本发明涉及聚硅氧烷组合物。另外,本发明涉及使用该聚硅氧烷组合物的制造固化膜的方法、使用该聚硅氧烷组合物的固化膜以及制造包含该固化膜的电子器件的方法。
背景技术:
1、已知聚硅氧烷具有耐高温性。在由含有聚硅氧烷的组合物形成固化膜的情况下,将涂膜在高温下加热,使聚硅氧烷中的硅醇基的缩合反应、具有不饱和键的聚合物的反应迅速进行而固化。这样形成的固化膜被用于电子部件或半导体部件等。
2、例如,通过在聚硅氧烷的官能团上使用光聚合性官能团,提出了粘性(tack)和图案化性优异的固化膜形成用组合物。
3、近年来,使用聚硅氧烷形成的固化膜,在有机电致发光器件(oled)、量子点显示器、薄膜晶体管阵列等显示器件中,也被用作分隔像素间的隔墙。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1:日本特开2017-90515号公报
技术实现思路
1、本发明要解决的技术问题
2、本发明的发明人们发现,目前还存在需要改良的以下一个以上的课题。
3、提供能够形成厚膜的固化膜的聚硅氧烷组合物;提供能够形成透过性优异的固化膜的聚硅氧烷组合物;提供能够形成耐热性优异的固化膜的聚硅氧烷组合物;提供能够形成长宽比高、矩形性高的固化膜的聚硅氧烷组合物;提供能够抑制对光掩模的附着的聚硅氧烷组合物。
4、用于解决技术问题的方案
5、本发明提供一种固化膜形成用组合物,其包含:
6、(i)含有由式(ia)所表示的重复单元以及由式(ib)所表示的重复单元的聚硅氧烷pab,或
7、含有由式(ia)所表示的重复单元的聚硅氧烷pa与含有由式(ib)所表示的重复单元的聚硅氧烷pb的混合物;以及
8、(ii)聚合引发剂,
9、
10、式(ia)中,
11、xa分别独立地为ria或-o0.5-,其中,至少一个xa为ria,
12、ria为直链或支链的c1-6亚烷基,其将式(ia)中的si与由式(ia1)所表示的单元中的任意n连接,
13、
14、式(ia1)中,
15、y分别独立地为单键、羟基、直链或支链的c1-10烷基、或直链或支链的c1-6烷氧基,这里,所述烷基或所述烷氧基中的c可以被si替换,
16、
17、式(ib)中,
18、xb分别独立地为rib或-o0.5-,其中,至少一个xb为rib,
19、rib为具有(甲基)丙烯酰氧基的c3-10的有机基团。
20、本发明提供一种制造固化膜的方法,其包括将上述组合物施涂于基板上使其形成涂膜,以及对所述涂膜进行加热。
21、本发明提供一种由上述方法制造的固化膜。
22、本发明提供一种制造电子器件的方法,其包含制造上述固化膜的方法。
23、发明效果
24、本发明的含聚硅氧烷的组合物与本说明书中记载的本发明的其它实施方案一起提供以下一种以上的以下优选效果。
25、能够形成厚膜的固化膜;能够形成透过性优异的固化膜;能够形成耐热性优异的固化膜;能够形成长宽比高、矩形性高的固化膜;能够抑制聚硅氧烷组合物对光掩模的附着。
1.一种固化膜形成用组合物,其特征在于,所述固化膜形成用组合物包含:
2.根据权利要求1所述的组合物,其中,所述(i)成分是含有由式(ia)所表示的重复单元的聚硅氧烷pa与含有由式(ib)所表示的重复单元的聚硅氧烷pb的混合物。
3.根据权利要求2所述的组合物,其中,所述聚硅氧烷pa和/或聚硅氧烷pb进一步包含由式(ic)所表示的重复单元,
4.根据权利要求1~3中一项或多项所述的组合物,其中,以(i)成分的总含量为基准,由式(ib)所表示的重复单元的含量为3~35质量%。
5.根据权利要求1~4中一项或多项所述的组合物,其中,以(i)成分的总含量为基准,由式(ia)所表示的重复单元的含量为8~30质量%。
6.根据权利要求1~4中一项或多项所述的组合物,其中,以(i)成分的总含量为基准,由式(ia1)所表示的单元的含量为1~10质量%。
7.根据权利要求1~6中一项或多项所述的组合物,其中,由式(ia)所表示的重复单元的含量和由式(ib)所表示的重复单元的含量以质量比计为5:1~1:3。
8.根据权利要求1~7中一项或多项所述的组合物,其中,(ii)聚合引发剂为光自由基产生剂。
9.根据权利要求1~8中一项或多项所述的组合物,其中,进一步含有(iii)溶剂。
10.根据权利要求1~9中一项或多项所述的组合物,其中,进一步含有(iv)包含2个以上(甲基)丙烯酰氧基的化合物。
11.根据权利要求1~10中一项或多项所述的组合物,其为负型感光性组合物。
12.一种制造固化膜的方法,其中,包括将权利要求1~11中一项或多项所述的组合物施涂于基板上形成涂膜,以及
13.一种固化膜,其由权利要求12所述的方法制造。
14.根据权利要求13所述的固化膜,其中,膜厚为10μm以上。
15.根据权利要求13或14所述的固化膜,其中,400nm处的光透过率为95%以上。
16.一种器件,其具备权利要求13~15中一项或多项所述的固化膜。