胺化合物、包括该胺化合物的发光器件和电子设备的制作方法

本公开的一个或更多个实施例涉及一种胺化合物、包括该胺化合物的发光器件和包括该发光器件的电子设备。

背景技术：

1、与现有技术的器件相比，发光器件之中的自发射器件具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面优异的特性，并且产生全色图像。

2、在示例中，发光器件可以具有其中第一电极在基底上并且空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极顺序地形成在第一电极上的结构。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子可以在这样的发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。

技术实现思路

1、提供了一种胺化合物、包括该胺化合物的发光器件和包括该发光器件的电子设备。

2、实施例的附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过给出的公开的实施例的实践而获知。

3、根据一个或更多个实施例，提供了一种由式1表示的胺化合物。

4、式1

5、

6、式2

7、

8、在式1和式2中，

9、选自于w1至w8中的一个可以是由式2表示的基团，

10、选自于w1至w8之中的均不是由式2表示的基团的其它基团可以均独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基，

11、r1和r2可以均独立地是氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷基、未取代或取代有至少一个r10a的c2-c60烯基、未取代或取代有至少一个r10a的c2-c60炔基、未取代或取代有至少一个r10a的c1-c60烷氧基、未取代或取代有至少一个r10a的c5-c60碳环基、未取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基、未取代或取代有至少一个r10a的c6-c60芳氧基、未取代或取代有至少一个r10a的c6-c60芳硫基、未取代或取代有至少一个r10a的c7-c60芳基烷基或者未取代或取代有至少一个r10a的c2-c60杂芳基烷基，

12、a1和a2可以均独立地是0至4的整数，其中，a1和a2的总和可以大于或等于1，

13、当选自于w4和w5中的一个是由式2表示的基团时，a1和a2的总和可以是1，

14、l1和l2可以均独立地是单键、未取代或取代有至少一个r10a的c5-c60碳环基或者未取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

15、b1和b2可以均独立地是1至3的整数，

16、ar1和ar2可以均独立地是未取代或取代有至少一个r10a的c5-c60碳环基或者未取代或取代有至少一个r10a的c1-c60杂环基，

17、c1和c2可以均独立地是1至10的整数，

18、*可以表示与相邻原子的结合位，

19、r10a可以是：

20、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；

21、均未取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳基烷基、c2-c60杂芳基烷基、-si(q11)(q12)(q13)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)、-p(＝o)(q11)(q12)或它们的任何组合的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或c1-c60烷氧基；

22、均未取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳基烷基、c2-c60杂芳基烷基、-si(q21)(q22)(q23)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)、-p(＝o)(q21)(q22)或它们的任何组合的c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳基烷基或c2-c60杂芳基烷基；或者

23、-si(q31)(q32)(q33)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)或-p(＝o)(q31)(q32)，并且

24、q11至q13、q21至q23和q31至q33可以均独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c1-c60烷基；c2-c60烯基；c2-c60炔基；c1-c60烷氧基；或者均未取代或取代有氘、-f、氰基、c1-c60烷基、c1-c60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的c3-c60碳环基、c1-c60杂环基、c7-c60芳基烷基或c2-c60杂芳基烷基。

25、根据一个或更多个实施例，提供了一种发光器件，该发光器件包括：第一电极；

26、第二电极，面对第一电极；以及

27、中间层，在第一电极与第二电极之间，并且包括发射层，发光器件包括至少一种由式1表示的胺化合物。

28、根据一个或更多个实施例，提供了一种包括该发光器件的电子设备。

技术特征：

1.一种发光器件，所述发光器件包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极是阳极，

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述空穴传输区域包括所述至少一种由式1表示的胺化合物。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述空穴传输区域包括选自于空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个，并且

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发射层被构造为发射具有430nm至490nm的最大发射波长的蓝光。

6.一种电子设备，所述电子设备包括根据权利要求1所述的发光器件。

7.根据权利要求6所述的电子设备，所述电子设备还包括薄膜晶体管，

8.根据权利要求6所述的电子设备，所述电子设备还包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或它们的任何组合。

9.一种胺化合物，所述胺化合物由式1表示：

10.根据权利要求9所述的胺化合物，其中，r1和r2均独立地是由选自于式5-1至式5-80中的一个表示的基团：

11.根据权利要求9所述的胺化合物，其中，a1和a2均独立地是0至2的整数，并且a1和a2的总和是1或2。

12.根据权利要求9所述的胺化合物，其中，在式2中，l1和l2均独立地是：

13.根据权利要求9所述的胺化合物，其中，在式2中，l1和l2均独立地是：

14.根据权利要求9所述的胺化合物，其中，在式2中，b1和b2均独立地是1或2。

15.根据权利要求9所述的胺化合物，其中，式2中的ar1和ar2均独立地是均未取代或取代有以下基团的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、c1-c20烷基苯基、萘基、芴基、螺二芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并噻咯基：

16.根据权利要求9所述的胺化合物，其中，式2中的ar1和ar2均独立地是由选自于式6-1至式6-40中的一个表示的基团：

17.根据权利要求9所述的胺化合物，其中，式2中的c1和c2均独立地是1或2。

18.根据权利要求9所述的胺化合物，其中，在式2中，i)*-(l1)b1-(ar1)c1和*-(l2)b2-(ar2)c2均是由式8-1表示的基团，或者ii)*-(l1)b1-(ar1)c1和*-(l2)b2-(ar2)c2彼此不同：

19.根据权利要求9所述的胺化合物，其中，w1至w8之中的均不是由式2表示的基团的所述其它基团均是氢。

20.根据权利要求9所述的胺化合物，其中，所述胺化合物是由选自于式1a-1至式1a-18中的一个表示的化合物：

技术总结
提供了一种由式1表示的胺化合物、包括该胺化合物的发光器件和包括该发光器件的电子设备。该发光器件包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及中间层，在第一电极与第二电极之间，并且包括发射层，发光器件包括至少一种由式1表示的胺化合物。式1

技术研发人员：金珉知,朴炫彬,李政珉,郑恩在,崔志镕,韩相铉
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13