专利名称：发光二极管组件及其制造方法
技术领域：
本发明是有关于一种发光二极管组件及其制造方法，尤其是关于一种包含铕致活的碱土族氧化物、铕致活硅酸盐、铕致活准硅酸盐或铕致活过氧磷酸盐荧光材料的发光二极管组件及其制造方法。
背景技术：
由于发光二极管(light emitting diode；LED)有体积小、发光效率高及寿命长等优点，因此被认为是次世代绿色节能照明的最佳光源。另外液晶显示屏的快速发展及全彩屏幕的流行趋势，使白光系发光二极管除了应用于指示灯及大型显示屏等用途外，更切入广大的消费性电子产品，例如手机及PDA。
目前发光二极管的种类可依照其所使用的半导体材料来分类，例如GaAs、GaAs1-xPx或GaP等系列。此外，若在GaAs1-xPx、GaP系列半导体材料中掺杂氮原子，则可以产生不同颜色的光线。一般而言，发光二极管所发出的光线具有单色性波长的特性，至于该波长的长短是根据可发光的电子转移过程中的能量变化而定，目前实际上使用的波长包含红外光、红光、绿光、黄光及蓝光等。在人体视觉中，可藉由红、绿、蓝三种不同颜色光的感应而产生多种颜色的感觉，因此称红、绿、蓝三色为光的「三原色」。
若将红、绿、蓝三种不同波长的发光二极管光源邻接配置，将可因为混光而得到白光(white color)及其它中间色(neutral color)的颜色光。美国专利第5,995,070号揭露采用邻接不同的光源做为显示装置，其中每一像素是由一红光源、一蓝光源以及两绿光源的二极管所组成。上述利用不同波长的发光二极管混光所产生的白光因是整合不同电性的发光二极管所构成，必须分别以适合的驱动电路控制，而在系统设计上较为复杂。
另外美国专利第6,614,179号揭露以发光二极管产生蓝光，该蓝光会激发荧光剂(phosphor)而产生黄光，藉由两种互补色(complementary color)光源混光后形成白光，其中蓝光波长为420nm～490nm，以及黄色荧光剂是由{[(Y，Gd)Sm](AlGa)O:Ce}所组成。但此方式所产生的白光对于物体真实色彩的表现较差，亦即色温(color temperature)较高而致使演色性指数(colorrendering index)不佳。
此外以日本住友电工所开发的硒化锌(ZnSe)白光发光二极管组件而言，仍是利用两互补色光线来产生白光。该发光二极管组件是在硒化锌基板上成长一磊晶层，其主要发光结构是由周期表上II-VI族材料所组成，例如硒化锌镉/硒化锌(ZnCdSe/ZnSe)的量子井(quantum well)，其在灌入正向电流后，该量子井部分会发射出蓝光，互补色光线则是利用掺杂的硒化锌基板做为荧光材料所产生。在美国专利第6,337,536号中揭露该掺杂物可以为碘(I)、氯(Cl)、溴(Br)、铝(Al)、镓(Ga)及铟(In)等。利用自身活化(Self-activated；SA)的发光机制，使基板在照射短波长光线后会发射中心波长在550nm到650nm的宽光谱的荧光。当芯片被施加电流后，量子井磊晶层可发出蓝光，部分蓝光经有掺杂的硒化锌基板吸收后会产生红黄光。两种光线经过混光后，会使芯片本身呈现白光体。此方法亦是利用两色互补的方式来产生白光，适用于产生较低色温的白光。与美国专利第6,614,179号及第6,337,536号两者相较，前者缺乏红光区域波长的光线，而后者是缺乏绿光区域波长的光线，因此在演色性上皆不易被提高。
因此若要发展一高演色性的白光，必须藉由控制或调整光源发出光线中所含各色光的比例，使其与自然光的组成比例相近，则其所呈现物体的色彩能较为逼真。另在荧光材料的研发上，目前的方法皆以钇铝石榴石晶体(化学式X3(A3B2)O12)的组成成分为研发重点，如YAG荧光体结构中的Y3(Al3Al2)O12、(Y3-xCex)Al5O12、(Y2.9Tb0.05)Al5O12、及(Y2.95-aCe0.05Gda)(Al5-bGab)O12等，希望藉由两种以上的荧光体的混合来产生较高演色性的白光发光二极管。此外，不同平均颗粒尺寸(d50)的荧光体亦会造成发光波长及发光强度的不同。除铈致活的钇铝石榴石晶体外，另有德国Tridonic Optoelectronics GMBH等公司在PCT国际专利申请案WO 02/054502中所揭露的荧光材料，其化学式如下所示(2-x-y)SrOx(Ba，Ca)O(1-a-b-c-d)SiO2aP2O5bAl2O3cB2O3dGeO2:yEu2+。可藉由改变荧光材料的成份而调整色温，或者可加入红色荧光材料Y(V，P，Si)O4:Eu等来调整色度坐标。
