一种工程芯片的制备方法及工程芯片与流程

本发明涉及基因测序领域，尤其是一种工程芯片的制备方法及工程芯片。

背景技术：

1、目前基因测序仪大多使用光学系统作为其核心检测系统，基因测序仪的光学系统对于精准度要求较高，因此在测序之前光学系统需要提前做好校准。目前技术是使用胶体和荧光材料混合后通入到工程芯片内，最终在芯片内凝固，其中的发光材料就用于光学系统的调试。但这种技术存在一定问题，首先，发光材料在胶体中随机分布，不在同一水平面上，这不利于光学的调试；其次，发光材料会在胶体中团聚使发光材料的点大小不一，信号强度不同。

技术实现思路

1、针对现有的不足，本发明提供一种工程芯片的制备方法及工程芯片。

2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种工程芯片的制备方法，步骤如下：

3、s1，在碱液中超声清洗上基板和设有液孔的下基板；

4、s2，通过化学气相沉积在上基板上修饰带有环氧基团的环氧层或带有碳碳双键的双键官能团层；

5、s3，将上基板和下基板封装并在两者间形成有与液孔相连通的流道，其中上基板上的环氧层或双键官能团层朝向下基板；

6、s4，将表面修饰有多种荧光物质的荧光微球通入流道中反应使荧光微球固定在上基板与流道相对的表面上。

7、作为优选，所述步骤s2中还包括在下基板上沉积钝化层，封装后所述钝化层朝向上基板的环氧层或双键官能团层。

8、作为优选，所述钝化层是通过化学气相沉积法沉积在下基板表面上的六甲基二硅氮烷层或硅烷-peg1000层，所述硅烷-peg1000具有如下结构式：其中n为10-30。

9、作为优选，所述环氧层是3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷层；所述双键官能团层是[(5-双环[2.2.1]庚基-2-烯)乙基]三甲氧基硅烷层。

10、作为优选，所述荧光微球是带有氨基基团或叠氮基团的二氧化硅微球，其上修饰有罗丹明b和cy5。

11、作为优选，所述荧光微球的尺寸为600-1000nm。

12、作为优选，在所述步骤s4之中将荧光微球通入流道中之前还利用缓冲剂对流道进行初次清洗。

13、作为优选，在所述步骤s4之后还包括步骤s5，利用缓冲剂对流道进行二次清洗。

14、作为优选，所述上基板和下基板通过压敏胶进行封装。

15、一种工程芯片，采用如前任意一项所述工程芯片的制备方法所制备的工程芯片。

16、本发明的有益效果在于：该发明将两种不同的荧光微球修饰在芯片上，有利于基因测序仪测试前的光学系统的调试，荧光微球又具有很好的生物相容性和表面易修饰等特点，能均匀的分散在工程芯片中，制备的工程芯片信号强度稳定且每个荧光点的信号强度均一。

技术特征：

1.一种工程芯片的制备方法，其特征在于:步骤如下：

2.根据权利要求1所述工程芯片的制备方法，其特征在于:所述步骤s2中还包括在下基板上沉积钝化层，封装后所述钝化层朝向上基板的环氧层或双键官能团层。

3.根据权利要求2所述工程芯片的制备方法，其特征在于:所述钝化层是通过化学气相沉积法沉积在下基板表面上的六甲基二硅氮烷层或硅烷-peg1000层，所述硅烷-peg1000具有如下结构式：

4.根据权利要求1所述工程芯片的制备方法，其特征在于:所述环氧层是3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷层；所述双键官能团层是[(5-双环[2.2.1]庚基-2-烯)乙基]三甲氧基硅烷层。

5.根据权利要求1所述工程芯片的制备方法，其特征在于:所述荧光微球是带有氨基基团或叠氮基团的二氧化硅微球，其上修饰有罗丹明b和cy5。

6.根据权利要求1所述工程芯片的制备方法，其特征在于:所述荧光微球的尺寸为600-1000nm。

7.根据权利要求1所述工程芯片的制备方法，其特征在于:在所述步骤s4之中将荧光微球通入流道中之前还利用缓冲剂对流道进行初次清洗。

8.根据权利要求1所述工程芯片的制备方法，其特征在于:在所述步骤s4之后还包括步骤s5，利用缓冲剂对流道进行二次清洗。

9.根据权利要求1所述工程芯片的制备方法，其特征在于:所述上基板和下基板通过压敏胶进行封装。

10.一种工程芯片，其特征在于:采用如权利要求1-9中任意一项所述工程芯片的制备方法所制备的工程芯片。

技术总结
本发明涉及一种工程芯片的制备方法及工程芯片，步骤如下：在碱液中超声清洗上基板和设有液孔的下基板；通过化学气相沉积在上基板上修饰带有环氧基团的环氧层或带有碳碳双键的双键官能团层；将上基板和下基板封装并在两者间形成有与液孔相连通的流道，其中上基板上的环氧层或双键官能团层朝向下基板；将表面修饰有多种荧光物质的荧光微球通入流道中反应使荧光微球固定在上基板与流道相对的表面上；同时公开了利用该方法制备的工程芯片。该发明将两种不同的荧光微球修饰在芯片上，有利于基因测序仪测试前的光学系统的调试，而且制备的工程芯片信号强度稳定且每个荧光点的信号强度均一。

技术研发人员：罗飞,吴首昂,冯越,陈鑫,伍建
受保护的技术使用者：深圳铭毅智造科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29