半导体处理用组合物及处理方法与流程

本发明涉及一种半导体处理用组合物及使用其的处理方法。

背景技术：

1、在有效用于制造半导体装置的化学机械抛光(chemical mechanical polishing，cmp)中所使用的化学机械研磨用分散体(以下，也称为“cmp浆料”)中，除研磨粒以外，也含有蚀刻剂等化学药品，因此在cmp后需要利用清洗用组合物对被处理体的表面进行清洗的工序。

2、在被处理体的表面露出有铜或钨、钴等金属布线材料、氧化硅等绝缘材料、氮化钽或氮化钛等阻挡金属材料等。在此种异种材料共存于被处理体的表面的情况下，需要在研磨后从被处理体仅将污染去除，并且不对被处理体造成腐蚀等损伤地进行清洗。例如在专利文献1中记载有如下技术：使用酸性清洗剂来抑制露出有金属布线材料与阻挡金属材料的被处理体的腐蚀。另外，例如在专利文献2或专利文献3中公开有如下技术：使用中性至碱性的清洗剂对露出有金属布线材料与阻挡金属材料的被处理体进行清洗。

3、[现有技术文献]

4、[专利文献]

5、[专利文献1]日本专利特开2010-258014号公报

6、[专利文献2]日本专利特开2009-055020号公报

7、[专利文献3]日本专利特开2013-157516号公报

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、伴随着近年来的电路结构的进一步微细化，谋求一种可进一步抑制对作为被处理体的金属布线材料、阻挡金属材料、绝缘材料等的各种基板的损伤，并且从被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用所述组合物的处理方法。

3、本发明的若干实施例通过解决所述课题的至少一部分，而提供一种可抑制对作为被处理体的各种基板的损伤，并且从被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。

4、[解决问题的技术手段]

5、本发明是为了解决所述课题的至少一部分而成，可作为以下任一形态来实现。

6、本发明的半导体处理用组合物的一形态含有：

7、(a)下述通式(1)所表示的化合物；

8、(b)水溶性高分子；

9、(c)具有选自由氨基及其盐所组成的群组中的至少一种结构、及选自由羧基及其盐所组成的群组中的至少一种结构的化合物；以及

10、(d)液状介质，

11、在将所述(a)成分的含量设为ma[质量％]、将所述(c)成分的含量设为mc[质量％]时，ma/mc＝5～200。

12、r4n+f-····(1)

13、(所述式(1)中，r各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基)

14、在所述半导体处理用组合物的一形态中，

15、所述(b)成分可具有选自由磺基、羧基及它们的盐所组成的群组中的至少一种结构。

16、在所述半导体处理用组合物的一形态中，

17、所述(d)成分可为水系介质。

18、在所述半导体处理用组合物的一形态中，

19、ph可为3～6。

20、本发明的处理方法的一态样包括如下工序：

21、使用所述任一形态的半导体处理用组合物对半导体基板进行处理。

22、[发明的效果]

23、通过本发明的半导体处理用组合物，可抑制对作为被处理体的金属布线材料、阻挡金属材料、绝缘材料等的各种基板的损伤，并且从被处理体的表面有效地去除污染。另外，通过本发明的处理方法，可获得清洁且平坦性优异的被处理体。

技术特征：

1.一种半导体处理用组合物，含有：

2.根据权利要求1所述的半导体处理用组合物，其中，所述(b)成分具有选自由磺基、羧基及它们的盐所组成的群组中的至少一种结构。

3.根据权利要求1所述的半导体处理用组合物，其中，所述(d)成分为水系介质。

4.根据权利要求1所述的半导体处理用组合物，其中，ph为3～6。

5.一种处理方法，包括：使用如权利要求1至4中任一项所述的半导体处理用组合物对半导体基板进行处理的工序。

技术总结
本发明提供一种可抑制对作为被处理体的金属布线材料、阻挡金属材料、绝缘材料等的各种基板的损伤，并且从被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用所述组合物的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有：(A)下述通式(1)所表示的化合物；(B)水溶性高分子；(C)具有选自由氨基及其盐所组成的群组中的至少一种结构、及选自由羧基及其盐所组成的群组中的至少一种结构的化合物；以及(D)液状介质，在将所述(A)成分的含量设为M<subgt;A</subgt;[质量％]、将所述(C)成分的含量设为M<subgt;C</subgt;[质量％]时，M<subgt;A</subgt;/M<subgt;C</subgt;＝5～200。(所述式(1)中，R各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基)R<subgt;4</subgt;N<supgt;+</supgt;F<supgt;‑</supgt;····(1)。

技术研发人员：赤木壮一郎,姚佳伶,山田裕也,森康介,山中达也
受保护的技术使用者：JSR株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/6/20