专利名称：基片清洗用二流体喷射模块及利用其的基片清洗装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及基片清洗用二流体喷射模块及利用其的基片清洗装置，尤其涉及将两种流体进行混合并扩散而喷射到基片表面的基片清洗用二流体喷射模块及利用其的基片清洗装置。
背景技术：
通常，半导体装置或显示装置通过使用半导体晶片或平板显示器(FPDflat panel display)，经过蒸镀工艺、蚀刻工艺、光刻工艺、离子注入工艺等多种制造工艺而制造。
在这些制造工艺中表面处理工艺是利用清洗液、蚀刻液或显影液等处理液处理基片表面，以对基片进行清洗(cleaning)、蚀刻(etching)、显影(developing)或去膜(stripping)的工艺。
即，所述表面处理工艺通过所述处理液处理由传送带(conveyor)等移送方法以一定速度沿水平方向进行移送的基片的上表面、下表面或上下两面而对基片进行清洗、蚀刻、显影或去膜。
此外，在基片经过包括所述表面处理工艺的各种制造工艺的过程中，其表面会被颗粒及污染物污染而需要清除，为此在部分制造工艺的前/后进行所述清洗工艺。
如此，清洗工艺是用于清洁基片表面的工艺。
作为一例，清洗工艺由药液处理工艺、冲洗工艺和干燥工艺组成，尤其药液处理工艺为了清除基片表面的颗粒及污染物，在基片表面上使用去离子水(deionized water)或化学药品(chemical)等清洗液。
并且，清洗工艺中曾经公开过具有清洗基片用二流体喷射模块(下面简称二流体喷射模块)的基片清洗装置，该二流体喷射模块为了清除颗粒及污染物利用清洗液处理基片，并为了提高清洗能力在清洗液中混合干燥空气(Clean Dry Air)形成二流体，然后将所生成的二流体扩散以泡沫(bubble)形态冲击基片表面。
图1为现有的二流体喷射模块的示意图，图2为将图1中示出的二流体喷射模块沿A-A′线截取的剖面图。
如图1及图2所示，现有的二流体喷射模块在主体10内部的混合空间11分别设有供应干燥空气和去离子水的供应管30、40，干燥空气和去离子水分别供应到所述混合空间11进行混合而生成二流体。
如此，在主体10内部的混合空间11生成的二流体将沿着在主体10的一端朝着基片的宽度方向设置的多个喷嘴尖端20扩散，以泡沫形态喷射到基片表面。
对于这种二流体喷射模块而言，非常重要的是生成细微而均匀的二流体以提高清洗基片的效率，并将所生成的二流体均匀喷射到基片表面。
但是，现有的二流体喷射模块采用分别供应清洗液和干燥空气之后在主体内部简单进行混合的方式，因此各二流体的液滴大小互不均匀，导致清洗效率降低。
尤其，现有的二流体喷射模块由于各二流体液滴的大小未能充分变成微粒，因此难以在精细的清洗工艺中使用。
发明内容
本发明是为了解决如上所述的问题而提出的，其目的在于提供一种以超微粒状态均匀地生成二流体并进行喷射的基片清洗用二流体喷射模块及利用其的基片清洗装置。
为了实现上述目的依据本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块，包含主体内部的用于接收干燥空气的第一接收部；所述主体内部的用于接收清洗液的第二接收部；喷射通道，该喷射通道一端与所述第一接收部连通，另一端露在所述主体外部，而侧方具有流入所述第二接收部的清洗液的混入口。
其中，所述喷射通道在其两侧形成相互偏心而设置的所述混入口，使清洗液可以与干燥空气形成涡流的同时流入到所述喷射通道中。
并且，依据本发明所提供的基片清洗装置，包含用于移送基片的移送部；设置在被移送的基片的上侧、下侧或上下两侧的所述二流体喷射模块；向所述二流体喷射模块供应清洗液的清洗液供应部；向所述二流体喷射模块供应干燥空气的气体供应部。
图1为现有的基片清洗用二流体喷射模块的示意图；图2为将图1中示出的二流体喷射模块沿A-A′线截取的剖面图；图3为本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的第一实施例的示意图；图4为将图3中示出的基片清洗用二流体喷射模块沿B-B′线截取的剖面图；图5为本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的第二实施例的示意图；图6为将图5中示出的基片清洗用二流体喷射模块沿C-C′线截取的剖面图；图7为将图5中示出的基片清洗用二流体喷射模块沿D-D′线截取的剖面图；图8为本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的第三实施例的示意图；图9为将图8中示出的基片清洗用二流体喷射模块沿E-E′线截取的剖面图；图10为将图8中示出的基片清洗用二流体喷射模块沿F-F′线截取的剖面图；图11为利用本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的基片清洗装置一实施例的剖面图。
主要符号说明100为主体，110、210为第一接收部，120、310为第二接收部，130、330为喷射通道，131、132、331、332为混入口，140、340为喷嘴尖端，150、220为第一供应管，160、320为第二供应管，200为第一主体，300为第二主体，400为移送部，500为二流体喷射模块，600为清洗液供应部，700为气体供应部。
