凹槽中的籽晶的最低处低于其它处底部籽晶，在保持正常底部籽晶预留高度的情况下，使得其余位置的籽晶不会全熔，从而起到了保护籽晶的作用，提高整体硅锭的质量，得到高效硅片。
[0033]以上对本实用新型所提供的保护籽晶型坩祸进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。
【主权项】
1.一种保护籽晶型坩祸，其特征在于，包括坩祸主体，其中，所述坩祸主体的内底部具有凹槽。2.如权利要求1所述的保护籽晶型坩祸，其特征在于，所述凹槽为环形凹槽。3.如权利要求2所述的保护籽晶型坩祸，其特征在于，所述环形凹槽与所述坩祸的底部内侧壁的间距为20mm-40mm。4.如权利要求3所述的保护籽晶型坩祸，其特征在于，所述环形凹槽与所述坩祸的底部内侧壁的间距处处相等。5.如权利要求1所述的保护籽晶型坩祸，其特征在于，所述环形凹槽的纵截面为长方形、梯形或圆弧形。6.如权利要求1所述的保护籽晶型坩祸，其特征在于，所述环形凹槽的宽度为20mm-.150mm.7.如权利要求1所述的保护籽晶型坩祸，其特征在于，所述环形凹槽的深度为2mm-.1Omnin
【文档编号】C30B29/06GK205474106SQ201620274267
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月5日
【发明人】闫灯周, 李林东, 陈伟, 肖贵云, 黄晶晶, 李亮, 金浩
【申请人】晶科能源有限公司, 浙江晶科能源有限公司