综上所述，市场上亟需要一种与自然光的组成比例相近的发光组件，其拥有较佳的发光效率及亮度发明内容本发明的目的是提供一种发光二极管组件及其制造方法，其是利用半导体荧光材料吸收发光二极管芯片产生的光，而发出波长异于该发光二极管芯片所发光线的荧光光线，最后混合发光二极管芯片所发出的光线及荧光光线以形成一多波长的发光二极管组件。
本发明的另一目的是藉由改变半导体荧光材料的组成比例而产生如粉红(pink)或带紫色的粉红光(purplish pink)等白光系的中间色光源。
为达到上述目的，本发明揭示一种发光二极管组件及其制造方法，该发光二极管组件包含一能产生初始颜色光的发光二极管芯片及一的荧光材料。该荧光材料是由一铕致活的碱土族氧化物、一铕致活硅酸盐、一铕致活准硅酸盐及一铕致活过氧磷酸盐中至少一种化合物所组成，且会吸收部分该初始颜色光，并释放出不同于该初始颜色光的荧光光线。该初始颜色光与该不同波长频谱的荧光光线会混合为一白光系光线，且会自该发光二极管组件射出而成为白色发光源。
另外，可以改变荧光材料中不同化合物的组成比例，而产生其它白光系中间色光线。
该发光二极管芯片可以是氮化物系(InGaAlN)半导体的发光二极管或硒化锌(ZnSe)系的发光二极管，尤其以氮化物系半导体的发光二极管为较佳。
该铕致活的碱土族氧化物是以氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)及氧化钡(BaO)其中至少一种物质为主体，其活化剂(activator)为二价铕Eu2+。
该铕致活硅酸盐的主体化学式为A2SiO4，其中A是选自锶、钙、钡、镁(Mg)、锌(Zn)及镉(Cd)中至少一个。
该铕致活准硅酸盐的主体化学式为ASiO3，其中A是选自锶、钙、钡、镁、锌及镉中至少一个。
该铕致活过氧磷酸盐的主体化学式为(A1-x-yBxCy)2P2O7，其中A是选自锶、钙、钡、镁、锌及镉中至少一者；B是选自铕、锰(Mn)、钼(Mo)及铈(Ce)中至少一个；C是选自铕、锰、钼及铈中至少一个。
该发光二极管组件的制造方法是先提供一可发出初始光线的初始光源，其中该初始光源是将一发光二极管芯片固定及电性连结于一支撑载体上。该支撑载体可为一导线架或基板。然后覆盖一模构件于该初始光源上，及使一荧光材料置于该初始光线可照射处，该荧光材料是由一铕致活的碱土族氧化物、一铕致活硅酸盐、一铕致活准硅酸盐及一铕致活过氧磷酸盐中至少一种化合物所组成。藉由该荧光材料吸收一部分该初始光线后，就能产生波长相异的荧光，而混合该初始光线及荧光即可使该发光二极管组件成为一多波长光源。
图1(a)～1(b)是以波长为455nm的蓝光发光二极管芯片激发铕致活的准硅酸锶钡的发光光谱图；图2是本发明发光二极管组件的第一实施例的示意图；图3是本发明发光二极管组件的第二实施例的示意图；图4是本发明发光二极管组件的第三实施例的示意图；图5是本发明发光二极管组件的第四实施例的示意图。
图中符号说明20发光二极管组件21荧光材料22芯片 23导线架23a阴极 23b阳极24模构件25金属导线30发光二极管组件31荧光材料34模构件40发光二极管组件42芯片 43基板43a P型导电铜箔 43b N型导电铜箔
43c绝缘层 44模构件45金属导线 411、412荧光材料层50发光二极管组件51阴极52阳极 53模构件54菱形窗面具体实施方式
在氧化物、硅酸盐、准硅酸盐、及过氧磷酸盐的材料领域上，已发现有许多的材料其本体经过成份改变及活化剂致活后，会改变其吸收光谱及荧光光谱。图1(a)～1(b)所示是以波长为455nm的蓝光发光二极管芯片激发铕致活的准硅酸锶钡的发光光谱图。由图1(a)可知铕致活的氧化锶钡发出光线的主峰波长在540nm左右。然藉由改变铕、锶及钡的成分比例可调整其发出光线的主峰波长，如图1(b)所示，当增加铕的成分并降低钡的成分比值时，其所发出光线的主峰波长是在565nm左右。
