高分子化合物、成型用组合物、薄膜和电容器的制作方法

本公开总体上涉及高分子化合物、成型用组合物、薄膜和电容器。更具体地，本公开涉及新型高分子化合物、含有该高分子化合物的成型用组合物、含有该高分子化合物的薄膜和包括含有该高分子化合物的电介质层的电容器。

背景技术：

1、专利文献1公开了一种薄膜电容器元件。该薄膜电容器元件被配置为其中至少作为聚脲甲醛膜的电介质膜层和金属蒸镀膜层彼此层叠的层压体。

2、专利文献2公开了一种层压膜。该层压膜包括依次彼此层叠的第一电极层、树脂基材(base member)、第二电极层和电介质层。该电介质层包含偏二氟乙烯和四氟乙烯的共聚物。

3、引用清单

4、专利文献

5、专利文献1：jp 2016-8323a

6、专利文献2：wo 2014/080832 a1

技术实现思路

1、本公开所解决的问题是提供具有高介电常数的高分子化合物、含有该高分子化合物的成型用组合物、含有该高分子化合物的薄膜和包括含有该高分子化合物的电介质层的电容器。

2、根据本公开的一个方面的高分子化合物具有含有杂环、羰基和与所述杂环键合的取代基的结构单元(u)。所述取代基包括选自由以下各种基团组成的组中的至少一种基团：卤素基团、羟基、醛基、羧基、烷基、卤代烷基和羟基烷基。

3、根据本公开的另一个方面的成型用组合物含有上述高分子化合物。

4、根据本公开的再一个方面的薄膜含有上述高分子化合物。

5、根据本公开的又一个方面的电容器包括含有上述高分子化合物的电介质层。

技术特征：

1.一种高分子化合物，所述高分子化合物包含具有杂环、羰基和与所述杂环键合的取代基的结构单元(u)，

2.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中

3.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中

4.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中

5.根据权利要求2所述的高分子化合物，其中

6.根据权利要求5所述的高分子化合物，其中

7.根据权利要求5所述的高分子化合物，其中

8.根据权利要求2所述的高分子化合物，其中

9.根据权利要求8所述的高分子化合物，其中

10.根据权利要求2所述的高分子化合物，其中

11.根据权利要求10所述的高分子化合物，其中

12.根据权利要求2所述的高分子化合物，其中

13.根据权利要求12所述的高分子化合物，其中

14.一种成型用组合物，所述成型用组合物含有根据权利要求1至13中任一项所述的高分子化合物。

15.一种薄膜，所述薄膜含有根据权利要求1至13中任一项所述的高分子化合物。

16.一种电容器，所述电容器包括含有根据权利要求1至13中任一项所述的高分子化合物的电介质层。

技术总结
本公开提供了具有高介电常数的高分子化合物。该高分子化合物具有含有杂环、羰基和与所述杂环键合的取代基的结构单元(U)。所述取代基包括选自由以下各项组成的组中的至少一项：卤素基团、羟基、醛基、羧基、烷基、卤代烷基和羟基烷基。

技术研发人员：小城原佑亮
受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/29