专利名称：研磨液组合物的制作方法
专利说明研磨液组合物 本发明涉及研磨液组合物，使用该研磨液组合物的用于减少基板表面缺陷的方法和使用上述研磨液组合物的基板的制造方法。在近年的存储硬盘驱动器中，为了谋求高容量·小直径化而提高记录密度，要求降低磁头的浮上量，而且强调要减小单位记录面积。与之相应，对磁盘用基板的制造工序中对研磨后要求的表面品质逐年严格，对应于磁头的低浮上，要求提高表面平滑性和降低表面缺陷。
对于这种要求，提出了针对表面粗糙度Ra、Rmax、刮痕、坑、凸起等表面平滑性进行改进的研磨液组合物(参照专利文献1，2)。可是，这种表面平滑性提高的结果，新发现一些以往未检测出的坑和凸起等的表面缺陷，因此，减少这类现象的发生成为目前的问题。特开平JP 11-167715号公报(权利要求1)[专利文献2]特开平JP 11-246849号公报(权利要求1)(美国专利US6149696)[发明内容]本发明的目的是提供一种可作为存储硬盘的基板研磨、特别是作为精加工研磨用的，可以减少坑或凸起等表面缺陷的研磨液组合物，使用该研磨液组合物的用于减少基板表面缺陷的方法以及使用上述研磨液组合物的基板的制造方法。即本发明的要点是(1)研磨液组合物，它是一种含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物，其中，在1kg研磨液组合物中的铜(Cu)的含量在1mg以下；(2)用于减少基板表面缺陷的方法，其中，在向基板或研磨台供给一种含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，在向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下；以及(3)基板的制造方法，该方法包括下述研磨工序，即，在向基板或研磨台供给一种含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，在向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下。通过将本发明的研磨液组合物用于精密部件用基板的研磨、具体地讲用于存储硬盘的基板研磨，特别是精加工研磨可以实现所谓获得一种坑或凸起已减少了的基板的效果。本发明的研磨液组合物的特征在于，它是一种含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物，其中，在1kg研磨液组合物中的铜(Cu)的含量在1mg以下。如此，通过在例如存储硬盘的基板研磨、特别是精加工研磨中，使用以前完全没有考虑过的将研磨液组合物中的铜的含量调节到特定量以下的本发明的研磨液组合物，发现了所述可以减少坑或凸起等表面缺陷的优异效果。
本发明中，Cu的含量可以通过用氢氟酸、硝酸等处理研磨液组合物来除去二氧化硅等中干扰Cu定量分析的元素，待Cu溶解后，用4重极型电感耦合等离子体质量分析装置(ICP质量分析装置)进行定量分析而得到。作为ICP质量分析装置，可列举セイコ一インスツルメンツ公司制造，“SPQ-8000(高灵敏度使用)”(商品名)。
从减少基板表面缺陷的角度考虑，Cu的含量在研磨液组合物中为1mg/kg以下，优选为0.5mg/kg以下，更优选为0.1mg/kg以下，进一步优选为0.07mg/kg以下，特别优选为0.05mg/kg以下，更特别优选为0.03mg/kg以下，最优选为0.02mg/kg以下。
为了将Cu的含量降低到特定量以下，必须降低用于配制研磨液组合物的各种原料中的Cu含量。必须选择控制在低浓度下的上述原料，另外，作为研磨液组合物，优选采取在其制造中除去各种原料中的Cu，以及在制造后的精制中防止来自制造设备的污染的对策等。例如，胶态二氧化硅作为磨料使用时，成为其原料的二氧化硅碎玻璃等的制造中，原矿的选择、充分精制也是必要的，而且直至制造装置、设备采用防止Cu污染的各种对策都是必要的。
