固化体的制作方法

本发明涉及包含热固性树脂的树脂组合物的固化体及其制造方法。此外，本发明涉及包含所述固化体的电路基板、半导体芯片封装和半导体装置，以及可制造所述固化体的树脂片材。

背景技术：

1、电路基板及半导体芯片封装中一般设有绝缘层。例如，在作为电路基板的一种的印刷布线板中，有时作为绝缘层设有层间绝缘层。此外，例如，在半导体芯片封装中，有时作为绝缘层设有再布线形成层。这些绝缘层可由使树脂组合物固化而得的固化体形成(专利文献1～2)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2020/130100号

5、专利文献2：日本专利特开2020-193365号公报。

技术实现思路

1、发明所要解决的技术问题

2、绝缘层上有时设有导体层。该导体层一般实施了图案形成加工，形成具有合适的图案形状的布线。这样设于绝缘层上的导体层通常被要求与绝缘层之间的密合性高。于是，从获得高密合性的观点来看，提出有在绝缘层上进行紫外线处理和硅烷偶联剂处理后，在该绝缘层上形成导体层的方案。

3、然而，以往的方法无法满足高温高湿环境下的高加速寿命试验(hast试验，也称加速环境试验)后的密合性，要求进一步的改善。

4、本发明鉴于上述的课题而提出，其目的在于提供：可获得高温高湿环境下的高加速寿命试验(hast试验)后与导体层之间的密合性高的绝缘层的固化体；该固化体的制造方法；包含该固化体的电路基板、半导体芯片封装和半导体装置；以及可制造该固化体的树脂片材。

5、解决技术问题所采用的技术方案

6、本发明人为了解决上述的课题而进行了认真研究。结果本发明人发现通过使形成导体层的固化体的面的表面粗糙度在特定范围内，且控制以特定条件将作为该固化体的材料的树脂组合物固化而形成的固化试样层的表面的性状，使其满足特定的要件，可解决上述的课题，从而完成了本发明。

7、即，本发明包括下述的内容。

8、[1]一种固化体，其是包含热固性树脂的树脂组合物的固化体，其中，

9、固化体具有算术平均粗糙度ra小于100nm的表面；

10、在进行了将树脂组合物的层以200℃、90分钟的条件进行固化而形成固化试样层的试验的情况下，

11、二乙二醇单正丁基醚与固化试样层的表面的接触角小于30°，

12、基于固化试样层的表面的x射线光电子能谱分析中的n1s的谱图的峰面积而得到的氮原子浓度小于3.8原子％。

13、[2]根据[1]所述的固化体，其中，基于固化试样层的表面的x射线光电子能谱分析中的n1s的谱图的峰面积而得到的氮原子浓度为0.1原子％以上。

14、[3]根据[1]或[2]所述的固化体，其中，树脂组合物包含无机填充材料。

15、[4]根据[3]所述的固化体，其中，相对于树脂组合物的不挥发成分100质量％，树脂组合物中的无机填充材料的量为40质量％以上且90质量％以下。

16、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的固化体，其中，热固性树脂包含环氧树脂。

17、[6]根据[1]～[5]中任一项所述的固化体，其中，热固性树脂包含酚树脂。

18、[7]根据[1]～[6]中任一项所述的固化体，其中，热固性树脂包含活性酯树脂。

19、[8]根据[1]～[7]中任一项所述的固化体，其中，热固性树脂包含马来酰亚胺树脂。

20、[9]根据[1]～[8]中任一项所述的固化体，其中，树脂组合物包含固化促进剂。

21、[10]根据[1]～[9]中任一项所述的固化体，其中，树脂组合物包含含有氮原子的树脂成分。

22、[11]根据[1]～[10]中任一项所述的固化体，其中，其用于在算术平均粗糙度ra小于100nm的所述表面形成导体层。

23、[12]一种电路基板，其中，包含利用[1]～[11]中任一项所述的固化体形成的绝缘层。

24、[13]一种半导体芯片封装，其中，包含[1]～[11]中任一项所述的固化体、以及半导体芯片。

25、[14]一种半导体装置，其中，具备[12]所述的电路基板。

26、[15]一种半导体装置，其中，具备[13]所述的半导体芯片封装。

27、[16]一种固化体的制造方法，其是[1]～[11]中任一项所述的固化体的制造方法，其中，包括：

28、将包含热固性树脂的树脂组合物进行固化而得到固化体的工序；

29、对所述固化体实施紫外线处理的工序；和

30、对所述固化体实施硅烷偶联剂处理的工序。

31、[17]一种树脂片材，其是具备支承体、以及形成于支承体上的树脂组合物的层的树脂片材，其中，

32、树脂组合物包含热固性树脂；

33、在进行了将树脂组合物的层进行固化而形成试样固化体、并对试样固化体的支承体侧的表面实施紫外线处理和硅烷偶联剂处理的第一试验的情况下，该支承体侧的表面的算术平均粗糙度ra小于100nm；