本发明所提供的发光二极管组件主要包含有发光二极管芯片及荧光材料，其中该荧光材料即可以采用图1(a)及1(b)中所揭露的铕致活的氧化锶钡粉末。当发光二极管芯片发出初始光线时，例如蓝光或紫外光等，铕致活的准硅酸锶钡荧光材料会吸收其中一部分光线并产生不同波长或波长较长的荧光光线。再藉由混光而使发光二极管组件成为一多波长光源。上述荧光材料是由铕致活的碱土族氧化物、铕致活的碱土族硅酸盐、铕致活的碱土族准硅酸盐及过氧磷酸盐的材料所组成，藉由吸收发光二极管芯片所发出的部分光线，会产生一种以上不同波长的光线，藉由将不同光谱带的光线混合以产生白光系光线。
图2是本发明的发光二极管组件的剖面示意图。发光二极管组件20主要包含固定于导线架(lead frame)23杯型构造处的发光组件的芯片(chip)22，该芯片22藉由金属导线25分别与导线架23的阴极23a及阳极23b电性相连。该芯片22是一种氮化物系半导体的发光二极管。于该杯型构造处为能发出不同光谱带光线的荧光材料21填满，因此当芯片22接收外部电力供应会发出初始光线，覆盖于其四周的荧光材料21会被初始光线激发，并因而产生光谱带异于该初始光线的荧光光线。该初始光线与该荧光光线会混合为一白光系光线，最后该白光系光线会穿透模构件24而射出。
荧光材料21的主体(host)是由一铕致活的碱土族氧化物、一铕致活硅酸盐、一铕致活准硅酸盐及一铕致活过氧磷酸盐中至少一种化合物所组成。
铕致活的碱土族氧化物可以选自氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)、氧化镁钙锶钡((Mg，Ca，Sr，Ba)O)、氧化镁锶钡((Mg，Sr，Ba)O)、氧化钙锶钡((Ca，Sr，Ba)O)及氧化锶钡((Sr，Ba)O)中至少一种物质所组成。并且是使用二价铕Eu2+作为活化剂，因此该铕致活的碱土族氧化物荧光材料可以是二价铕致活的氧化镁钙锶钡((Mgr，Cax，Sry，Baz)O:sEu2+)、二价铕致活的氧化镁锶钡((Mga，Srb，Bac)O:sEu2+)、二价铕致活的氧化锶钡((Bai，Srj)O:sEu2+)，其中0 (a，b，c，i，j，r，s，x，y，z) 1，又必须满足条件(r+x+y+z+s)＝1，(a+b+c+s)＝1及(i+j+s)＝1。
铕致活硅酸盐的主体化学式为A2SiO4，其中A是选自锶、钙、钡、镁、锌及镉中至少一者。另外，该铕致活硅酸盐的荧光材料可具有掺杂杂质，其掺杂杂质是选自氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、磷(P)、硫(S)及氮中至少一者。若主体是由硅酸钙锶钡所组成，其化学式为(Sr2-x-yBaxCay)SiO4，其中x及y仅需要满足下列一组关系式0 x 0.8，0 y 0.8；0 x 0.5，0 y 0.3；0.5 x 0.7，0.2 y 0.5。
铕致活准硅酸盐的主体化学式为ASiO3，其中A是选自锶、钙、钡、镁、锌及镉中至少一者。该铕致活准硅酸盐的荧光材料可具有掺杂杂质，其掺杂杂质是选自氟、氯、溴、碘、磷、硫及氮中至少一者。若主体是由准硅酸钙锶钡所组成，其化学式为(Sr1-x-yBaxCay)SiO3，其中x及y仅需要满足下列某一组关系0 x 0.8，0 y 0.8；0 x 0.5，0 y 0.3；0.5 x 0.7，0.2 y 0.5。
铕致活过氧磷酸盐的主体化学式为(A1-x-yBxCy)2P2O7，其中A是选自锶、钙、钡、镁、锌及镉中至少一者；B是选自铕、锰、钼及铈中至少一者；C是选自铕、锰、钼及铈中至少一者。该铕致活过氧磷酸盐的荧光材料可具有掺杂杂质，其掺杂杂质是选自氟、氯、溴、碘、磷、硫及氮中至少一者。若主体是由过氧磷酸锶铕锰所组成，其化学式为(Sr1-x-yEuxMny)2P2+zO7，其中x、y及z需要满足下列各关系0.03 x 0.08，0.06 y 0.16，0 z 0.05。
当然该荧光材料21亦可由上述材料以不同比例所组成的化合物或混合物中的至少一种形式存在，因此该种荧光材料21可以被激发出一种以上不同光谱带的荧光光线。
如图2所示，可先将粉状的荧光材料21与液态胶体混合，然后再以点胶、涂布、印刷或喷洒等方法将混合后的荧光材料21黏胶填充于导线架23的杯型构造处。
