一种膦硫基电子传输材料及其制备方法和应用的制作方法
【专利摘要】本发明属于有机半导体领域，其公开了一种膦硫基电子传输材料及其制备方法和应用；该主体材料的结构式如下：式中，R为C1～C20的烷基。本发明的膦硫基电子传输材料中，四面体结构的二苯膦硫基团含有吸电子P=S，是一个较好的电子传输单元；硅芴是一种超高能系材料；因此该材料电子迁移率较高、热稳定性较好，作为电子传输层用于有机电致发光器件中能提高发光效率。
【专利说明】一种滕硫基电子传输材料及其制备方法和应用
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机半导体材料领域，尤其涉及一种膦硫基电子传输材料及其制备方 法和应用。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件有轻、薄、自发光、低消耗功率、不需要光源、无视角限制、高反 应速率及可制作在软性基板等优良特性，已被视为平面显示器和软性显示器的明日之星。 传统的电子传输材料的载流子迁移率是空穴传输材料的千分之一，且热稳定性不佳，因此， 常导致发光效率不佳或是元件寿命不长等问题，根据相关文献表示，电子传输材料所占电 荷消耗比率达35. 9%，是仅次于发光层的消耗（39. 8%)，因此现今开发高载流子的电子传输 材料是现今OLED才材料开发的重点。
[0003] Alq3因具有好的成膜性，因此，是目前常用的电子传输材料的主发光体，不过陆续 有一些载流子迁移率和T g高于Alq3的材料出现，如金属（Be，Al, Zn)络合物、1，2, 4-膦硫 (TAZ)的衍生物、含氟化合物和含硅化合物等，然而，这些已知的材料载流子迁移率仍不佳， 且有着热稳定性不佳或运用在器件上产生电流密度低等问题，因此，开发新的电子传输材 料是一个很重要的课题。
【发明内容】
[0004] 基于上述问题，本发明所要解决的问题在于提供一种电子迁移率高的膦硫基电子 传输材料。
[0005] 本发明的技术方案如下：
[0006] 本发明提供的一种膦硫基电子传输材料，其结构式如下：
[0007]
【权利要求】
1. 一种膦硫基电子传输材料，其特征在于，其结构式如下：
式中，R为Ci?C2(I的烷基。
2. -种膦硫基电子传输材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 分别提供如下结构式表示的化合物A和B，
在无氧环境下，将摩尔比为1:2?2. 4的化合物A和B添加入含有催化剂和碱溶液的 有机溶剂中溶解，于70?130°C下进行Suzuki耦合反应12?96小时，降温后停止聚合反 应，分离提纯反应液，得到如下结构式的所述膦硫基电子传输材料：
式中，R为Q?C2(I的烷基。
3. 根据权利要求2所述的膦硫基电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述催化剂 为双三苯基膦二氯化钯，四三苯基膦钯；所述催化剂与所述化合物A的摩尔比为1:20? 1:100。
4. 根据权利要求2所述的膦硫基电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述催化剂 为摩尔比为1:4?8的醋酸钮1与三邻甲苯基膦混合物,或者摩尔比为1:4?8的三二氦节 基丙酮二钯与2-双环己基膦-2'，6' -二甲氧基联苯混合物；所述催化剂与所述化合物A 的摩尔比为1:20?1:100。
5. 根据权利要求2所述的膦硫基电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述碱溶液 为碳酸钠溶液、碳酸钾溶液及碳酸氢钠溶液中的至少一种；所述碱溶液中，碱溶质与化合物 A的摩尔比为20:1。
6. 根据权利要求2所述的膦硫基电子传输材料的制备方法，其特征在于，所述有机溶 剂选自甲苯、N，N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃中的至少一种。
7. 根据权利要求2所述的膦硫基电子传输材料的制备方法，其特征在于，Suzuki f禹合 反应温度为90?120°C下、反应时间为24?36小时。
8. 根据权利要求2所述的膦硫基电子传输材料的制备方法，其特征在于，分离提纯反 应液包括步骤： 反应停止后，向反应液中加入甲醇沉析，通过索氏提取器过滤之后依次用甲醇和正己 烷抽提，然后以氯仿为溶剂抽提至无色，收集氯仿溶液并旋干得到粉末，收集后的粉末再在 真空下50°C干燥24h后，得到所述膦硫基电子传输材料。
9. 一种如权利要求1所述的膦硫基电子传输材料在有机电致发光器件领域中的应用。
【文档编号】C07F9/6596GK104292268SQ201310305820
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2013年7月19日 优先权日:2013年7月19日
【发明者】周明杰, 张振华, 王平, 张娟娟 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司