34、在进行了将树脂组合物的层以200℃、90分钟的条件进行固化而形成固化试样层的第二试验的情况下，

35、二乙二醇单正丁基醚与固化试样层的支承体侧的表面的接触角小于30°，

36、基于固化试样层的支承体侧的表面的x射线光电子能谱分析中的n1s的谱图的峰面积而得到的氮原子浓度小于3.8原子％。

37、[18]根据[17]所述的树脂片材，其中，

38、在第一试验中，树脂组合物的层的固化以170℃、30分钟的条件进行，

39、在第一试验中，紫外线处理通过对试样固化体照射10秒钟波长172nm的紫外线来进行，

40、在第一试验中，硅烷偶联剂处理通过在40℃下将试样固化体在包含5g/l的3-氨基丙基三甲氧基硅烷和350g/l的二乙二醇单正丁基醚的ph 5.0的水溶液中浸渍10分钟来进行。

41、发明的效果

42、如果采用本发明，则能够提供可获得高温高湿环境下的高加速寿命试验(hast试验)后与导体层之间的密合性高的绝缘层的固化体、该固化体的制造方法、包含该固化体的电路基板、半导体芯片封装和半导体装置，以及可制造该固化体的树脂片材。

43、附图的简单说明

44、图1是示意性表示作为本发明的一个实施方式所涉及的半导体芯片封装的一例的扇出型wlp的剖视图。

技术特征：

1.一种固化体，其是包含热固性树脂的树脂组合物的固化体，其中，

2.根据权利要求1所述的固化体，其中，基于固化试样层的表面的x射线光电子能谱分析中的n1s的谱图的峰面积而得到的氮原子浓度为0.1原子％以上。

3.根据权利要求1所述的固化体，其中，树脂组合物包含无机填充材料。

4.根据权利要求3所述的固化体，其中，相对于树脂组合物的不挥发成分100质量％，树脂组合物中的无机填充材料的量为40质量％以上且90质量％以下。

5.根据权利要求1所述的固化体，其中，热固性树脂包含环氧树脂。

6.根据权利要求1所述的固化体，其中，热固性树脂包含酚树脂。

7.根据权利要求1所述的固化体，其中，热固性树脂包含活性酯树脂。

8.根据权利要求1所述的固化体，其中，热固性树脂包含马来酰亚胺树脂。

9.根据权利要求1所述的固化体，其中，树脂组合物包含固化促进剂。

10.根据权利要求1所述的固化体，其中，树脂组合物包含含有氮原子的树脂成分。

11.根据权利要求1所述的固化体，其用于在算术平均粗糙度ra小于100nm的所述表面形成导体层。

12.一种电路基板，其中，包含利用权利要求1～11中任一项所述的固化体形成的绝缘层。

13.一种半导体芯片封装，其中，包含权利要求1～11中任一项所述的固化体、和半导体芯片。

14.一种半导体装置，其中，具备权利要求12所述的电路基板。

15.一种半导体装置，其中，具备权利要求13所述的半导体芯片封装。

16.一种固化体的制造方法，其是权利要求1～11中任一项所述的固化体的制造方法，其中，包括：

17.一种树脂片材，其是具备支承体和形成于支承体上的树脂组合物的层的树脂片材，其中，

18.根据权利要求17所述的树脂片材，其中，

技术总结
本发明的课题是提供可获得在高温高湿环境下的高加速寿命试验后与导体层之间的密合性高的绝缘层的固化体。本发明的解决手段是一种固化体，其是包含热固性树脂的树脂组合物的固化体，其中，固化体具有算术平均粗糙度Ra小于100nm的表面；在将树脂组合物的层以200℃、90分钟的条件进行固化而形成了固化试样层的情况下，二乙二醇单正丁基醚与固化试样层的表面的接触角小于30°，基于固化试样层的表面的X射线光电子能谱分析中的N1s的谱图的峰面积而得到的氮原子浓度小于3.8原子％。

技术研发人员：阪内启之,宫本亮,冈崎大地
受保护的技术使用者：味之素株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/8/16