另外，在本发明中，从可以充分减少坑或凸起等的表面缺陷的角度考虑，优选除Cu之外的离子化倾向比Ni小的金属元素的含量要少。所谓除Cu之外的离子化倾向比Ni小的金属元素是指Sn、Pb、Ag、Pt、Au等。其中特别优选Sn、Pb的含量要少。
这些除Cu之外的离子化倾向比Ni小的金属元素中的各种金属的含量，在研磨液组合物中优选为1mg/kg以下，更优选为0.5mg/kg以下，进一步优选为0.1mg/kg以下，更进一步优选为0.07mg/kg以下，特别优选为0.05mg/kg以下，更特别优选为0.03mg/kg以下，最优选为0.02mg/kg以下。其中最优选上述除Cu之外的离子化倾向比Ni小的金属元素和Cu的总含量在1mg/kg以下。
本发明中，上述Cu以及除Cu之外的离子化倾向比Ni小的金属元素(以下，简单地统称为“金属元素”)包含以金属、无机金属盐、有机金属化合物、离子等的所有形态存在的物质。
这些金属元素，是从组成研磨液组合物的下述磨料或酸、氧化剂等添加剂、水的各种成分中带入的，也可以从制造研磨液组合物的装置中带入。因此，本发明的研磨液组合物中，优选使用这些金属元素的含量少的成分，而且制造研磨液组合物的装置，优选不使用含有这些金属元素的部件，以使得研磨液组合物中的金属元素的含量不超过上述范围。例如，对来自用于研磨液的配制、保管、或输送的容器中的金属元素，特别是铜的带入必须特别注意，优选使用树脂容器、或聚丙烯、聚乙烯等的树脂涂覆或内衬的金属制容器。对于供给研磨液组合物的管道也是同样的要求。
对于本发明中使用的磨料，可以使用一般用于研磨的磨料。作为该磨料，可以列举的是金属、金属或半金属的碳化物、氮化物、氧化物、硼化物；金刚石等。金属或半金属元素为源自周期表(长周期型)的2A、2B、3A、3B、4A、4B、5A、6A、7A或8族的那些元素。作为磨料的具体例，可以列举的是氧化铝、碳化硅、金刚石、氧化镁、氧化锌、氧化钛、氧化铈、氧化锆、二氧化硅等，从提高研磨速度的角度考虑优选使用这些物质中的1种以上。其中，氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛等适合半导体晶片或半导体元件、磁记录介质用基板等精密部件用基板的研磨。对于氧化铝，已知的有α、θ、γ等各种结晶种类，可以根据用途适当选择、使用。其中，二氧化硅，特别是胶态二氧化硅，适合需要更高平滑性的高记录密度存储磁盘用基板的最终精加工研磨用途或半导体器件基板的研磨用途。
磨料的原始颗粒的平均粒径在200nm以下，从提高研磨速度的角度来看，优选10-200nm，更优选20-150nm，特别优选50-100nm。而且，在原始颗粒凝聚形成二次颗粒时，同样从提高研磨速度的角度以及从降低被研磨物表面粗糙度的角度来看，这种二次颗粒的平均粒径优选为50-3000nm，更优选为100-1500nm，特别优选为200-1200nm。磨料的原始颗粒的平均粒径，可以用扫描型电子显微镜或透过型电子显微镜观察(适合的是3000-500000倍)进行图像分析，通过测定2轴平均直径而求出。另外，二次颗粒的平均粒径，可以用激光衍射法测定体积平均粒径。
另外，本发明中，从降低表面粗糙度(Ra、Rmax)、弯曲(Wa)，减少刮痕等的表面缺陷，提高表面质量的角度来看，更优选使用二氧化硅颗粒作为磨料。作为二氧化硅，可以列举的是胶态二氧化硅颗粒、硅镁石二氧化硅颗粒，表面修饰的二氧化硅颗粒等，其中，优选胶态二氧化硅颗粒。而且，胶态二氧化硅颗粒，例如可以通过从硅酸水溶液中生成的制法获得。
从提高研磨速度角度来看，二氧化硅颗粒的原始颗粒的平均直径，优选为1nm以上，更优选10nm以上，进一步优选20nm以上，从降低表面粗糙度(Ra、Rmax)、弯曲(Wa)的角度来看，优选为200nm以下，更优选150nm以下，进一步优选120nm以下，特别优选100nm以下。该原始颗粒的平均粒径，优选1-200nm，更优选1-150nm，进一步优选10-120nm，特别优选20-100nm。而且，该二氧化硅颗粒的粒径可以用透过型电子显微镜观察(适合的是3000-500000倍)进行图像分析，通过测定2轴平均直径而求出。
