电子阻挡材料、有机电致发光器件及制备方法与流程

本公开涉及显示，特别涉及电子阻挡材料、有机电致发光器件及制备方法。

背景技术：

1、有机电致发光器件(organic electroluminescence display，oled)具备全固态、响应速度块、工作温度范围广等优点，有机电致发光器件包括阳极、阴极和位于两者之间的发光单元，发光单元包括有机发光层和位于其两侧的空穴传输区和电子传输区。目前，通常在空穴传输区中布置电子阻挡层(electron-blocking layer，ebl)，电子阻挡层能够控制电子的流向，阻碍反向漏电流，从而达到提高发光效率的目的。

2、然而，目前已知的电子阻挡材料对有机电致发光器件的性能提升效果较为有限。

3、公开内容

4、鉴于此，本公开提供电子阻挡材料、有机电致发光器件及制备方法，能够解决相关技术中存在的技术问题。

5、具体而言，包括以下的技术方案：

6、一方面，提供了一种电子阻挡材料，所述电子阻挡材料的化学通式如下所示：

7、

8、其中，a基团、b基团、c基团中的至少一个为基团m，a基团、b基团、c基团中不为基团m的那些选自碳原子数为6-39的芳基、碳原子数为5-60的杂芳基、碳原子数为6-60的芳氧基、碳原子数为1-39的烷氧基、碳原子数为6-39的芳胺基、碳原子数为3-39的环烷基、碳原子数为3-39的杂环烷基、碳原子数为1-39的烷基甲硅烷基、碳原子数为1-39的烷基硼基、碳原子数为6-39芳基硼基、碳原子数为6-39的芳基膦基、或者碳原子数为6-39的芳基甲硅烷基；

9、所述基团m的化学通式如下所示：

10、

11、其中，x选自c或者si；

12、r各自独立地选自碳原子数为1-39的烷基、碳原子数为1-39的环烷基、碳原子数为2-39的烯基、碳原子数为2-39的炔基、碳原子数为6-39的芳基、碳原子数为5-60的杂芳基、碳原子数为6-60的芳氧基、碳原子数为1-39的烷氧基、碳原子数为6-39的芳胺基、碳原子数为3-39的环烷基、碳原子数为3-39的杂环烷基、碳原子数为1-39的烷基甲硅烷基、碳原子数为1-39的烷基硼基、碳原子数为6-39芳基硼基、碳原子数为6-39的芳基膦基、或者碳原子数为6-39的芳基甲硅烷基；

13、l1选自单键、c6-c15的亚芳基、或者c5-c15亚杂芳基；

14、ar1选自氢、氘、碳原子数为1-39的烷基、碳原子数为2-39的烯基、碳原子数为2-39的炔基、碳原子数为6-39的芳基、碳原子数为5-60的杂芳基、碳原子数为6-60的芳氧基、碳原子数为1-39的烷氧基、碳原子数为6-39的芳胺基、碳原子数为3-39的环烷基、碳原子数为3-39的杂环烷基、碳原子数为1-39的烷基甲硅烷基、碳原子数为1-39的烷基硼基、碳原子数为6-39芳基硼基、碳原子数为6-39的芳基膦基、或者碳原子数为6-39的芳基甲硅烷基。

15、在一些可能的实现方式中，r基团中的至少部分氢能够被氘代；和/或，

16、相邻的r基团能够通过键合连接成环。

17、在一些可能的实现方式中，a基团、b基团、c基团中的一个为基团m。

18、在一些可能的实现方式中，基团m中的x选自si。

19、在一些可能的实现方式中，a基团、b基团、c基团中的两个为基团m。

20、在一些可能的实现方式中，其中一个基团m中的x选自c，另一个基团m中的x选自si；

21、或者，两个基团m中的x均选自c；

22、或者，两个基团m中的x均选自si。

23、另一方面，提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极和发光单元，所述发光单元位于所述阳极和所述阴极之间，且所述发光单元包括有机发光层和位于所述有机发光层两侧的空穴传输区和电子传输区；

24、所述空穴传输区包括层叠布置的空穴传输层和电子阻挡层，所述电子阻挡层采用上述任一种电子阻挡材料制备得到。

25、在一些可能的实现方式中，所述空穴传输层采用空穴传输材料制备得到，所述空穴传输材料的化学通式如下所示：

26、

27、其中，ar2-ar5各自独立地选自碳原子数为6-39的芳基、碳原子数为5-60的杂芳基、碳原子数为6-60的芳氧基、碳原子数为1-39的烷氧基、碳原子数为6-39的芳胺基、碳原子数为6-39的芳基甲硅烷基；

