一种新型液晶发光材料及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种新型液晶发光材料及其制备方法。该材料采用两步法合成，是一种良好的液晶材料。此外，本发明所得的材料升温熔融后，快速降温制备的薄膜发黄色光，慢速降温制备的薄膜发绿色光，且该材料的发光性质可逆。基于此性质，该材料在现代显示及光电器件方面具有广阔的应用前景。
【专利说明】一种新型液晶发光材料及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种新型液晶发光材料及其制备方法，属于液晶材料制备领域。
【背景技术】
[0002]近年来，液晶材料由于其良好的光电效应，广泛用于需低压、轻薄的显示器件上，成为科学研究的热点。目前显示器件中使用液晶材料的主要有TN类液晶材料，、STN类液晶材料、TFT类液晶材料。TN类液晶材料主要是联苯类和脂类有机液晶化合物；STN类液晶材料主要是二苯乙炔类、连氮类、烯类和烷类有机液晶化合物；TFT类液晶材料主要是含氟及卤素类有机液晶化合物。而在液晶显示器件中除需液晶材料外，还需要发光材料作为背光源，因此，设计、发明一种兼容发光性质的液晶材料及制备工艺是目前急需解决的技术问题。而在上面所述的这些液晶材料中，能够兼容发光性质的液晶材料却很少，特别是能够调控发光波长的液晶材料更是甚少。因此，设计、发明一种兼容可调发光波长的液晶材料更是急需解决的技术难关。
【发明内容】
[0003]本发明旨在提供一种兼容可调发光波长的液晶材料及其制备方法，所要解决的技术问题是使该液晶发光材料的制备简单、易做，加工工艺简洁、高效。
[0004]本发明以对羟基苯甲醛和卤代烷为初始原料合成了中间体，再将该中间体与
I,4-苯二乙臆反应制得目标广物。该广物在65_210°C时呈现液晶态,是一种良好的新型液晶材料。该液晶材料在升温熔融后，快速降温制得的薄膜在365nm的紫外灯下发黄光，慢速降温制得的薄膜在相同条件下发绿光，且该材料的发光性质可逆。本发明所提供的材料由于良好的液晶性和发光性，在`现代显示及光电器件中具有广阔的应用前景。
[0005]本发明采用的技术方案为:
[0006]本发明所提供的新型液晶发光材料具有以下的结构通式:
[0007]
【权利要求】
1.一种新型液晶发光材料，其特征在于，所述液晶发光材料的结构通式如下所示:
2.一种如权利要求1所述的新型液晶发光材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤: (1)中间体的制备 将对羟基苯甲醛与弱碱以1: (1-3)的摩尔比加入到溶剂中，再将卤代烷以与对羟基苯甲醛相同摩尔量的比例投入到反应器中，加热回流10-24小时，用饱和食盐水洗涤后用无水硫酸镁或无水硫酸钠干燥，过滤后减压蒸馏除去溶剂后得到产物； (2)液晶发光材料的制备 将1，4-苯二乙腈与碱以I:(1-3)的摩尔比加入到溶剂中，回流反应0.5-1小时后，将上一步制备的中间体以与1，4_苯二乙腈2:1的摩尔比投入到反应液中，加热反应2-5小时，用饱和食盐水洗涤后用无水硫酸镁或无水硫酸钠干燥，过滤后减压蒸馏除去溶剂后得到产物。
3.根据权利要求2所述的新型液晶发光材料的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自乙醇、丙醇、四氢呋喃、氯仿、甲苯、正戊烷其中的一种。
4.根据权利要求2所述的新型液晶发光材料的制备方法，其特征在于，所述对羟基苯甲醛的结构式为:
5.根据权利要求2所述的新型液晶发光材料的制备方法，其特征在于，所述卤代烷结构式为:XR，式中X为CL，Br, I ；R为C8-C16烷基。
6.根据权利要求2所述的新型液晶发光材料的制备方法，其特征在于，所述弱碱选自碳酸钾、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸氢钾其中的一种。
7.根据权利要求2所述的新型液晶发光材料的制备方法，其特征在于，所述中间体的结构式为:
8.根据权利要求2所述的新型液晶发光材料的制备方法，其特征在于，所述1，4_苯二乙腈的结构式为:
9.根据权利要求2所述的新型液晶发光材料的制备方法，其特征在于，所述碱选自氢氧化钠、氢氧化钾、氢化钠、氢化钾其中的一种。
10.根据权利要求1所述的新型液晶发光材料，其特征在于，所述液晶发光材料的液晶相出现在65-210°C温度范围内。
11.根据权利要求1所述的新型液晶发光材料，其特征在于，所述液晶发光材料在升温熔融后，快速降温所制备的薄膜在365nm紫外灯照射下发黄色光；控制以低于10°C /min的慢速降温制得的薄膜在365nm的紫外灯照射下发出绿色光，且这两种降温方式制得的固体薄膜发光性质稳定。
12.根据权利要求11所述的新型液晶发光材料，其特征在于，所述两种降温方式制备的发光薄膜再次升温熔融后可利用降温速率调控薄膜发光性质，从而实现可逆转换。
【文档编号】C07C255/37GK103641742SQ201310566376
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年11月14日 优先权日:2013年11月14日
【发明者】陆红波, 张姗娜, 杨家祥, 吕国强, 邱龙臻, 张贵玉, 许伟 申请人:合肥工业大学