专利名称：吩噁嗪系高分子化合物和使用其的发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及吩噁嗪系高分子化合物和使用其的发光元件。
背景技术：
主链骨架中包含具有作为取代基的烷基的吩噁嗪二基的高分子化合物由于在溶 剂中可溶而可以利用涂布法形成发光元件中的有机层，因此作为发光材料一直被研究(日 本特开2004-137456号公报)。
发明内容
然而，上述高分子化合物的色纯度未必充分。本发明的目的在于提供色纯度优良的高分子化合物。本发明的第一方面，提供含下述式(0)所表示的化合物的残基的高分子化合物。
权利要求
1.一种含有下述式(0)所表示的化合物的残基的高分子化合物，
2.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，所述式(0)所表示的化合物为下述式 (0-1)所表示的化合物，
3.根据权利要求2所述的高分子化合物，其中，所述式(0-1)所表示的化合物为下述式 (1)所表示的化合物，
4.根据权利要求3所述的高分子化合物，其中，所述式(I)所表示的化合物的残基是下 述式( 所表示的2价基团，
5.根据权利要求4所述的高分子化合物，其中，所述式( 所表示的2价基团为重复单兀。
6.根据权利要求3 5中的任一项所述的高分子化合物，其中，所述A1S-C(Ra)=， 且所述R1为芳基。
7.根据权利要求1 6中的任一项所述的高分子化合物，其还含有下述式C3)所表示 的重复单元，
8.根据权利要求7所述的高分子化合物，其中，所述式C3)所表示的重复单元为下述式(4)所表示的重复单元，
9.根据权利要求8所述的高分子化合物，其中，所述式(4)所表示的重复单元为下述式(5)所表示的重复单元，
10.根据权利要求9所述的高分子化合物，其中，所述R5为烷基。
11.根据权利要求9所述的高分子化合物，其中，所述R5为芳基。
12.根据权利要求1 11中的任一项所述的高分子化合物，其中，还含有下述式(6)所 表示的重复单元，
13. 一种下述式(9-0)所表示的化合物，
14.根据权利要求13所述的化合物，其中所述式(9-0)所表示的化合物为下述式(9) 所表示的化合物，
15.根据权利要求14所述的化合物，其中，所述式(9)所表示的化合物为下述式(10) 所表示的化合物，
16.根据权利要求13所述的化合物，其中，所述式(9-0)所表示的化合物为下述式 (10-0)所表示的化合物，
17. 一种含有下述式(0’)所表示的重复单元的高分子化合物的制造方法，其包括在过 渡金属催化剂的存在下，将下述式(10-0)所表示的化合物进行聚合的工序，
18. 一种含有下述式0’)所表示的重复单元的高分子化合物的制造方法，其包括在过 渡金属催化剂的存在下，将下述式(10)所表示的化合物聚合的工序，
19. 一种下述式(11)所表示的化合物，
20. 一种下述式(1 所表示的化合物，
21.一种含有权利要求1 12中的任一项所述的高分子化合物的组合物。
22.—种含有权利要求1 12中的任一项所述的高分子化合物的薄膜。
23.一种具有权利要求22所述的薄膜的有机晶体管。
24.一种发光元件，其具备包含阳极和阴极的电极、以及在该电极间设置的含有权利要 求1 12中的任一项所述的高分子化合物的层。
25.一种使用了权利要求M所述的发光元件的面状光源。
26.一种使用了权利要求M所述的发光元件的显示装置。
全文摘要
本发明涉及吩噁嗪系高分子化合物和使用其的发光元件，提供一种含有下述式(0)所表示的化合物的残基的高分子化合物，式中，Ar0表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基等取代基或下述式(A)所表示的基团，Ar0的至少2个为下述式(A)所表示的基团，R0表示烷基、烷氧基、芳基等取代基，l和m表示0～3的整数，式中，A0表示-N＝或-C(R2)＝，R2表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基等取代基。
文档编号C08G61/12GK102131843SQ200980133479
公开日2011年7月20日 申请日期2009年6月26日 优先权日2008年6月30日
发明者小林谕 申请人:住友化学株式会社, 萨美甚株式会社