而且，从达到经济的研磨速度的角度以及达到优异的表面平滑性、无表面缺陷的良好表面质量的角度来看，二氧化硅颗粒优选显示为从小粒径一侧累计粒径分布(个数基准)成为50％的粒径(D50)优选为10-200nm，更优选为20-150nm，最优选30-120nm的粒径分布。
本发明中，通过使用含有上述所示粒径分布的二氧化硅颗粒的研磨液组合物，发现所谓研磨后的基板表面粗糙度小，而且不产生凸起或研磨伤痕等表面缺陷，可以以经济的速度研磨被研磨基板的效果。
从提高研磨速度的角度来看，研磨液组合物中磨料的含量优选为0.5重量％以上、更优选为1重量％以上、进-步优选为3重量％以上、特别优选为5重量％以上，另外，从提高表面质量的角度以及经济性的角度来看，优选为20重量％以下、更优选为15重量％以下、进一步优选为13重量％以下，特别优选为10重量％以下。
即，该含量优选为0.5-20重量％、更优选为1-15重量％、进一步优选为3-13重量％、特别优选为5-10重量％。
作为本发明中所使用的酸，优选pK1在7以下的化合物，从降低细小刮痕的角度来看，希望的是显示pK1为3以下、更优选为2.5以下、进一步优选为2以下、特别优选为1.5以下、最优选pK1无法表示程度的强酸性的化合物。作为酸的实例可以列举的是硝酸、硫酸、亚硫酸、过硫酸、盐酸、高氯酸、磷酸、膦酸、次膦酸、焦磷酸、乙二酸、氨基磺酸、天冬氨酸、2-氨基乙基膦酸、谷氨酸、吡啶甲酸等。其中，从降低细小刮痕的角度来看，优选硝酸、硫酸、盐酸以及高氯酸。这些酸可以单独使用或混合2种以上使用。这里，所谓pK1，作为有机化合物或无机化合物的酸离解常数(25℃)的倒数的对数值，通常用pKa表示，其中，酸的第一离解常数的倒数的对数值就是pK1。各种化合物的pK1例如在修订第4版化学手册(基础篇)II，316-325页(日本化学会编)等中记载。而且，本发明中，从兼有减少细小刮痕和提高研磨速度的观点来看，特别优选使用pK1为2以下的酸。
而且，本发明中，可以使用上述酸的盐来代替酸。作为与盐相应的离子，可以列举的是离子化倾向比Ni大的金属元素，可以列举的有铵离子等，其中优选钠离子、镍离子、钾离子、铁离子、铵离子等。
酸及其盐在研磨液组合物中的含量，从充分发挥研磨速度的观点以及提高表面质量的观点来看，优选为0.0001-5重量％、更优选为0.0003-3重量％、进一步优选为0.001-2重量％、特别优选为0.0025-1重量％。
而且，本发明的研磨液组合物，在必要时可以配合其他成分。作为其他成分，从提高研磨速度的观点来看，优选配合进氧化剂。另外，作为该其他成分，可以列举的是增粘剂、分散剂、防锈剂、碱性物质、表面活性剂等。
作为本发明中使用的氧化剂，可以列举的是过氧化物、高锰酸或其盐、铬酸或其盐、硝酸或其盐、过酸或其盐、氧化酸或及其盐、金属盐类、硫酸类等。
作为上述过氧化物，可以列举的是过氧化氢、过氧化钠、过氧化钡等，作为高锰酸或其盐，可以列举的是高锰酸钾等；作为铬酸或其盐，可以列举的是铬酸的金属盐、二铬酸的金属盐等；作为硝酸或其盐，可以列举的是硝酸铁(III)、硝酸铵等；作为过酸或其盐，可以列举的是过二硫酸、过二硫酸铵、过二硫酸金属盐、过磷酸、过硫酸、过硼酸钠、过甲酸、过乙酸、过苯甲酸、过钛酸等；作为氧化酸或其盐，可以列举的是次氯酸、次溴酸、次碘酸、氢氯酸、氢溴酸、氢碘酸、次氯酸钠、次氯酸钙等；作为金属盐，可以列举的是氯化铁(III)、硫酸铁(III)、柠檬酸铁(III)、硫酸铵铁(III)等。作为优选的氧化剂，可以列举的是过氧化氢、硝酸铁(III)、过乙酸、过二硫酸铵、硫酸铁(III)以及硫酸铵铁(III)等。特别是，从表面上不附着金属离子通常使用便宜的角度来看，优选过氧化氢。这些氧化物，可以单独使用也可以混合2种以上使用。
从提高研磨速度的角度来看，研磨液组合物中的氧化剂的含量优选为0.002重量％以上、更优选为0.005重量％以上、进一步优选为0.007重量％以上、特别优选为0.01重量％以上，从降低表面粗糙度、弯曲，减少坑、刮痕等表面缺陷来提高表面质量的角度和经济性的角度来看，优选为20重量％以下、更优选为15重量％以下、进一步优选为10重量％以下、特别优选为5重量％以下。该含量优选为0.002-20重量％、更优选为0.005-15重量％、进一步优选为0.007-10重量％、特别优选为0.01-5重量％。