图3是本发明的发光二极管组件另一较佳实施例的剖面示意图，其中铕致活的荧光材料31是分布在模构件34内。可在压模(molding)制程时，将该荧光材料31与环氧树脂混合的压模胶(molding compound)一同注射入模具内，如此就能形成如图3的发光装置30。
图4是本发明的一白光系发光二极管组件的示意图。相较于上述各图中针脚(pin)型式的封装外观，图4是一表面黏着(SMD)型式的发光二极管组件40。芯片42固定于绝缘层43c表面，并藉由金属导线45与P型导电铜箔43a和N型导电铜箔43b电性相连，其中P型导电铜箔43a、N型导电铜箔43b及绝缘层43c构成具有电路的基板43。具有铕致活的碱土族准硅酸盐、铕致活硅酸盐、铕致活准硅酸盐或铕致活过氧磷酸盐中至少一种的荧光材料层411可先沉积在芯片42表面，例如铕致活的准硅酸锶钡，之后再将具有不同荧光材料的荧光材料层412涂布于荧光材料层411及芯片42表面，例如铕致活的准硅酸钙锶钡，然后才于基板43上方形成透明的模构件44。当然，荧光材料层411及412内的荧光材料亦可混合于模构件44的原始材料内，在压模制程时一同注射入模具内。亦即将荧光材料层411及412的荧光粉与模构件44的胶体混合后形成胶饼，在压模(molding)时胶饼受热液化后，会灌注于模具的胶道内，最后固化形成模构件44。另外也可将粉状的铕致活的荧光材料与液态胶体先行混合并形成薄膜，并将薄膜放置在芯片42表面上，再使薄膜接受适当能量后，融化并附着于晶粒42的表面上。
本发明除了可运用于上述的实施例外，并可采侧向发光的封装型式加以应用，如图5的发光二极管组件50立体图所示。发光二极管组件50的两侧阴极51及阳极52呈现L形弯折状，中间有模构件53将芯片及铕致活的碱土族准硅酸盐、铕致活硅酸盐、铕致活准硅酸盐或铕致活过氧磷酸盐中至少一种荧光材料(图未示出)包覆住，混合后的白光系光线将通过菱形窗面54由侧向发射出来。
本发明的技术内容及技术特点已揭示如上，然而熟悉本项技术的人士仍可能基于本发明的教示及揭示而作种种不背离本发明精神的替换及修饰。因此，本发明的保护范围应不限于实施例所揭示者，而应包括各种不背离本发明的替换及修饰，并为白光系所涵盖。
权利要求
1.一种发光二极管组件，包含一发光二极管芯片，能产生初始光线；一荧光材料，该荧光材料是由一铕致活的碱土族氧化物、一铕致活硅酸盐、一铕致活准硅酸盐及一铕致活过氧磷酸盐中至少一种铕致活化合物所组成，会吸收一部分该初始光线以发射出波长相异的荧光光线；藉由混合该初始光线及荧光光线使该发光二极管组件成为一多波长光源。
2.根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活的碱土族氧化物的主体是由氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)、氧化镁钙锶钡((Mg，Ca，Sr，Ba)O)、氧化镁锶钡((Mg，Sr，Ba)O)、氧化钙锶钡((Ca，Sr，Ba)O)及氧化锶钡((Sr，Ba)O)的铕致活的碱土族氧化物中至少一个所组成。
3.根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活碱土族氧化物、铕致活硅酸盐、铕致活准硅酸盐及铕致活过氧磷酸盐的荧光材料是以二价铕(Eu2+)作为活化剂。
4.根据权利要求2所述的发光二极管组件，其特征在于该荧光材料是选自所述铕致活的碱土族氧化物，并以不同组成比例所形成的化合物及混合物中的至少一种形式存在。
5.根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活的碱土族氧化物的荧光材料可以是二价铕致活的氧化镁钙锶钡((Mgr，Cax，Sry，Baz)O:sEu2+)、二价铕致活的氧化镁锶钡((Mga，Srb，Bac)O:sEu2+)、二价铕致活的氧化锶钡((Bai，Srj)O:sEu2+)，化学式中a、b、c、i、j、r、s、x、y及z必须满足下列关系式及等式0(a，b，c，i，j，r，s，x，y，z)1、(r+x+y+z+s)＝1、(a+b+c+s)＝1及(i+j+s)＝1。
