光致酸生成剂、光刻胶、涂覆的基材以及形成电子器件的方法
【专利摘要】一种具有通式(1)的光致酸生成剂化合物：其中，n是0或1；以及R1-R6各自独立地是氢、卤素、未取代或取代的C1-20直链或支链烷基、C1-20环烷基、C6-20芳基、C3-20杂芳基或具有以下结构的酸生成基团：其中L是未取代或取代的C1-50二价基团；Z-是单价阴离子基团；M+是碘鎓离子或锍阳离子。成对的R基团可与它们所相连的碳结合以形成环，只要形成的这种环不超过两个即可。R1-R6中的至少一个包括酸生成基团，或者两个成对的R基团结合形成酸生成基团。本发明还描述了包含所述光致酸生成剂化合物的光刻胶组合物、包含所述光刻胶组合物的层的涂覆的基材，以及使用所述光刻胶组合物的层形成电子器件的方法。
【专利说明】光致酸生成剂、光刻胶、涂覆的基材w及形成电子器件的方 法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及光致酸生成剂及其在光刻胶组合物中的用途。
【背景技术】
[0002] 为了形成越来越小的逻辑和存储晶体管，人们发展了先进的光刻技术，例如193 纳米浸没光刻法来实现微光刻工艺中的高质量和较小的特征尺寸。在微光刻工艺中使用 的成像的光刻胶中实现较小的临界尺寸（CD)，并且使得所述光刻胶提供最低线条边缘粗趟 度（LER)和线条宽度粗趟度（LWR)，同时仍然具有良好的工艺控制容差，例如高曝光宽容度 巧L)和宽焦深值0巧是重要的。低掩模误差因子（ME巧也很重要，所述掩模误差因子被定 义为溶解的抗蚀剂图案上的临界尺寸（CD)变化与掩模图案上尺寸变化之比。
[0003] 为了满足由高分辨率光刻法而引起的对于光刻胶材料的要求，人们制造了可溶于 水性显影剂并具有低吸光度的光致酸生成剂（PAG)。各种用于配制光刻胶的光致酸生成剂 (PAG)是已知的。但是，仍然需要能够使光刻胶组合物具有一种或多种W下特性的PAG;增 加的曝光宽容度、降低的掩模误差因子和降低的线条宽度粗趟度。
【发明内容】
[0004] 一种实施方式是具有通式（1)的光致酸生成剂化合物：
[0005]
【权利要求】
1. 一种具有通式（1)的光致酸生成剂化合物：
其中 n是0或1拟及 Ri、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地是氨、团素、未取代或取代的。_2。直链或支链焼基、未 取代或取代的Ci_2。环焼基、未取代或取代的Ce_2。芳基、未取代或取代的C3_2。杂芳基或具有 W下结构的单价基团：
其中L是未取代或取代的Cw。二价基团；Z-是选自下组的单价阴离子基团；駿酸根、硫 酸根、賴酸根、氨基賴酸根、賴醜胺根W及賴醜亚胺根;M+是选自二取代的楓鐵离子和H取 代的楓鐵离子的阳离子；其中 Ri和R2可结合起来形成环和/或 R3和R4可结合起来形成环和/或 R5和R6可结合起来形成环， 前提是由Ri、R2、R3、R4、R5和R 6总共形成不超过两个环，并且 前提是Ri、R2、R3、R4、R5和R 6中的一个具有W下结构
或者 Ri和R2结合起来形成W下结构：
或者 R3和R4结合起来形成W下结构： 或者 J R5和R6结合起来形成W下结构：
2. 如权利要求1所述的光致酸生成剂化合物，所述光致酸生成剂化合物具有通式 (2a):
其中 R3或R4是
或者 R3和R4结合起来形成W下结构： .W及 1 Ri、R2、L和r女时又利要求1所定义。
3. 如权利要求2所述的光致酸生成剂化合物，其中L是具有通式（3)的取代的Cw。二 价基团。：
其中 m是0或1 ; Y是未取代或取代的。_2。亚焼基； 胖1是未取代或取代的二价Cg_2。脂环族基团； X是未取代或取代的Ci_2ci亚焼基；W及 R7和R8各自独立地是氣、或部分氣化的焼基、或全氣化的焼基。
4. 如权利要求1所述的光致酸生成剂化合物，所述光致酸生成剂化合物具有通式 (2b)：
其中 Ri或R2是
或者 Ri和R2结合起来形成W下结构：
.w及 R3、R4、L和r如权利要求1所定义。
5. 如权利要求4所述的光致酸生成剂化合物，其特征在于， R2和R3是氨； R4具有W下结构：
其中，m是0或1，Y是未取代或取代的。_2。亚焼基，W2是未取代或取代的单价Cg_2。脂 环族基团；W及 L是具有W下结构的取代的Ci_w二价基团L2 :
其中 X是未取代或取代的。_2。亚焼基；W及 R7和R8各自独立地是氣、或部分氣化的焼基、或全氣化的焼基。
6. 如权利要求1所述的光致酸生成剂化合物，其包括：
或其组合，其中r如权利要求1所定义。
7. -种光刻胶组合物，其包含： 酸敏感性聚合物；W及 如权利要求1-6中任一项所述的光致酸生成剂化合物。
8. -种涂覆的基材，其包括： (a)基材，在该基材的表面上具有将被图案化的一个层或多个层；W及
(b)如权利要求7所述的光刻胶组合物的层，其位于所述将被图案化的一个层或多个 层之上。
9. 一种形成电子器件的方法，其包括： (a)在基材上施加如权利要求7所述的光刻胶组合物的层； 化）W图案化方式将所述光刻胶组合物层对活化福射曝光；W及 (C)对经曝光的光刻胶组合物层进行显影，W提供光刻胶浮雕图像。
10. 如权利要求9的方法，其特征在于，所述活化福照是远紫外巧UV)或电子束福射。
【文档编号】C07D407/12GK104423151SQ201410431486
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年8月28日 优先权日:2013年8月28日
【发明者】I·考尔, E·阿恰达, 刘骢, C·B·徐 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司