专利名称：盐及包含该盐的光致抗蚀剂组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种盐及包含该盐的光致抗蚀剂组合物。
背景技术：
用于采用光刻工艺的半导体微细加工(microfabrication)的化学增幅正性抗蚀 剂组合物含有产酸剂，该产酸剂包含可通过辐射产生酸的化合物。美国专利申请US 2006/0194982A1公开了三苯基锍1-(3_羟基金刚烷基)甲氧羰 基二氟甲烷磺酸盐以及包含树脂和作为产酸剂的三苯基锍1-(3_羟基金刚烷基)甲氧羰基 二氟甲烷的光致抗蚀剂组合物。美国专利申请US 2004/0018445A1公开了三苯基锍三异丙基苯磺酸盐和N-(乙基 磺酰氧基)琥珀酰亚胺的组合物以及包含树脂和作为产酸剂的三苯基锍三异丙基苯磺酸 盐和N-(乙基磺酰氧基)琥珀酰亚胺的组合物的光致抗蚀剂组合物。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新颖的盐、由该盐衍生的新颖的聚合物以及包含该盐 的光致抗蚀剂组合物。本发明涉及下述内容<1> 一种如式(I-Pa)所示的盐
权利要求
一种如式(I Pa)所示的盐其中XPa代表单键或C1 C4亚烷基，RPa代表单键、C4 C36二价脂环烃基或C6 C36二价芳香烃基，其中所述二价脂环烃基中的一个以上的亚甲基可用 O 或 CO 替代，YPa代表可聚合的基团，以及ZPa+代表有机阳离子。FSA00000202254600011.tif
2.如权利要求1所述的盐，其特征在于，所述可聚合的基团为乙烯基、丙烯酰基、甲基 丙烯酰基、丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基，并且所述乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、丙烯 酰氧基以及甲基丙烯酰氧基可具有一个以上的取代基。
3.如权利要求1所述的盐，其特征在于，所述Zpa+是如式(IXa)所示的阳离子
4.如权利要求1所述的盐，其特征在于，Rpa为单键或金刚烷基二基基团。
5.一种包含由权利要求1所述的盐衍生的结构单元的聚合物。
6.一种包含产酸剂和如权利要求5所述的聚合物的光致抗蚀剂组合物。
7.一种包含如权利要求1所述的盐、产酸剂以及树脂的光致抗蚀剂组合物，其中所述 树脂包含具有酸不稳定性基团的结构单元，并且所述树脂不溶于或微溶于碱性水溶液，但 在酸的作用下变得可溶于碱性水溶液。
8.如权利要求6或7所述的光致抗蚀剂组合物，其特征在于，所述光致抗蚀剂组合物还 包含碱性化合物。
9.一种用于形成光致抗蚀图案的方法，包括如下步骤(1)至(5)(1)将如权利要求6、7或8所述的光致抗蚀剂组合物施用在基材上，(2)通过进行干燥形成光致抗蚀剂膜，(3)使光致抗蚀剂膜曝露在辐射下，(4)焙烤经曝露的光致抗蚀剂膜，以及(5)用碱性显影剂显影经焙烤的光致抗蚀剂膜，从而形成光致抗蚀图案。
全文摘要
一种如式(I-Pa)所示的盐其中XPa代表单键或C1-C4亚烷基，RPa代表单键、C4-C36二价脂环烃基或C6-C36二价芳香烃基，其中所述二价脂环烃基中的一个以上亚甲基可用-O-或-CO-替代，YPa代表可聚合的基团，以及ZPa+代表有机阳离子。
文档编号C07C57/04GK101955454SQ20101023402
公开日2011年1月26日 申请日期2010年7月12日 优先权日2009年7月14日
发明者山下裕子, 市川幸司, 杉原昌子 申请人:住友化学株式会社