用于半导体清洗工艺的高纯度的异丙醇的纯化方法与流程

本发明涉及一种异丙醇的纯化方法，更详细地，涉及一种用于半导体清洗工艺的高纯度的异丙醇的纯化方法。

背景技术：

1、异丙醇(isopropyl alcohol,以下称为“ipa”)，例如，在半导体或lcd(liquidcrystal display，液晶显示器)制备等的电子产业中，包含清洗剂等的用途在内使用于各种用途。

2、在半导体清洗工艺中，在图案化晶圆(wafer)之后，以往用水清洗，但用水清时出现了图案坍塌的问题。因此，为了解决这样问题，使用了相比于水而言表面张力低且溶解性与挥发性优秀的ipa。

3、就用于半导体清洗工艺的ipa而言，对于水分及杂质的规格非常严格。

4、用于半导体清洗工艺的ipa需要维持99.999％以上的纯度(5n)，水分为10ppm以下、金属杂质为20ppt以下、硼酸三异丙酯(以下，称为硼化合物)为50ppt以下，且需要完全去除二丙酮醇(diacetone alcohol)。

5、作为原料的工业用ipa中的水分及杂质的含有量超出了在半导体清洗工艺中所要求的规格，因此为了使其维持99.999％(5n)以上的纯度，需要进行纯化工艺。

6、现有技术文献

7、专利文献

8、(专利文献1)韩国授权专利公报第10-1662895(2015.03.02公开)

9、(专利文献2)韩国授权专利公报第10-1582001(2014.01.09公开)

10、(专利文献3)韩国授权专利公报第10-1206214(2010.07.26公开)

技术实现思路

1、解决的技术问题

2、本发明的目的在于，提供一种高纯度的异丙醇的纯化方法，其导入吸附工艺及蒸馏工艺等来纯化工业用异丙醇，从而完全去除二丙酮醇，且水分、硼酸三丙酯及金属含量符合半导体级别规格。

3、技术方案

4、为了解决上述课题，本发明提供一种异丙醇的纯化方法，其利用吸附工艺及蒸馏工艺，对作为原料的工业用异丙醇(以下，也称为ipa)进行纯化，根据本发明的一实施例，本发明包括：在通过吸附工艺去除异丙醇中的二丙酮醇(以下，也称为daa)之后，借助于蒸馏工艺以下部流去除二丙酮醇、三丙基硼化合物(以下，也称为硼化合物)及金属杂质的步骤。

5、所述吸附工艺包括通过步骤，所述通过步骤使所述异丙醇在通过3a或4a的分子筛之后，连续通过10x或13x的分子筛，所述蒸馏工艺包括1次蒸馏工艺及2次蒸馏工艺，所述1次蒸馏工艺去除沸点比异丙醇低的杂质，所述2次蒸馏工艺蒸馏所述1次蒸馏工艺的下部流，以下部流去除沸点比异丙醇高的daa、硼化合物及金属杂质，并在上部获得纯化的异丙醇。

6、优选地，所述分子筛在使用之前用含有10ppm以下的水分的ipa进行充分清洗，且优选地，为了在所述蒸馏工艺期间抑制氧气流入，吹扫氮气。

7、优选地，在进行所述1次及2次蒸馏工艺时，将温度维持在82℃以下，在进行所述2次蒸馏工艺时，回流比维持1.5以上。

8、发明效果

9、根据本发明,可制备高纯度的半导体级别的异丙醇，其的水分、金属及硼化合物的含量满足在半导体清洗工艺中所要求的规格，且不含有二丙酮醇。

10、因此，由于可以防止在生产后的储存罐、移动向客户的移动槽车、用于客户使用的储存罐及管道中的金属溶出，因此可以供给高纯度的异丙醇到半导体清洗线，从而可降低半导体工艺的不合格率并提升半导体的生产率。

技术特征：

1.一种异丙醇的纯化方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的异丙醇的纯化方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的异丙醇的纯化方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的异丙醇的纯化方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的异丙醇的纯化方法，其中，

6.根据权利要求1所述的异丙醇的纯化方法，其中，

7.根据权利要求6所述的异丙醇的纯化方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的异丙醇的纯化方法，其特征在于，

技术总结
本发明涉及一种用于半导体清洗工艺的高纯度异丙醇的纯化方法，其包括在通过吸附工艺去除异丙醇中的二丙酮醇之后，借助于蒸馏工艺来去除二丙酮醇、硼酸三丙酯及金属杂质的步骤。

技术研发人员：沈成元,孙炳基,林融,崔焕,申仑秀,金民煐,崔态岐
受保护的技术使用者：载元产业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16