一种基于单体分散工艺合成聚苯并咪唑的方法与流程

文档序号:33723200发布日期:2023-04-05 23:21阅读:116来源:国知局
一种基于单体分散工艺合成聚苯并咪唑的方法与流程

本发明涉及一种基于单体分散工艺合成聚苯并咪唑的方法,属于树脂合成。


背景技术:

1、聚苯并咪唑(pbi)是一种重复单元为苯并咪唑的全芳香性杂环聚合物,具有优良的机械稳定性和化学稳定性,而且咪唑的两性性质使其能够结合酸和碱,从而拥有质子传导和氢氧根离子传导的性质,使其能够广泛应用于燃料电池,液流电池,水处理,气体分离等新兴领域。

2、pbi是由联苯四氨及二酸单体脱水缩合而成,合成方法分为熔融聚合和溶液聚合两类,在溶液聚合中最常用的溶剂为多聚磷酸(ppa),ppa既是溶剂,也是脱水剂和催化剂。在实际合成过程中,由于二酸单体以及pbi低聚物在ppa中的溶解性较差,所以整个合成反应过程中反应液体系呈现边反应边溶解的状态。二酸单体较差的溶解性以及ppa溶剂的高粘度特性,使得单体在反应液中很难分散且容易团聚,造成反应难以控制,批次稳定性难以保证,分子量及分子量分布也难以控制。


技术实现思路

1、本发明的目的是:针对现有技术所存在的问题及缺陷,通过对单体进行溶解或分散处理工艺,改善单体在多聚磷酸中的分散问题,防止团聚,提高pbi的分子量,降低分子量分布。

2、为了实现上述目的,本发明提供了一种基于单体分散工艺合成聚苯并咪唑的方法,包括:首先将联苯四胺加入到多聚磷酸中加热并搅拌溶解,将芳香二酸单体溶解于有机溶剂中,并通过滴加的方式滴加于反应液中,并通入惰性气体进行吹扫使有机溶剂挥发不参与聚合反应,待滴加完毕和溶剂挥发后,提高反应温度进行反应,反应结束后经过后处理得到聚苯并咪唑聚合物。

3、优选地,所述的芳香二酸单体为间苯二甲酸,对苯二甲酸,1’4-萘二甲酸,4,4’-二苯醚二甲酸,和5-磺酸基-间苯二甲酸中的至少一种。

4、优选地,所述有机溶剂为n,n-二甲基甲酰胺(dmf),二甲基亚砜(dmso),二甲基乙酰胺(dmac),和n-甲基吡咯烷酮(nmp)中的至少一种。

5、优选地,所述联苯四胺与芳香二酸的摩尔比为1:1;两种单体在多聚磷酸溶液中的固含量总和为3-10wt%;

6、优选地,所述芳香二酸在有机溶剂中的固含量为10-50wt%。

7、优选地,所述后处理包括:反应结束后趁热将反应液倒入去离子水中,收集丝状聚合物并经过洗涤和干燥,得到聚合物粉末。

8、与现有技术相比,本发明的有益效果在于:

9、(1)本发明提供的聚苯并咪唑的合成方法基于单体分散工艺,能够在反应前期将单体完全分散于反应体系,避免了传统的一锅法加入单体的方式造成的单体团聚,反应不均匀的问题;

10、(2)本发明提供的合成工艺方法所制备的聚苯并咪唑具有较高的分子量且分子量分布窄,满足后期产品对机械强度、良品率的要求。



技术特征:

1.一种基于单体分散工艺合成聚苯并咪唑的方法,其特征在于,包括:首先将联苯四胺加入到多聚磷酸中加热并搅拌溶解,将芳香二酸单体溶解于有机溶剂中,并通过滴加的方式滴加于反应液中,并通入惰性气体进行吹扫使有机溶剂挥发不参与聚合反应,待滴加完毕和溶剂挥发后,提高反应温度进行反应,反应结束后经过后处理得到聚苯并咪唑聚合物。

2.如权利要求1所述的基于单体分散工艺合成聚苯并咪唑的方法,其特征在于,所述的芳香二酸单体为间苯二甲酸,对苯二甲酸,1’4-萘二甲酸,4,4’-二苯醚二甲酸,和5-磺酸基-间苯二甲酸中的至少一种。

3.如权利要求1所述的基于单体分散工艺合成聚苯并咪唑的方法,其特征在于,所述有机溶剂为n,n-二甲基甲酰胺,二甲基亚砜,二甲基乙酰胺,和n-甲基吡咯烷酮中的至少一种。

4.如权利要求1所述的基于单体分散工艺合成聚苯并咪唑的方法,其特征在于,所述联苯四胺与芳香二酸的摩尔比为1:1;两种单体在多聚磷酸溶液中的固含量总和为3-10wt%。

5.如权利要求1所述的基于单体分散工艺合成聚苯并咪唑的方法,其特征在于,所述芳香二酸在有机溶剂中的固含量为10-50wt%。

6.如权利要求1所述的基于单体分散工艺合成聚苯并咪唑的方法,其特征在于,所述后处理包括:反应结束后趁热将反应液倒入去离子水中,收集丝状聚合物并经过洗涤和干燥,得到聚合物粉末。


技术总结
本发明公开了一种基于单体分散工艺合成聚苯并咪唑的方法。本发明的合成方法包括:首先将联苯四胺加入到多聚磷酸中加热并搅拌溶解,将芳香二酸单体溶解于有机溶剂中,并通过滴加的方式滴加于反应液中,并通入惰性气体进行吹扫使有机溶剂挥发不参与聚合反应,待滴加完毕和溶剂挥发后,提高反应温度进行反应,反应结束后经过后处理得到聚苯并咪唑聚合物。本发明的方法能够改善单体在多聚磷酸中的分散性问题,防止团聚,提高所合成的PBI的分子量,降低分子量分布宽度。

技术研发人员:李南文,耿康
受保护的技术使用者:上海四羿科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/12
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