6.根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活硅酸盐的主体化学式为A2SiO4，该化学式中A是选自锶、钙、钡、镁、锌及镉中至少一者。
7.根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活硅酸盐的荧光材料可具有掺杂杂质，该掺杂杂质是选自氟、氯、溴、碘、磷、硫及氮中至少一个。
8.根据权利要求6所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活硅酸盐的主体是由硅酸钙锶钡所组成，其化学式为(Sr2-x-yBaxCay)SiO4，该化学式中x及y仅需要满足下列一组关系式0x0.8，0y0.8；0x0.5，0y0.3；0.5x0.7，0.2y0.5。
9.根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活准硅酸盐的主体化学式为ASiO3，该化学式中A是选自锶、钙、钡、镁、锌及镉中至少一个。
10.根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活准硅酸盐的荧光材料可具有掺杂杂质，该掺杂杂质是选自氟、氯、溴、碘、磷、硫及氮中至少一个。
11.根据权利要求9所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活准硅酸盐的主体是由准硅酸钙锶钡所组成，其化学式为(Sr2-x-yBaxCay)SiO3，该化学式中x及y仅需要满足下列一组关系式0x0.8，0y0.8；0x0.5，0y0.3；0.5x0.7，0.2y0.5。
12.根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活过氧磷酸盐的主体是由过氧磷酸锶铕锰所组成，其化学式为(A1-x-yBxCy)2P2O7，该化学式中A是选自锶、钙、钡、镁、锌及镉中至少一个；B是选自铕、锰、钼及铈中至少一者；C是选自铕、锰、钼及铈中至少一个。
13.根据权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活过氧磷酸盐的荧光材料可具有掺杂杂质，其掺杂杂质是选自氟、氯、溴、碘、磷、硫及氮中至少一个。
14.根据权利要求12所述的发光二极管组件，其特征在于该铕致活过氧磷酸盐的主体是由过氧磷酸锶铕锰所组成，其化学式为(Sr1-x-yEuxMny)2P2+zO7，该化学式中x、y及z需要满足下列各关系0.03x0.08，0.06y0.16，0z0.05。
15.一种发光二极管组件的制造方法，其包含下列步骤固定并电性连结一发光二极管芯片于一支撑载体上；将一荧光材料置于该发光二极管芯片发出光线可照射到处，该荧光材料是由一铕致活的碱土族氧化物、一铕致活硅酸盐、一铕致活准硅酸盐及一铕致活过氧磷酸盐中至少一种铕致活化合物所组成；藉由使该发光二极管芯片发射出初始光线以激发该铕致活碱土族氧化物的荧光材料产生荧光光线，混合该初始光线及荧光光线后使该发光二极管组件成为一多波长光源。
16.根据权利要求15所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活的碱土族氧化物的主体是由氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)、氧化镁钙锶钡((Mg，Ca，Sr，Ba)O)、氧化镁锶钡((Mg，Sr，Ba)O)、氧化钙锶钡((Ca，Sr，Ba)O)及氧化锶钡((Sr，Ba)O)的铕致活的碱土族氧化物中至少一个所组成。
17.根据权利要求16所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该荧光材料是选自所述铕致活的碱土族氧化物，并以不同组成比例所形成的化合物及混合物中的至少一种形式存在。
