专利名称：薄膜晶体管的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种薄膜晶体管，且特别是有关于一种有机薄膜晶体管。
背景技术：
近来环保意识抬头，具有低消耗功率、空间利用效率佳、无辐射、高画质等优越特性的平面显示面板(flat display panels)已成为市场主流。常见的平面显示器包括液晶显示器(liquid crystal displays)、等离子显示器(plasma displays)、有机发光二极管(OLED)显不器以及电泳显不器(electro-phoretic displays)等。在维持高画质、高性能的条件下，借由改变薄膜晶体管内的半导体层的特性，以改良薄膜晶体管的电荷迁移率，进一步提升显示器的画质与性能是相当重要的议题。一般来
说，驱动电路中的薄膜晶体管的半导体层可用小分子材料或高分子材料来制作。小分子材料具有好的结晶性，在电性上的表现较佳。然而，小分子材料的缺点是均勻性(uniformity)不佳。另外，高分子材料则适合各种不同的制程条件，其电性均匀性的表现也相当好。然而，高分子材料的缺点是其电荷迁移率较低。因此，开发具有电性佳、均匀性佳且高电荷迁移率等特性的材料实为目前此领域的研发人员亟欲发展的目标。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管，其具有较佳的组件特性。本发明提出一种薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极以及有机半导体层。有机半导体材料位于栅极与源极之间以与栅极与漏极之间，其中有机半导体层包含具有式I至式5所示的化学式其中之一的有机半导体材料
权利要求
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括 一栅极、一源极以及一漏极；以及 一有机半导体层，位于该栅极与该源极之间以及该栅极与该漏极之间，其中该有机半导体层包含具有式I至式5所示的化学式其中之一的有机半导体材料
2.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，R1以及R2包括
3.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，该有机半导体材料包括
4.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，该有机半导体材料包括
5.—种薄膜晶体管，其特征在于，包括 一栅极、一源极以及一漏极；以及 一有机半导体层，位于该栅极以及该源极之间以及该栅极与该漏极之间，其中该有机半导体层包含具有式6至式10所示的化学式其中之一的有机半导体材料
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，R1以及R2包括
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，该有机半导体材料包括
8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，该有机半导体材料包括
9.一种有机半导体材料，其特征在于，具有式I至式5所示的化学式其中之一
10.根据权利要求9所述的有机半导体材料，其特征在于，R1以及R2包括
11.根据权利要求9所述的有机半导体材料，其特征在于，包括
12.根据权利要求9所述的有机半导体材料，其特征在于，包括
13.—种有机半导体材料，其特征在于，具有式6至式10所示的化学式其中之一
14.根据权利要求13所述的有机半导体材料，其特征在于，R1以及R2包括 〈― 。
15.根据权利要求13所述的有机半导体材料，其特征在于，包括
16.根据权利要求13所述的有机半导体材料，其特征在于，包括
全文摘要
一种薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极以及有机半导体层。有机半导体层位于栅极与源极之间以与栅极与漏极之间，其中有机半导体层包含具有式1至式5所示的化学式其中之一的有机半导体材料式1式2式3式4式5其中X为C、Si或Ge；Y为C、Si或Ge；R1以及R2各自为具有3～22个碳的直链烷基、具有3～22个碳的侧链烷基或
文档编号C08G61/12GK102820429SQ201210273588
公开日2012年12月12日 申请日期2012年8月2日 优先权日2012年4月26日
发明者许千树, 郑彦如, 吴忠宪, 陈勇龙, 林岱彦, 廖唯伦, 萧祥志, 刘景洋 申请人:友达光电股份有限公司