28、l2选自单键、c6-c15的亚芳基、或者c5-c15亚杂芳基。

29、在一些可能的实现方式中，所述空穴传输层的homo能级为a，所述电子阻挡层的homo能级为b，所述有机发光层的homo能级为c；

30、a、b、c满足：|a-b|<|b-c|。

31、在一些可能的实现方式中，所述有机发光层包括发光主体材料和发光层掺杂剂；

32、所述有机发光层的空穴迁移率为μh，电子迁移率为μe，μh和μe满足：μe/μh>2。

33、再一方面，提供了一种电子阻挡材料的制备方法，所述电子阻挡材料如上述任一所述；

34、所述电子阻挡材料的制备方法包括：使m基团对应的有机卤化物单体和胺类单体进行c-n偶联反应，得到所述电子阻挡材料。

35、在一些可能的实现方式中，所述m基团对应的有机卤化物单体通过以下方法制备得到：使有机卤化物子单体和含卤素的硼酸类单体进行c-c偶联反应，得到所述m基团对应的有机卤化物单体；

36、其中，所述m基团对应的有机卤化物单体中所含的卤素来自于所述硼酸类单体中的卤素。

37、本公开实施例提供的技术方案的有益效果至少包括：

38、本公开实施例提供的电子阻挡材料，通过对其化学结构进行上述限定，使a基团、b基团、c基团中的至少一个为基团m，使其至少具有以下优点：其一，该电子阻挡材料的芳胺结构与基团m通过x位置所分支的芳基相连接，这利于增加该电子阻挡材料的扭曲性，进而利于增加电子阻挡材料的立体性，从而提升电子阻挡材料的t1(即三线态能级)，达到提升有机电致发光器件的效率和寿命的目的。其二，该类电子阻挡材料具有更高的热稳定性，从而具有更高的寿命。其三，该类电子阻挡材料特定的连接方式，使其homo能级处于合适的水平，能够减小界面gap(能级差)，有利于空穴的注入，从而使空穴和电子以更快的效率发生复合，降低电荷累积，降低器件电容，这利于使绿光子像素在与蓝光子像素和红光子像素协同作用时能够表现出更优异的色彩显示效果。

技术实现思路

技术特征：

1.一种电子阻挡材料，其特征在于，所述电子阻挡材料的化学通式如下所示：

2.根据权利要求1所述的电子阻挡材料，其特征在于，r基团中的至少部分氢能够被氘代；和/或，

3.根据权利要求1或2所述的电子阻挡材料，其特征在于，a基团、b基团、c基团中的一个为基团m。

4.根据权利要求3所述的电子阻挡材料，其特征在于，基团m中的x选自si。

5.根据权利要求1或2所述的电子阻挡材料，其特征在于，a基团、b基团、c基团中的两个为基团m。

6.根据权利要求5所述的电子阻挡材料，其特征在于，其中一个基团m中的x选自c，另一个基团m中的x选自si；

7.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极和发光单元，所述发光单元位于所述阳极和所述阴极之间，且所述发光单元包括有机发光层和位于所述有机发光层两侧的空穴传输区和电子传输区；

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层采用空穴传输材料制备得到，所述空穴传输材料的化学通式如下所示：

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的homo能级为a，所述电子阻挡层的homo能级为b，所述有机发光层的homo能级为c；

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机发光层包括发光主体材料和发光层掺杂剂；

11.一种电子阻挡材料的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡材料如权利要求1-6任一项所述；

12.根据权利要求11所述的电子阻挡材料的制备方法，其特征在于，所述m基团对应的有机卤化物单体通过以下方法制备得到：

技术总结
本申请公开了电子阻挡材料、有机电致发光器件及制备方法，属于显示技术领域。该电子阻挡材料的通式为：A、B、C基团中至少一个为基团M，基团M通式为：X选自C或Si；R各自选自C1‑39烷基、C1‑39环烷基、C2‑39烯基、C2‑39炔基、C6‑39芳基、C5‑60杂芳基、C6‑60芳氧基、C1‑39烷氧基、C6‑39芳胺基、C3‑39环烷基、C3‑39杂环烷基、C1‑39烷基甲硅烷基、C1‑39烷基硼基、C6‑39芳基硼基、C6‑39芳基膦基、C6‑39芳基甲硅烷基；L1为单键、C6‑C15的亚芳基、C5‑C15亚杂芳基；Ar1或者如基团R所示的基团，或者为氢或氘。这能提升器件效率和寿命。

技术研发人员：孙玉倩,陈磊,邱丽霞
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15