18.根据权利要求15所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活的碱土族氧化物荧光材料可以是二价铕致活的氧化镁钙锶钡((Mgr，Cax，Sry，Baz)O:sEu2+)、二价铕致活的氧化镁锶钡((Mga，Srb，Bac)O:sEu2+)、二价铕致活的氧化锶钡((Bai，Srj)O:sEu2+)，化学式中a、b、c、i、j、r、s、x、y及z必须满足下列关系式及等式0(a，b，c，i，j，r，s，x，y，z)1、(r+x+y+z+s)＝1、(a+b+c+s)＝1及(i+j+s)＝1。
19.根据权利要求15所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活碱土族氧化物、铕致活硅酸盐、铕致活准硅酸盐及铕致活过氧磷酸盐的荧光材料是以二价铕(Eu2+)作为活化剂。
20.根据权利要求15所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活硅酸盐的主体化学式为A2SiO4，该化学式中A是选自锶、钙、钡、镁、锌及镉中至少一个。
21.根据权利要求15所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活硅酸盐的荧光材料可具有掺杂杂质，该掺杂杂质是选自氟、氯、溴、碘、磷、硫及氮中至少一个。
22.根据权利要求19所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活硅酸盐的主体是由硅酸钙锶钡所组成，其化学式为(Sr2-x-yBaxCay)SiO4，该化学式中x及y仅需要满足下列一组关系式0x0.8，0y0.8；0x0.5，0y0.3；0.5x0.7，0.2y0.5。
23.根据权利要求15所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活准硅酸盐的主体化学式为ASiO3，该化学式中A是选自锶、钙、钡、镁、锌及镉中至少一个。
24.根据权利要求15所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活准硅酸盐的荧光材料可具有掺杂杂质，该掺杂杂质是选自氟、氯、溴、碘、磷、硫及氮中至少一个。
25.根据权利要求23所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活准硅酸盐的主体是由准硅酸钙锶钡所组成，其化学式为(Sr2-x-yBaxCay)SiO3，该化学式中x及y仅需要满足下列一组关系式0x0.8，0y0.8；0x0.5，0y0.3；0.5x0.7，0.2y0.5。
26.根据权利要求15所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活过氧磷酸盐的主体是由过氧磷酸锶铕锰所组成，其化学式为(A1-x-yBxCy)2P2O7，该化学式中A是选自锶、钙、钡、镁、锌及镉中至少一个；B是选自铕、锰、钼及铈中至少一个；C是选自铕、锰、钼及铈中至少一个。
27.根据权利要求15所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活过氧磷酸盐的荧光材料可具有掺杂杂质，其掺杂杂质是选自氟、氯、溴、碘、磷、硫及氮中至少一个。
28.根据权利要求26所述的发光二极管组件的制造方法，其特征在于该铕致活过氧磷酸盐的主体是由过氧磷酸锶铕锰所组成，其化学式为(Sr1-x-yEuxMny)2P2+zO7，其中x、y及z需要满足下列各关系0.03x0.08，0.06y0.16，0z0.05。
全文摘要
本发明揭示一种发光二极管组件及其制造方法，该发光二极管组件包含一发光二极管芯片及一荧光材料，该荧光材料是由一铕致活的碱土族氧化物、一铕致活硅酸盐、一铕致活准硅酸盐及一铕致活过氧磷酸盐中至少一种化合物所组成。该荧光材料会吸收部分该发光二极管芯片发出的初始颜色光线，并发出波长异于该初始颜色光线的荧光光线。荧光光线会与初始颜色光线混合，使得该发光二极管组件形成为一多波长的发光源。
文档编号C09K11/08GK1841794SQ20051005881
公开日2006年10月4日 申请日期2005年3月28日 优先权日2005年3月28日
发明者詹世雄, 曾坚信 申请人:先进开发光电股份有限公司