具体实施例方式
以下，参照附图详细说明本发明的优选实施例。
<实施例1>
图3为本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的第一实施例的示意图，图4为将图3中示出的基片清洗用二流体喷射模块沿B-B′线截取的剖面图。
如图3及图4所示，依据本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的第一实施例中，二流体喷射模块包含接收干燥空气的第一接收部110；接收清洗液的第二接收部120；喷射通道130，该喷射通道130一端与所述第一接收部110连通，另一端与喷嘴尖端140结合，而侧方具有与所述第二接收部120连通的混入口131。
尤其，所述第一接收部110、所述第二接收部120、所述喷射通道130及所述混入口131通过在同一个主体100内进行孔加工而形成。
具体来讲，第一接收部110通过从主体100的上表面朝底面按预定深度进行孔加工而形成，喷射通道130通过从第一接收部110的底端朝所述主体100的底面进行孔加工而形成，第二接收部120通过从主体100外侧面朝喷射通道130的侧方按预定深度进行孔加工而形成，混入口131通过从第二接收部120的端部进行孔加工而形成，以接通喷射通道130。
即，由于第一接收部110和喷射通道130的直径沿着加工方向变小，因此易于进行孔加工；同样，第二接收部120和混入口131的直径也沿着加工方向变小，因此易于进行孔加工。
如上所述的依据本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的第一实施例中，供应干燥空气的第一供应管150连接于第一接收部110，供应清洗液的第二供应管160连接于所述第二接收部120。
因此，供应到第一接收部110的干燥空气沿着喷射通道130朝垂直下方流动，而供应到第二接收部120的清洗液根据文丘里(venturi)效应通过混入口131高速流入到喷射通道130中。
高速流入到喷射通道130的清洗液与喷射通道130内部的干燥空气高速冲突而进行混合，因此与现有的简单的混合方式相比生成更加细微并均匀的二流体薄雾。
如此混合而生成的二流体沿着喷射通道130移动的同时被扩散而生成更加细微的薄雾，最后通过喷射通道130端部的喷嘴尖端140喷射到基片上。
并且，在喷射通道130内混合而生成并进行扩散的二流体根据喷射通道130端部的喷嘴尖端140的形状以特定的液滴形态喷射到基片表面。
综上所述，依据本发明所提供的二流体喷射模块的第一实施例，根据文丘里效应使干燥空气和清洗液形成均匀的二流体薄雾，并通过机械加工在同一个主体100内部形成各接收部110、120和喷射通道130以及混入口131，因而提高制作的简便性。
<实施例2>
图5为本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的第二实施例的示意图，图6为将图5中示出的基片清洗用二流体喷射模块沿C-C′线截取的剖面图，图7为将图5中示出的基片清洗用二流体喷射模块沿D-D′线截取的剖面图。在此，与先前的附图相同的附图标记表示具有相同功能的部件。
如图5至图7所示，依据本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的第二实施例中，二流体喷射模块包含接收干燥空气的第一接收部110；接收清洗液的第二接收部120；喷射通道130，该喷射通道130一端与所述第一接收部110连通，另一端与喷嘴尖端140结合，而侧方具有与所述第二接收部120连通的混入口131；尤其，所述第二接收部120在主体100的外侧面形成为相互对称的一对，而所述混入口131、132如图7所示，形成在喷射通道130的两侧并相互偏心而设置。
因此，供应到第一接收部110的干燥空气沿着喷射通道130朝垂直下方流动，而供应到第二接收部120的清洗液根据文丘里效应通过混入口131、132高速流入到喷射通道130中。
高速流入到喷射通道130的清洗液与喷射通道130内部的干燥空气形成旋回状的涡流，而且与干燥空气高速冲突，因此不仅可以更加细微地进行扩散，而且生成更加均匀的二流体薄雾。
如此混合而生成的二流体沿着喷射通道130流动的同时再次被扩散而通过喷射通道130端部的喷嘴尖端140喷射到基片上。
如上所述，依据本发明所提供的二流体喷射模块的第二实施例，由于具有文丘里结构和偏心设置的混入口131、132，从而使干燥空气和清洗液在喷射通道130中的流动性大幅增加。
因此，依据本发明所提供的二流体喷射模块的第二实施例，由于使清洗液流入到喷射通道130，因此干燥空气和清洗液形成涡流，同时清洗液与干燥空气高速冲突而形成均匀的超微粒状态的二流体薄雾。
<实施例3>
图8为本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的第三实施例的示意图，图9为将图8中示出的基片清洗用二流体喷射模块沿E-E′线截取的剖面图，图10为将图8中示出的基片清洗用二流体喷射模块沿F-F′线截取的剖面图。在此，与先前的附图相同的附图标记表示具有相同功能的部件。
