一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法与流程

本发明属于光伏，具体涉及一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法。

背景技术：

1、紫外线是在太阳光谱中，频率和能量是高于可见光线。其中，波段在400nm～320nm的紫外光a和波段在320nm～280nm的紫外光b长时间照射会灼伤皮肤，导致皮肤的加速老化。在户外电子显示屏上，高能量的紫外光线长时间照射会破坏显示屏膜材和内部电子元件的结构，加速其老化。因此，需要在显示屏的光学薄膜的表面增加uv吸收和光稳定助剂，从而提高光学薄膜的uv阻隔性能和对内部电子元件的保护。

2、在专利号zl2019107112513中公开了一种多层透明uv阻隔膜，该发明因为只添加的一种uv阻隔剂，故需要多层叠加uv阻隔剂，提高uv阻隔剂的加入量，才可以达到80～90％的uv光阻隔率。

3、在专利号zl2015106832330中公开了一种防污抗uv涂覆组合物、硬化膜及制备方法，该发明在涂覆组合物中加入纳米二氧化硅层2分散液和紫外吸收剂，使得由该涂覆组合物制成的硬化膜出具有常规硬化膜所具备的高硬度和光学性能外，还具有uv阻隔性能、疏水疏油的抗污性能以及优异耐划伤性能，但是该发明在涂布液中添加uv阻隔剂和光稳定剂，调整添加量来改变uv阻隔效果，由于涂布层功能较为单一，uv阻隔剂和光稳定剂的协同作用差，助剂的利用率较底，只能对360nm波段之前的uv光有很好的阻隔作用。

4、综合所述，现有技术中uv光阻隔率无法更好的解决波段在400nm～320nm的紫外光a和波段在320nm～280nm的紫外光b的长时间照射的问题，尤其是波段在380nm波段的紫外光的透过率较高。

5、因此，针对上述技术问题，有必要提供一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，以解决上述的问题。

2、为了实现上述目的，本发明一实施例提供的技术方案如下：

3、一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，包括下述步骤；

4、s1、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合制作uv吸收树脂层；

5、s2、使用涂布机在对基材4的低折面先涂布一层uv吸收树脂层，uv吸收树脂层厚度为1μm～5μm，基材的厚度优选为50μm、100μm、125μm或188μm，所述基材为聚苯二甲酸乙二醇酯；

6、s3、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合下制作光稳定树脂层；

7、s4、使用涂布机在uv吸收树脂层上，涂布一层光稳定树脂层，光稳定树脂层的厚度为200nm～1000nm；

8、s5、使用涂布机在基材的高折面先涂布一层折射率在1.60～1.65的树脂硬化层，树脂硬化层厚度为500nm～1000nm；

9、s6、通过磁控溅射真空镀膜设备，磁控溅射一层二氧化硅层，二氧化硅层厚度为5～20nm；

10、s7、通过磁控溅射真空镀膜设备，镀上氧化铟锡导电层，氧化铟锡导电层1厚度为15nm～50nm。

11、作为本发明的进一步改进，所述uv吸收树脂层的制作包括下述步骤；

12、s11、将丙烯酸类树脂加入到溶剂中，使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min，使其充分稀释；

13、s12、然后加入二氧化硅层粒子和分散剂，使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌40min，使其充分散均匀；

14、s13、在该上述混合液搅拌过程中，依次逐滴加入硅烷偶联剂、光引发剂和uv吸收剂；

15、s14、使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min，从而得到uv吸收树脂液；

16、s15、使用涂布辊将uv吸收树脂液均匀的涂布在基材上；

17、s16、通过烘箱去除溶剂，再通过uv固化，最后得到干厚在1μm～5μm的uv吸收树脂层。

18、作为本发明的进一步改进，所述光稳定树脂层的制作包括下述步骤；

19、s31、将丙烯酸类树脂加入到溶剂中，使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min，使其充分稀释；

20、s32、然后加入二氧化硅层粒子和分散剂，使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌40min，使其充分散均匀；

21、s33、在该上述混合液搅拌过程中，依次逐滴加入流平剂、光引发剂和受阻胺光稳定剂；

22、s34、使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min，从而得到光稳定树脂液；

23、s35、使用涂布辊将光稳定树脂液均匀的涂布在基材上，然后通过烘箱去除溶剂；

24、s36、再通过uv固化，最后得到干厚在200nm～1000nm的光稳定树脂层6。

25、作为本发明的进一步改进，所述uv吸收树脂层制作过程中的硅烷偶联剂为1～3份，所述uv吸收树脂层制作过程中的uv吸收剂为1～10份。

26、作为本发明的进一步改进，所述光稳定树脂层制作过程中的受阻胺光稳定剂为1～10份。

27、作为本发明的进一步改进，所述光稳定树脂层制作过程中的流平剂为1～5份。

28、作为本发明的进一步改进，所述uv吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中的丙烯酸类树脂为15～25份。

29、作为本发明的进一步改进，所述uv吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中光引发剂均为1～5份。

30、作为本发明的进一步改进，所述uv吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中二氧化硅层粒子均为5～10份。

31、作为本发明的进一步改进，所述uv吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中分散剂为1～5份。

32、与现有技术相比，本发明具有以下优点：

33、本发明实现高硬度的涂覆、透明导电薄膜材料耐磨性高，且附着力较高，同时实现了uv阻隔性能高，达到将380nm波段的uv光的透过率降低到2％以下。

技术特征：

1.一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，其特征在于，包括下述步骤；

2.根据权利要求1所述的一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，其特征在于，所述uv吸收树脂层的制作包括下述步骤；

3.根据权利要求1所述的一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，其特征在于，所述光稳定树脂层的制作包括下述步骤；

4.根据权利要求2所述的一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，其特征在于，所述uv吸收树脂层制作过程中的硅烷偶联剂为1～3份，所述uv吸收树脂层制作过程中的uv吸收剂为1～10份。

5.根据权利要求3所述的一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，其特征在于，所述光稳定树脂层制作过程中的受阻胺光稳定剂为1～10份。

6.根据权利要求3所述的一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，其特征在于，所述光稳定树脂层制作过程中的流平剂为1～5份。

7.根据权利要求1所述的一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，其特征在于，所述uv吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中的丙烯酸类树脂为15～25份。

8.根据权利要求1所述的一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，其特征在于，所述uv吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中光引发剂均为1～5份。

9.根据权利要求1所述的一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，其特征在于，所述uv吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中二氧化硅层粒子均为5～10份。

10.根据权利要求1所述的一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，其特征在于，所述uv吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中分散剂为1～5份。

技术总结
本发明揭示了一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法，属于光伏技术领域，包括下述步骤，S1、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合制作UV吸收树脂层，S2、使用涂布机在对基材的低折面先涂布一层UV吸收树脂层，UV吸收树脂层厚度为1μm～5μm，基材的厚度优选为50μm、100μm、125μm或188μm，所述基材为聚苯二甲酸乙二醇酯，S3、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合下制作光稳定树脂层，S4、使用涂布机在UV吸收树脂层上，涂布一层光稳定树脂层，光稳定树脂层的厚度为200nm～1000nm，S5、使用涂布机在基材的高折面先涂布一层折射率在1.60～1.65的树脂硬化层，树脂硬化层厚度为500nm～1000nm。本发明实现透明导电薄膜材料耐磨性高，同时实现了UV阻隔性能高，达到将380nm波段的UV光的透过率降低到2％以下。

技术研发人员：严俊,于佩强,汪金铭,胡业新,刘世琴
受保护的技术使用者：江苏日久光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12