形成抗静电膜的组合物及低聚物化合物的制作方法
【专利摘要】本发明的课题是提供一种对抗蚀剂表面的涂布性优异，用于形成可以防止抗蚀剂膜带电的抗静电膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成抗静电膜的组合物，其含有下述式(1A)所示的低聚物化合物和水。(1)(式中，R1表示氢原子或下述式(2)所示的基团，R2和R3各自独立地表示氢原子或者下述式(3)或式(4)所示的基团，多个R中的至少一个表示磺基，a和b表示满足2≤(a+b)≤6的正整数，多个x各自独立地表示0～4的整数。)(2)(3)(4)(式中，n表示满足1≤n＜(a+b+4)的整数，a、b、R和x与上述式(1A)中的含义相同，多个y各自独立地表示0～5的整数。)。
【专利说明】形成抗静电膜的组合物及低聚物化合物
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于形成例如抗蚀剂膜的上层所形成的抗静电膜的组合物。此外，本发明涉及该组合物中使用的低聚物化合物。 【背景技术】
[0002]光刻工艺中使用的光掩模或中间掩模的制作使用了电子束。进一步，作为下一代的先进微细加工技术的候补之一，有使用了电子束的光刻技术。电子束光刻能够形成微细图案、没有来自抗蚀剂膜下的基板的驻波带来的影响等，相对于使用了准分子激光的以往的光刻有优势性。
[0003]然而，在电子束光刻中，对抗蚀剂膜照射电子束时，有在该抗蚀剂膜的表面电子易于充电(charge up)这样的问题。
[0004]对于上述问题，以抗静电作为目的，专利文献I中公开了包含显示离子传导性的离子液体和水溶性树脂的、用于在电子束抗蚀剂的上层形成抗静电膜的组合物。进一步，专利文献2中公开了包含酸性基取代的苯胺系导电性聚合物的用于通过电子束、离子束等荷电粒子束形成微细抗蚀剂图案的导电性组合物。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开2010-020046号公报
[0008]专利文献2:日本特开2006-301073号公报
【发明内容】
[0009]发明所要解决的课题
[0010]专利文献2中公开的导电性组合物由于包含导电性聚合物，因此能够在抗蚀剂膜上形成抗静电膜。然而，所含有的导电性聚合物在分子量大的情况下，由于在溶剂中不容易溶解而被分散，因此在抗蚀剂膜上进行涂布时，表面变不均匀，成为问题。另一方面，由包含离子液体的组合物获得的抗静电膜，膜中的离子发挥放掉电子束的电荷的作用，但由于离子的数目有限，因此电子束描绘中会逐渐地带电。
[0011]本发明的目的是获得对抗蚀剂膜表面的涂布性优异，形成可以防止由荷电粒子束引起的抗蚀剂膜带电的抗静电膜的组合物。
[0012]此外，本发明的目的是提供可以适合用于形成上述抗静电膜的组合物的含有磺基的低聚物化合物和作为其前体的低聚物化合物。
[0013]而且本发明的目的是提供可以更有效率地制造作为上述前体的低聚物化合物的制造方法。
[0014]用于解决课题的方法
[0015]本发明为一种形成抗静电膜的组合物，其含有下述式(IA)所示的低聚物化合物和水。[0016]
【权利要求】
1.一种形成抗静电膜的组合物，其含有下述式(IA)所示的低聚物化合物和水，
2.根据权利要求1所述的形成抗静电膜的组合物，其进一步含有下述式(IB)所示的低聚物化合物，
3.根据权利要求1或2所述的形成抗静电膜的组合物，其进一步含有极性有机溶剂。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的形成抗静电膜的组合物，其进一步含有表面活性剂。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的形成抗静电膜的组合物，其进一步含有碱性化合物。
6.根据权利要求1~5的任一项所述的形成抗静电膜的组合物，所述低聚物化合物的重均分子量为500以上且小于5000。
7.下述式(IA)所示的低聚物化合物，
8.下述式(IC)所示的低聚物化合物，
9.根据权利要求8所述的低聚物化合物，所述R1为氢原子，所述R2和R3为所述式(4’)所不的基团，所述X和y为O。
10.根据权利要求9所述的低聚物化合物，所述a和b满足2( (a+b) ( 3。
11.权利要求10所述的低聚物化合物的制造方法，其特征在于，使下述式(ID)所示的三苯基胺衍生物与下述式(IE)所示的胺化合物在金属配位化合物催化剂和碱的存在下进行反应，
12.式(IF)所示的苯胺低聚物化合物的制造方法，其特征在于，使下述式(ID)所示的三苯基胺衍生物与下述式(IE)所示的胺化合物在金属配位化合物催化剂和碱的存在下进行反应，
13.根据权利要求11或12所述的制造方法，所述离去性官能团为选自卤原子、甲磺酰氧基、苯磺酰氧基、甲苯磺酰氧基、三氟甲磺酰氧基和九氟丁磺酰氧基中的基团。
14.根据权利要求13所述的制造方法，所述离去性官能团为氯原子、溴原子或碘原子。
15.根据权利要求11或12所述的制造方法，所述金属配位化合物催化剂为钯配位化合物。
【文档编号】C07B61/00GK103975038SQ201280059789
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2012年11月12日 优先权日:2011年12月5日
【发明者】西田登喜雄, 水落龙太, 坂本力丸, 山田智久, 中家直树, 高山祐树 申请人:日产化学工业株式会社