专利名称：半导体装置的制法的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种成型性及固化性、以及高温高湿可靠性优异的半导体装置的制法。
背景技术：
历来，对于晶体管和IC、LSI等半导体元件，从保护其免受外部环境损害以及可实现半导体元件的处理(handling)这样的观点考虑，进行塑料封装，例如，使用环氧树脂组合物进行树脂密封而半导体装置化。就上述环氧树脂组合物而言，为了加快在成型时的树脂的固化反应，一般配合固化促进剂。作为上述固化促进剂，例如使用有胺类，咪唑系化合物、1，8_ 二氮杂双环 [5. 4. 0]十一碳-7-烯等那样的含氮杂环式化合物，膦系化合物，季铵化合物，鳞化合物，紳 (arsonium)化合物等。含有这些固化促进剂的环氧树脂组合物，通常按照如下方式进行配合设计在成型时的高温条件下快速发生反应并在短时间内结束固化。由此，存在有在成型时在上述环氧树脂组合物完全地填充于成型模具之前引发固化反应的情况，在这样的状况下，招致树脂粘度的上升、流动性的降低，存在有发生如下现象的情况连接半导体元件与引线框等外部端子的焊丝的变形或、邻接的焊丝彼此间的接触、或者焊丝的切断这样的不良现象，以及树脂的未填充这样的不良现象，成型性上的严重的不良现象。作为避免这样的不良现象的方法，例如提出有使用微囊型固化促进剂来延迟固化反应的引发的方法(参照专利文献1)。然而，在上述那样的方法中存在有如下这样的问题因固化反应的进行变迟缓而导致的生产率的大幅降低、或固化物自身的硬度以及强度变得不充分。鉴于这种情况，作为考虑上述那样的固化性的问题、进一步避免成型性的不良现象的方法，提出有将咪唑系化合物用作固化促进剂来获得良好的固化性以及流动性的方法(参照专利文献2)。另一方面，作为半导体用密封树脂的另一重要的要求特性，可列举出高温高湿可靠性。即，在高温或者高湿下，环氧树脂中所含的氯离子等离子性杂质变得易于移动，因此使半导体元件上的铝布线的腐蚀容易进行，以往的半导体密封用环氧树脂组合物在高温高湿可靠性方面存在有困难点。导致上述高温高湿可靠性不良的环氧树脂中所含的氯离子等离子性杂质，起因于环氧树脂的制造工序中的、由表卤代醇导致的酚的缩水甘油醚化。以往的甲酚酚醛清漆型环氧树脂在溶剂中的溶解性高，因而可水洗，可获得更低氯的(高纯度的)环氧树脂，但是作为配合成分之一的为实现无机质填充剂的高填充化而使用的低粘度结晶性环氧树脂在溶剂中的溶解性低，因此难以获得高纯度的环氧树脂(参照专利文献 3)。鉴于这种情况，为了捕捉导致高温高湿可靠性不良的半导体密封用环氧树脂组合物中所含的离子性杂质，提出有几种使用含有Bi系无机化合物的离子捕获剂、水滑石类化合物来捕捉阴离子性杂质的方法(参照专利文献4 6)。然而，即使使用这些方法，也难以获得令人充分满足的高温高湿可靠性的提高效果，另外环氧树脂组合物粘度变高因而流动性降低，其结果，产生了对成型性造成不良影响这样的问题。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开平10-168164号公报专利文献2 日本特开2005-16^43号公报专利文献3 日本特开平2-187420号公报专利文献4 日本特开平11-M0937号公报专利文献5 日本特开平9-157497号公报专利文献6 日本特开平9-169830号公报
发明内容
发明要解决的课题本发明鉴于这样的情形而开发，其目的在于提供一种不降低成型性及固化性、并且高温高湿可靠性优异的半导体装置的制法。用于解决问题的方案为了实现上述目的，本发明的半导体装置的制法采用如下这样的方案一种使用含有下述的(A) (D)成分的半导体密封用环氧树脂组合物对半导体元件进行树脂密封从而制造半导体装置的方法，其中，在树脂密封之后施加加热处理工序，此加热处理在下述 (χ)所示的条件下进行。(A)下述的通式⑴所示的环氧树脂。[化学式1]
权利要求
1.一种半导体装置的制法，其特征在于，其为使用含有下述的(A) (D)成分的半导体密封用环氧树脂组合物对半导体元件进行树脂密封从而制造半导体装置的方法，在树脂密封之后施加加热处理工序，此加热处理在下述(χ)所示的条件下进行，(A)下述的通式(1)所示的环氧树脂，[化学式1]
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制法，其中，作为上述(C)成分的胺系固化促进剂的含量相对于作为(B)成分的酚醛树脂100重量份为1 20重量份。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置的制法，其中，作为上述(C)成分的胺系固化促进剂为下述的通式(2)所示的咪唑化合物，[化学式2]
全文摘要
提供半导体装置的制法，其为不会降低成型性及固化性、高温高湿可靠性优异的半导体装置的制法，使用含下述(A)～(D)成分的半导体密封用环氧树脂组合物对半导体元件树脂密封，在树脂密封后施加加热处理工序，此加热处理在下述(x)所示条件下进行。(A)下述通式(1)所示的环氧树脂。上述式(1)中，X为单键、-CH2-、-S-或-O-，R1～R4为-H或-CH3且相互可相同也可不同，(B)酚醛树脂。(C)胺系固化促进剂。(D)无机质填充剂。(x)由热处理时间(t分钟)与热处理温度(T℃)的关系满足t≥3.3×10-5exp(2871/T)的区域构成的热处理条件，其中，185℃≤热处理温度T℃≤300℃。
文档编号C08G59/24GK102468192SQ20111034862
公开日2012年5月23日 申请日期2011年11月7日 优先权日2010年11月10日
发明者保手滨洋幸, 岩重朝仁, 市川智昭, 杉本直哉, 秋月伸也, 襖田光昭 申请人:日东电工株式会社