负型感光性树脂组合物的制作方法

本发明涉及一种负型感光性树脂组合物。

背景技术：

1、近年来，在集成电路元件、有机el元件等电子部件中，设置了各种树脂膜作为：用于防止部件自身的劣化、损伤的保护膜；用于使元件表面、配线平坦化的平坦化膜；用于保持电绝缘性的电绝缘膜；分离发光部的像素分离膜；使光聚集、扩散的光学膜等。

2、一直以来，作为能够形成上述那样的树脂膜的感光性树脂组合物，例如，在专利文献1中提出了包含在侧链具有聚合性双键的官能团的环状烯烃系树脂和聚合产生剂的树脂组合物。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2006-156821号公报。

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在此，感光性树脂组合物要求显影的图案形成性优异。此外，使用感光性树脂组合物得到的树脂膜，要求介电损耗角正切等电特性、耐化学品性、拉伸性等特性优异。

3、但是，如专利文献1中记载的以往的感光性树脂组合物在提高显影的图案形成性的同时，在降低得到的树脂膜的介电损耗角正切、进而提高耐化学品性和拉伸性的方面上仍有改善的余地。

4、因此，本发明的目的在于提供一种能够提高显影的图案形成性、并且能够降低得到的树脂膜的介电损耗角正切、进而能够提高耐化学品性和拉伸性的负型感光性树脂组合物。

5、用于解决问题的方案

6、本发明人为了实现上述目的进行了深入研究。然后，本发明人发现，通过使用包含含有规定的结构单元的聚合物和光自由基产生剂的树脂组合物作为负型感光性树脂组合物，能够提高显影的图案形成性。此外发现，通过使用该树脂组合物形成树脂膜，能够降低得到的树脂膜的介电损耗角正切，并且能够提高耐化学品性和拉伸性。然后，基于这些见解完成了本发明。

7、即，本发明以有利地解决上述问题为目的，本发明的负型感光性树脂组合物的特征在于包含聚合物和光自由基产生剂，上述聚合物包含下述式(i)表示的结构单元(i)和下述式(ii)表示的结构单元(ii)。

8、[化学式1]

9、

10、式(i)中，r1～r3分别独立地表示氢原子、烷基或芳香环基，r1～r3也能够结合形成环，r4表示氢原子或烷基，x表示碳原子数为1～10的亚烷基，m表示0、1或2。

11、式(ii)中，r5～r8分别独立地表示氢原子、烷基或芳香环基，r5～r8也能够结合形成环，n表示0、1或2。

12、像这样，根据包含含有结构单元(i)及结构单元(ii)的聚合物和光自由基产生剂的负型感光性树脂组合物，能够提高显影的图案形成性。此外，还能够降低得到的树脂膜的介电损耗角正切，并且能够提高树脂膜的耐化学品性和拉伸性。

13、在此，本发明的负型感光性树脂组合物优选上述光自由基产生剂为酰基氧化膦系或肟酯系光自由基产生剂。如果使用酰基氧化膦系或肟酯系光自由基产生剂作为光自由基产生剂，则能够进一步提高显影的图案形成性，并且能够进一步降低得到的树脂膜的介电损耗角正切。

14、此外，本发明的负型感光性树脂组合物优选上述光自由基产生剂的含量相对于100质量份的上述聚合物为大于0.5质量份且25质量份以下。如果光自由基产生剂的含量为上述下限以上，则能够使上述式(i)的结构单元所具有的官能团的交联反应充分进行，因此能够使显影的图案形成性更加优异。此外，如果光自由基产生剂的含量为上述上限以下，则能够进一步降低得到的树脂膜的介电损耗角正切。

15、进而，本发明的负型感光性树脂组合物优选上述聚合物中的上述结构单元(i)的含有比例为3摩尔％以上且70摩尔％以下。如果聚合物中的结构单元(i)的含有比例在上述范围内，则得到的树脂膜的拉伸性变得优异。而且，如果聚合物中的结构单元(i)的含有比例为上述下限以上，则能够提高树脂膜的耐化学品性，如果为上述上限以下，则能够抑制树脂膜的介电损耗角正切的上升。

16、另外，在本发明中，“结构单元的含有比例”能够使用1h-nmr、13c-nmr等核磁共振(nmr)法进行测定。

17、发明效果

18、根据本发明，可提供一种能够提高显影的图案形成性、并且能够降低得到的树脂膜的介电损耗角正切、并且能够提高耐化学品性和拉伸性的负型感光性树脂组合物。

技术特征：

1.一种负型感光性树脂组合物，其包含聚合物和光自由基产生剂，

2.根据权利要求1所述的负型感光性树脂组合物，其中，所述光自由基产生剂为酰基氧化膦系或肟酯系光自由基产生剂。

3.根据权利要求1或2所述的负型感光性树脂组合物，其中，所述光自由基产生剂的含量相对于100质量份的所述聚合物为大于0.5质量份且25质量份以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的负型感光性树脂组合物，其中，所述聚合物中的所述结构单元(i)的含有比例为3摩尔％以上且70摩尔％以下。

技术总结
本发明提供一种负型感光性树脂组合物。负型感光性树脂组合物包含聚合物和光自由基产生剂，聚合物包含下述式(I)表示的结构单元(I)和下述式(II)表示的结构单元(II)。式(I)中，R1～R3分别独立地表示氢原子、烷基或芳香环基，R1～R3也能够结合形成环，R4表示氢原子或烷基，X表示碳原子数为1～10的亚烷基，m表示0、1或2。式(II)中，R5～R8分别独立地表示氢原子、烷基或芳香环基，R5～R8也能够结合形成环，n表示0、1或2。

技术研发人员：堤隆志
受保护的技术使用者：日本瑞翁株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12