本发明的研磨液组合物中的水，是作为介质使用的，其在研磨液组合物中的含量，从高效率研磨被研磨物的角度来看，优选为55重量％以上、更优选为67重量％以上、进一步优选为75重量％以上、特别优选为84重量％以上，而且优选为99.4999重量％以下、更优选为98.9947重量％以下、进一步优选为96.992重量％以下、特别优选为94.9875重量％以下。该含量优选为55-99.4999重量％、更优选为67-98.9947重量％、进一步优选为75-96.992重量％、特别优选为84-94.9875重量％。
而且，上述研磨液组合物中的各成分的浓度，可以是该组合物制造时的浓度以及使用时的浓度的任一种。通常制造研磨液组合物的浓缩液，使用时将其稀释后使用的情况多些。
本发明的研磨液组合物，可以通过公知方法将磨料、酸和/或其盐、水、必要时氧化剂等的其他成分等混合来配制。
本发明的研磨液组合物的pH值，优选根据被加工物的种类和要求的性能适当地决定。不能根据被研磨物的材料一概地限定，但是从提高研磨速度的角度来看，一般金属材料中的pH优选为酸性，优选不到7.0、更优选6.0以下、进一步优选5.0以下、特别优选在4.0以下。另外，从对人体的影响和机械的腐蚀性的角度来看，pH优选在1.0以上、更优选在1.2以上、进一步优选在1.4以上、特别优选在1.6以上。特别是以电镀镍—磷(Ni-P)的铝合金金属板等的金属作为主对象的精密部件基板中，从提高研磨速度的角度来看，优选pH为酸性，从提高研磨速度的角度来看优选pH在4.5以下、更优选4.0以下、进一步优选3.5以下、特别优选在3.0以下。因而，可以结合应予重视的目的来设定pH，特别是以电镀镍—磷(Ni-P)的铝合金金属板等作为主对象的金属精密部件基板中，综合上述观点，优选pH为1.0-4.5，更优选1.2-4.0、进一步优选1.4-3.5、特别优选1.6-3.0。pH值可以通过将硝酸、硫酸等无机酸或乙二酸等有机酸、铵盐、氨水、氢氧化钾、氢氧化钠、胺等碱性物质，按照所需量混合来调整。
具有上述组成的本发明的研磨液组合物，可以使用公知的研磨方法来减少基板的表面缺陷并发挥高的研磨速度。此时，可以使用本发明的研磨液组合物本身，或通过把组成本发明的研磨液组合物的各种成分混合来配制成研磨液组合物使用。
以本发明的研磨液组合物作为对象的被研磨物的材料，可以列举的是例如二氧化硅、铝、镍、钨、铜、钽、钛等金属或半金属及其合金、以及玻璃、玻璃状碳、非晶碳等的玻璃状物质、氧化铝、二氧化硅、氮化硅、氮化钽、碳化钛等陶瓷材料、聚酰亚胺树脂等的树脂等。其中，优选铝、镍、钨、铜等的金属以及主成分为上述金属的合金为被研磨物，或者半导体元件等的半导体基板这样包含上述金属的被研磨物，特别优选电镀Ni-P的铝合金基板。
对被研磨物的形状没有特别的限制，例如具有盘状、片状、板状、菱形等平面部分的形状，或具有透镜等曲面部分的形状是使用本发明的研磨液组合物的研磨对象。其中，盘状的被研磨物的研磨特别优良。
本发明的研磨液组合物，适合用于精密部件基板的研磨。例如，适合磁盘、光盘、光磁盘等磁记录介质的基板、光掩模板、光学透镜、光学镜、光学棱镜、半导体基板等的精密部件基板的研磨。半导体基板的研磨，可以在硅晶片(裸晶片)的抛光工艺、填充元件分离膜的形成工序、层间绝缘膜的平坦化工序、填充金属配线的形成工序、填充电容器形成工序等中进行。本发明研磨液组合物，特别适合磁盘用基板，其中基板表面含有Ni元素的磁盘基板的研磨。作为这样的磁盘基板，可以列举的是电镀Ni-P等的磁盘基板等。而且，本发明的研磨液组合物，适合于上述磁盘用基板的精加工研磨。
