清洗剂及清洗方法与流程

本发明实施例涉及半导体封装的，尤其涉及一种清洗剂及清洗方法。

背景技术：

1、镀锡产品在一定温度和湿度条件下，锡层与空气中的氧接触易发生氧化变色，多呈现为黄色、蓝色，氧化层达到一定程度，一般大于30nm，会影响产品的焊接功能。

2、目前针对发黄产品，一般会使用无机酸进行清洗，针对氧化程度严重的发蓝镀层(一般氧化膜厚度＞30nm)，清洗效果较弱。

3、使用无机酸清洗后，一般使用纯水去除镀层表面残留的酸，难以烘干，如果未及时烘干会有水渍残留，加重镀层的氧化。

技术实现思路

1、本发明实施例解决的问题是提供一种清洗剂及清洗方法，有利于提高产品的每小时产出。

2、为解决上述问题，本发明实施例提供一种清洗剂，包括：有机酸；添加剂，包括表面活性剂和缓蚀剂，其中，表面活性剂为非离子表面活性剂；水。

3、可选的，有机酸包括甲基磺酸和烷基磺酸中的一种或多种。

4、可选的，清洗剂中，有机酸的质量分数大于或等于5wt％。

5、可选的，清洗剂中，有机酸的质量分数范围为5wt％-25wt％。

6、可选的，非离子表面活性剂包括长链脂肪酸聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪酸聚氧乙烯脂中的一种或多种。

7、可选的，清洗剂中，表面活性剂的质量分数范围为0.5wt％-2wt％。

8、可选的，缓蚀剂包括硫酸钾和过硫酸氢钾中的一种或多种。

9、可选的，清洗剂中，缓蚀剂的质量分数范围为3wt％-8wt％。

10、可选的，添加剂还包括阻燃剂。

11、可选的，清洗剂中，添加剂的质量分数范围为3.5wt％-10wt％。

12、可选的，水为去离子水。

13、相应的，本发明实施例还提供一种清洗方法，包括：采用本发明实施例提供的清洗剂，对待处理件进行浸泡处理。

14、可选的，清洗方法还包括：进行浸泡处理后，对待处理件进行水洗处理；进行水洗处理后，对待处理件进行脱水处理；进行脱水处理后，对待处理件进行烘干处理。

15、可选的，待处理件包括镀锡产品或镀铜产品。

16、可选的，对待处理件进行浸泡处理的步骤中，浸泡处理的处理温度为35℃至50℃。

17、可选的，进行浸泡处理后，进行脱水处理之前，进行多次水洗处理。

18、可选的，对待处理件进行水洗处理的步骤中，水洗处理的处理时间为2min至5min。

19、可选的，对待处理件进行脱水处理的步骤中，采用乙醇或异丙醇进行脱水处理。

20、可选的，对待处理件进行脱水处理的步骤中，脱水处理的处理时间为2min至5min。

21、可选的，对待处理件进行烘干处理的步骤中，烘干处理的处理温度为100℃至130℃。

22、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

23、本发明实施例提供的清洗剂中，清洗剂包括有机酸、添加剂和水，添加剂包括表面活性剂和缓蚀剂，其中表面活性剂为非离子表面活性剂；本发明实施例中，采用有机酸实现清洗剂的清洗功能，对被清洗的产品，能够实现较好的清洗效果，且对产品的腐蚀作用较小，有利于进行较好的清洗且减少清洗的损伤，表面活性剂具有润湿性好且易清洗的功能，有利于增强清洗剂的清洗能力，同时采用缓蚀剂有利于进一步减少清洗剂的腐蚀作用，而且，表面活性剂为非离子表面活性剂，有利于减少产品表面的离子，从而减少产品表面的氧化反应，保持产品表面质量，从而使得采用本发明实施例的清洗剂的清洗时间减短，提高了清洗效率，进而有利于提高产品的每小时产出(units per hour，uph)。

24、本发明实施例提供的清洗方法中，采用本发明实施例提供的清洗剂，对待处理件进行浸泡处理；本发明实施例中，采用本发明实施例提供的清洗剂，对待处理件进行浸泡处理，以对待处理件进行清洗，其中，采用有机酸实现清洗剂的清洗功能，能够实现较好的清洗效果，且对待处理件的腐蚀作用较小，有利于进行较好的清洗且减少清洗的损伤，表面活性剂具有润湿性好且易清洗的功能，有利于增强清洗剂的清洗能力，同时采用缓蚀剂有利于进一步减少清洗剂的腐蚀作用，而且，表面活性剂为非离子表面活性剂，有利于减少待处理件表面的离子，从而减少待处理件表面的氧化反应，保持待处理件表面质量，从而有利于减短本发明实施例的清洗方法的清洗时间，提高了清洗效率，进而有利于提高待处理件的每小时产出(units per hour，uph)。

25、可选方案中，进行水洗处理后，进行烘干处理前，还对待处理件进行脱水处理，有利于缩短烘干处理的处理时间，从而有利于提高待处理件的清洗效率。

技术特征：

1.一种清洗剂，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述有机酸包括甲基磺酸和烷基磺酸中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述清洗剂中，所述有机酸的质量分数大于或等于5wt％。

4.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述清洗剂中，所述有机酸的质量分数范围为5wt％-25wt％。

5.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述非离子表面活性剂包括长链脂肪酸聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪酸聚氧乙烯脂中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述清洗剂中，所述表面活性剂的质量分数范围为0.5wt％-2wt％。

7.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述缓蚀剂包括硫酸钾和过硫酸氢钾中的一种或多种。

8.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述清洗剂中，所述缓蚀剂的质量分数范围为3wt％-8wt％。

9.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述添加剂还包括阻燃剂。

10.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述清洗剂中，所述添加剂的质量分数范围为3.5wt％-10wt％。

11.如权利要求1所述的清洗剂，其特征在于，所述水为去离子水。

12.一种清洗方法，其特征在于，包括：

13.如权利要求12所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括：进行所述浸泡处理后，对所述待处理件进行水洗处理；

14.如权利要求12所述的清洗方法，其特征在于，所述待处理件包括镀锡产品或镀铜产品。

15.如权利要求12所述的清洗方法，其特征在于，对待处理件进行浸泡处理的步骤中，所述浸泡处理的处理温度为35℃至50℃。

16.如权利要求13所述的清洗方法，其特征在于，进行所述浸泡处理后，进行所述脱水处理之前，进行多次所述水洗处理。

17.如权利要求13所述的清洗方法，其特征在于，对所述待处理件进行水洗处理的步骤中，所述水洗处理的处理时间为2min至5min。

18.如权利要求13所述的清洗方法，其特征在于，对所述待处理件进行脱水处理的步骤中，采用乙醇或异丙醇进行所述脱水处理。

19.如权利要求13所述的清洗方法，其特征在于，对所述待处理件进行脱水处理的步骤中，所述脱水处理的处理时间为2min至5min。

20.如权利要求13所述的清洗方法，其特征在于，对所述待处理件进行烘干处理的步骤中，所述烘干处理的处理温度为100℃至130℃。

技术总结
一种清洗剂及清洗方法，清洗剂包括：有机酸；添加剂，包括表面活性剂和缓蚀剂；水。本发明采用有机酸实现清洗剂的清洗功能，对被清洗的产品，能够实现较好的清洗效果，且对产品的腐蚀作用较小，有利于进行较好的清洗且减少对产品的损伤，有利于提高产品的每小时产出。

技术研发人员：赵丹,周娜,廖添政,濮虎
受保护的技术使用者：江苏长电科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/21