涂敷、显影装置及其方法以及存储介质的制作方法

专利名称：涂敷、显影装置及其方法以及存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及对于例如半导体晶片和LCD基板(液晶显示器用玻璃 基板)等的基板，进行抗蚀剂液的涂敷处理和曝光后的显影处理等的 涂敷、显影装置及其方法以及存储介质。
背景技术：
在半导体器件和LCD基板的制造工艺中，通过被称为光刻的技术， 对基板进行抗蚀剂图案的形成。该技术通过以下一系列工序进行，所
述工序包括对例如半导体晶片(以下称为晶片)等基板涂敷抗蚀剂，
在该晶片表面形成液膜，并利用光掩模使该抗蚀剂膜曝光后，进行显 影处理，由此得到所期望的图案。
这样的处理， 一般在进行抗蚀剂液的涂敷和显影的涂敷、显影装 置中使用与曝光装置连接的抗蚀剂图案形成装置而进行。这里，作为 上述抗蚀剂图案形成装置，例如提出有专利文献1所示的装置。该装
置例如，如图15所示，收纳有多个晶片W的输送器10被搬入至输送 块1A的输送台ll，输送器10内的晶片由交接臂12交接到处理块1B。 在处理块1B内，例如被搬送到反射防止膜形成组件，并在晶片W表 面上形成反射防止膜，接着被搬送到涂敷组件13A,并在上述反射防 止膜上涂敷抗蚀剂液。之后，晶片W经由接口块1C而被搬送到曝光 装置1D，在此处经曝光处理后的晶片再次返回处理块1B，并由显影 组件13B进行显影处理，并使其再返回到原来的输送器10内。其中， 上述反射防止膜形成组件没有图示，该组件例如被设置在涂敷组件13A 和显影组件13B的下段侧。
图中，标号14 (14a 14c)表示的是具备在反射防止膜形成组件、 涂敷组件13A和显影组件13B中处理的前后，用于对晶片W进行规定 的加热处理和冷却处理的加热组件和冷却组件、交接台等的棚架组件。 这里，通过设置于处理块1B上的两个搬送机构15A、 15B,使晶片W 在反射防止膜形成组件、涂敷组件13A、显f组件13B与棚架组件 14A 14C的各部分等的、在处理块IB内载置晶片W的组件之间被搬 送。此时，晶片W在被实施上述处理时，如专利文献l所记载，对预 定处理的所有晶片W，根据预先确定的分别在什么定时、搬送到哪个 组件的搬送程序表搬送。
此外，在上述涂敷、显影装置中，在接口块1C上设置有用于使多 个晶片W退避的缓冲器16。该缓冲器16在上述处理块1B的处理速度 与曝光装置1D的处理速度不同的情况下，用于吸收缓解它们的处理速 度之差，具体而言，例如在处理块1B的处理速度比曝光装置1D的处 理速度快的情况下，将来自处理块1B的晶片W搬送到缓冲器16，并 在此处待机至将其搬送至曝光装置1D的定时(时刻)为止。
此外，上述缓冲器16构成为当曝光装置1D因某种原因而停止时， 可以收纳处理块1B内的所有晶片W。即，缓冲器16中能够收纳个数 多于处理块1B内的所有组件数的晶片W，例如，在上述所有组件为 14个的情况下，构成为能够收纳16个晶片W。这样来进行构成是因 为当曝光装置1D停止时，首先禁止向处理块1B内交接晶片W，对 于原来已在处理块1B内的晶片W，在对其进行曝光处理前的所有处理 之后，将其搬送到所述缓冲器16，并在此处在曝光装置1D恢复之前 一直保持待机。这样，通过进行曝光处理之前的所有处理，使得对于 在缓冲器16中待机的晶片W，曝光处理的前阶段的涂敷膜的状态全部 相同，此外即使在该状态下待机，也不会使涂敷膜的品质恶化，所以 能够在曝光装置1D再开始运转的时刻进行曝光处理，并原样继续进行 涂敷膜形成处理，从而抑制成品率的降低。
此外，若在接口块(interface block) 1C上配置晶片W的收容个数 多的缓冲器16，则由于接口块1C的搬送臂的负荷增大，所以在上述 涂敷、显影装置中，为了达到目标生产效率，接口块1C由第一搬送室 17A和第二搬送室17B两个搬送室构成，在各搬送室17A、 17B上配 置搬送臂18A、 18B，实现搬送工序的分摊化。但是，在接口块1C上 设置收容个数多的大型缓冲器16，而且配置两个搬送臂18A、 18B的 构成，产生该接口块1C的占用面积增大的问题，并且搬送臂18A、 18B 多，所以制造成本和转运成本增大的问题。