如图8至图10所示，依据本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的第三实施例中，二流体喷射模块包含接收干燥空气的第一接收部210；接收清洗液的第二接收部310；喷射通道330，该喷射通道330一端与所述第一接收部210连通，另一端与喷嘴尖端340结合，而侧方具有与所述第二接收部310连通的混入口331、332。
尤其，所述第一接收部210和所述第二接收部310分别形成在互不相同的主体200、300内部，设置为上下结构。
如上所述的依据本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的第三实施例中，形成第一接收部210的第一主体200上连接用于供应干燥空气的第一供应管220、形成第二接收部310的第二主体300上连接用于供应清洗液的第二供应管320。
另外，所述<实施例2>中分别设置形成在主体100两侧的第二接收部120和向各第二接收部120供应清洗液的第二供应管160，而该第三实施例中只在第二主体300的一侧连接第二供应管320，但也能向所述混入口331、332分别供应清洗液。
因此，供应到第一接收部210的干燥空气沿着喷射通道330朝垂直下方流动，而供应到第二接收部320的清洗液根据文丘里效应通过混入口331、332高速流入到喷射通道330中。
高速流入到喷射通道330的清洗液与喷射通道330内部的干燥空气形成旋回状的涡流，而且与干燥空气高速冲突，因此不仅可以更加细微地进行扩散，而且生成更加均匀的二流体薄雾。
如此混合而生成的二流体沿着喷射通道330流动的同时再次被扩散而通过喷射通道330端部的喷嘴尖端340喷射到基片上。
如上所述，依据本发明所提供的二流体喷射模块的第三实施例，不仅生成均匀的超微粒状态的二流体薄雾，而且由于具有形成第二接收部320的第二主体300，因而即使只在第二主体300的一侧连接第二供应管320，也能向用于形成涡流的混入口331、332分别供应清洗液，因此使设备变得简单。
<实施例4>
图11为利用本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的基片清洗装置一实施例的剖面图。在此，与先前的附图相同的附图标记表示具有相同功能的部件。
如图11所示，利用依据本发明所提供的基片清洗用二流体喷射模块的基片清洗装置的一实施例包含用于移送基片S的移送部400；设置在被移送的基片S的上侧、下侧或上下两侧的所述<实施例1>至<实施例3>中的任意一个二流体喷射模块500；向所述二流体喷射模块500供应清洗液的清洗液供应部600；向所述二流体喷射模块500供应干燥空气的气体供应部700。
在此，虽然举了所述二流体喷射模块500采用所述<实施例2>的二流体喷射模块500的例子，但是还可以采用所述<实施例1>或所述<实施例3>的基片清洗用二流体喷射模块。
综上所述，虽然通过附图以特定的优选实施例为例说明了本发明，但本发明并不限定于上述实施例，在不脱离本发明思想的范围内本发明所属技术领域的具有通常知识的工作者可以进行各种变更和修改。
如上所述，由于本发明向基片表面喷射均匀并形成为超微粒状态的二流体薄雾，因此不仅大幅度提高基片的清洗效率，而且可以进行精细的清洗过程。
并且，由于本发明通过各种方式以最简单的结构进行制造，因此易于制造和维护。
权利要求
1.一种基片清洗用二流体喷射模块，其特征在于包含形成在主体内部的第一接收部，以用于接收干燥空气；形成在所述主体内部的第二接收部，用于接收清洗液；喷射通道，该喷射通道一端与所述第一接收部连通，另一端露在所述主体外部，而侧方具有流入所述第二接收部的清洗液的混入口。
2.根据权利要求1所述的基片清洗用二流体喷射模块，其特征在于所述喷射通道在其两侧形成相互偏心而设置的所述混入口，使清洗液与干燥空气形成涡流的同时流入到所述喷射通道中。
3.根据权利要求2所述的基片清洗用二流体喷射模块，其特征在于所述主体包含形成所述第一接收部的第一主体和形成所述第二接收部及所述喷射通道的第二主体。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的基片清洗用二流体喷射模块，其特征在于所述喷射通道的另一端设置喷嘴尖端。
5.一种基片清洗装置，其特征在于包含用于移送基片的移送部；设置在被移送的基片的上侧、下侧或上下两侧的权利要求1至3中的任意一项所述的二流体喷射模块；向所述二流体喷射模块供应清洗液的清洗液供应部；向所述二流体喷射模块供应干燥空气的气体供应部。
全文摘要
本发明涉及基片清洗用二流体喷射模块及利用该二流体喷射模块的基片清洗装置，所提供的基片清洗用二流体喷射模块包含主体内部的用于接收干燥空气的第一接收部；所述主体内部的用于接收清洗液的第二接收部；喷射通道，该喷射通道一端与所述第一接收部连通，另一端露在所述主体外部，而侧方具有流入所述第二接收部的清洗液的混入口。依据本发明，由于向基片表面喷射混合而生成的均匀的二流体，因此大幅度提高基片的清洗效率。而且，由于本发明通过各种方式以最简单的结构进行制造，因此易于制造和维护。
文档编号B05B7/04GK1990124SQ200610110689
公开日2007年7月4日 申请日期2006年8月8日 优先权日2005年12月29日
发明者尹勤植, 蔡熙成 申请人:K.C.科技股份有限公司