作为使用本发明的研磨液组合物的研磨方法，可以列举的是例如通过稀释研磨液组合物，然后用粘贴无纺布状的有机高分子类研磨布等的研磨盘夹紧基板，将上述稀释的研磨液用泵等吸取并通过管道供给到上述研磨面上，通过加上一定压力使研磨盘或基板运动研磨的方法等。此时，用于稀释研磨液的容器或储罐、管道、泵等与研磨液接触的部件，为了避免金属元素、特别是铜混入，优选使用特氟隆(登记商标聚四氟乙烯)等树脂包覆的金属，或聚硅氧烷树脂等的树脂制的部件。因而，上述方法为，在向基板或研磨台供给含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下的方法，通过使用这种方法，可以有效地抑制坑或凸起等的表面缺陷的产生，并且可以提高研磨速度。即上述研磨方法为减少基板表面缺陷的方法。
本发明的基板的制造方法，含有使用上述研磨液组合物的研磨工序。这种研磨工序可以使用上述研磨方法，具体可列举的是在向基板或研磨台供给含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜的含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下的研磨工序。本发明中，该研磨工序，优选在多个研磨工序中的第2工序以后进行，特别优选在最后的研磨工序中进行。其中，从基板的腐蚀量少、不容易产生表面缺陷的观点来看，在本发明的基板的制造方法中，优选在研磨工序中的表面研磨精加工工序中使用上述研磨液组合物。
制造的基板，除了可以减少坑、凸起等的表面缺陷外，还具有优异的表面平滑性。
如上所述，使用本发明的制造方法，在向基板或研磨台供给该研磨液组合物时，通过控制1kg该研磨液组合物中的铜含量为1mg以下，可以高生产效率地制造坑、凸起等的表面缺陷少的高质量的基板。
本发明的研磨液组合物，在抛光工序中特别有效，除此之外的研磨工序，例如在浸渍工序等中，同样可以适用。
(被研磨物)作为被研磨物，将电镀Ni-P的基板预先用含有氧化铝磨料的研磨液进行粗研磨，使用那些基板表面粗糙度为1nm，厚度0.8mm的Ф95mm的铝合金基板(以下称作电镀Ni-P的被研磨基板)进行评价。
实施例1-8以及比较例1-4如表1所示，将胶态二氧化硅A[平均粒径(D50)30nm，SiO2浓度40重量％，铜含量30μg/kg]或胶态二氧化硅B[平均粒径(D50)50nm，SiO2浓度30重量％，铜含量100μg/kg]、硫酸或硫酸盐、35％过氧化氢水溶液、60％1-羟亚乙基-1，1-二膦酸和离子交换水，向10L容积的聚乙烯反应器中添加、混合，得到铜含量不同的pH2的研磨液组合物。而且，研磨液组合物中的各种成分的含量，如表1所示，其中过氧化氢水溶液0.3重量％、1-羟亚乙基-1，1-二膦酸0.5重量％、余量为水。
另外，研磨液组合物以及在向被研磨基板供给之前采用的研磨液组合物中的铜含量，是通过用氢氟酸、硝酸等处理研磨液组合物来除去二氧化硅等中干扰Cu定量分析的元素，待Cu溶解后，用4重极型电感耦合等离子体质量分析装置(ICP质量分析装置セイコ一インスツルメンツ公司制造，商品名SPQ-8000(高灵敏度使用))进行定量分析而得到。
向塑料袋(低密度聚乙烯制，装夹，25×15cm)中、加入所得的研磨液组合物500g和表面电镀Ni-P的被研磨基板1片，抽出空气，加热至35℃同时静置，1天后以及5天后取出基板，测定基板的重量变化，同时观察表面状态并按下述标准评价。结果如表1所示。而且，使用强光(高强度卤素灯)、对基板表面进行目测来观察基板。
◎保持光泽○光泽减少一点△光泽少，有一点变白×变白本发明中，合格品为◎、○、△。
1)胶态二氧化硅的含量为研磨液组合物中的重量％2)硫酸镍硫酸镍6水合盐3)硫酸铜硫酸铜6水合盐4)配制完成后聚乙烯袋中的研磨液组合物中的铜含量。实施例1和实施例3中向被研磨基板供给之前的研磨液组合物中的铜含量，与聚乙烯袋内的研磨液组合物中的相同。
实施例9、10以及比较例5，6使用实施例1、2及比较例1、2中使用的研磨液组合物，按以下两面加工机的设定条件将电镀Ni-P的被研磨基板抛光后，通过以下洗净机洗净、研磨，获得作为磁记录介质用基板使用的电镀Ni-P的铝合金基板的研磨物。
下述表示了研磨条件<研磨条件的设定条件>
两面加工机スピ一ドファ一ム(公司)制9B型两面加工机加工压力8kPa研磨台Bellatrix N0058(钟纺(公司)制)平台旋转数30r/min研磨液组合物供给量30ml/min研磨时间5分放入基板的片数10片另外，研磨液组合物，从聚乙烯储罐通过的聚硅氧烷管道，用管道泵向被研磨基板供给。
<洗净机>
使用日立电子エンヅニアリンゲ(公司)制“スクラブ-SS-5250-05”(商品名)，洗净时间10秒，擦洗2次洗净后，在60℃离子交换水中进行离心干燥。
使用微分干涉式显微镜(对物透镜50倍，检测倍率28倍，实质倍率1400倍)，对洗净后的基板观察其表面的最小凸起或复杂的坑，根据以下的方法进行评价。表2中表示了结果。
基板表面的坑、微小凸起的评价法取研磨后任意的5片，观察全部里外面计10面的XY方向，将这些个数作为每1面的XY观察个数，将其平均，按下述标准评价。
◎坑、凸起在0.3个以下○坑、凸起超过0.3个，1个以下Δ坑、凸起超过1个，10个以下×坑、凸起超过10个本发明中，合格品为◎、○。
通过表1的结果可知，实施例1-8所得的研磨液组合物与铜含量多的比较例1-4所得的研磨液组合物相比，基板重量的减少(腐蚀量)小，因此基板上保持光泽，基板上几乎没有缺陷产生。
另外，通过表2的结果可知，使用铜含量少的研磨液组合物的实施例9、10，与使用铜含量多的研磨液组合物的比较例5、6相比，坑以及细小凸起的表面缺陷明显少。本发明的研磨液组合物，可以适合用于精密部件基板，例如磁盘、光盘、光磁盘等磁记录介质的基板、光掩模基板、光学透镜、光学镜、光学棱镜、半导体基板等的精密部件基板的研磨。
权利要求
1.研磨液组合物，它是一种含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物，其中，在1kg研磨液组合物中的铜(Cu)的含量在1mg以下。
2.根据权利要求1所述的研磨液组合物，其中的磨料为胶态二氧化硅。
3.权利要求1或2所述的研磨液组合物，用于基板表面上含有Ni元素的磁盘基板的研磨。
4.用于减少基板表面缺陷的方法，其中，在向基板或研磨台供给一种含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，在向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下。
5.基板的制造方法，该方法含有下述研磨工序，即，在向基板或研磨台供给一种含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，在向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下。
6.根据权利要求5所述的基板的制造方法，其中的研磨工序为表面研磨的精加工工序。
全文摘要
本发明提供了作为存储硬盘的基板研磨、特别是精加工研磨用的，可以减少坑或凸起等表面缺陷的研磨液组合物，使用该研磨液组合物来减少基板表面缺陷的方法以及使用上述研磨液组合物的基板的制造方法。一种研磨液组合物，它含有磨料、酸和/或其盐和水，其中，在1kg研磨液组合物中的铜(Cu)含量在1mg以下。一种用于减少基板表面缺陷的方法，其中，各基板或研磨台供给一种含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，使向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下。以及，一种具有研磨工序的基板的制造方法，其中，在向基板或研磨台供给含有磨料、酸和/或其盐、水的研磨液组合物来研磨基板时，使向基板或研磨台供给的该研磨液组合物中的铜含量，在1kg该研磨液组合物中为1mg以下。
文档编号C09G1/02GK1502667SQ200310120369
公开日2004年6月9日 申请日期2003年10月30日 优先权日2002年10月30日
发明者萩原敏也, 藤井滋夫, 原敏也, 夫 申请人:花王株式会社