此外，为了进一步增大显影装置的处理速度，本发明人在研究 将收纳曝光处理前的组件的区域和收纳曝光处理后的组件的区域上下 配置，通过对各区域设置搬送机构，减轻搬送机构的负荷，提高搬送 效率，由此提高涂敷、显影装置的生产效率。像这样，将进行涂敷处 理的区域和进行显影处理的区域分别上下配置，在各区域设置搬送机 构的构成在专利文献2中有所记载。
但是，在这样的构成中，在各区域内通过搬送机构沿着搬送程序 表进行晶片W的搬送，但在曝光装置和处理速度与涂敷、显影装置的 处理速度不同的情况下，也可能产生与上述同样的问题，这一点在专 利文献2中没有任何记载。
专利文献1日本专利2004-193597号公报专利文献2日本专利2006-203075号公报

发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出，其目的在于提供以下技术 通过在涂敷膜形成用单位块上设置退避组件，减轻接口块的搬送臂的 设置数，能够实现制造成本的削减和装置的占用面积的縮小化。
本发明的涂敷、显影装置的特征在于在一个涂敷膜形成用单位 块或者相互叠层的多个涂敷膜形成用单位块中，在由输送块的输送器 搬入的基板上形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜，之后经由接口模块将该基 板搬送到曝光装置，并在相对于所述涂敷膜形成用单位块叠层的显影 处理用单位块中对经由所述接口模块返回的曝光后的基板进行显影处 理，并将其交接到所述输送模块，并且，
所述单位块具有放置基板的多个组件和在所述组件之间进行基板 的搬送的基板搬送机构，根据预先设定的搬送程序表，通过基板搬送 机构从下游侧的组件内的基板开始， 一个一个顺次地将其移动到之后 的组件，由此形成次序小的基板与次序大的基板相比位于更下游侧组 件的状态，由此进行一个搬送循环，结束该搬送循环后，进行下一个 搬送循环，由此进行基板的搬送，该涂敷、显影装置包括
设置在所述涂敷膜形成用单位块上的对基板进行调温的调温组 件、对基板涂敷涂敷液的液处理组件、以及加热基板并接着对其进行
冷却的加热冷却组件；
退避组件，设置在所述涂敷膜形成用单位块上，能够使比所述液
处理组件数多n个数量的基板退避；和
控制部，对单位块内的基板搬送机构进行控制，使得在涂敷膜形 成用单位块中，按照所述调温组件、所述液处理组件、所述加热冷却 组件、所述退避组件的搬送路径，从所述调温组件侧向所述退避组件 侧搬送基板，并且当曝光装置的处理速度小于涂敷膜形成用单位块的 处理速度时，使置于所述调温组件的下游侧的组件的基板总数成为比 从所述调温组件的下一组件到所述退避组件之前的组件为止的所述搬
送路径的总组件数多n个的数量。此处，上述涂敷膜形成用单位块的 处理速度是指进行上述搬送程序表的搬送循环的一个循环所需要的时 间。
这里，上述加热冷却组件包括加热基板的加热部；设置在该加 热部的外侧、不进行基板的加热而使基板待机的待机区域；和在它们 之间进行基板的搬送的搬送机构，不进行基板的加热的情况也包含"冷 却基板"。作为上述加热部，包括载置基板并对其进行加热的加热板 和用于将基板载置于其内部并对其进行加热的加热室等。此外，上述 待机区域也可以是载置基板并对其进行冷却的冷却板。也可以构成为 通过上述搬送机构将基板保持在加热部的外侧。作为上述搬送机构， 也可以兼用作冷却板，也可以由多根丝线(wire)保持基板并对其进行 搬送。
此外，本发明的涂敷、显影装置的特征在于，包括设置于上述
涂敷膜形成用单位块上的对基板进行调温的调温组件；对基板涂敷涂 敷液的液处理组件；和加热基板并接着对其进行冷却的加热冷却组件；
退避组件，设置于上述涂敷膜形成用单位块上，能够使比上述液 处理组件的个数多n个数量的基板退避；和
控制部，控制单位块内的基板搬送机构，使得当上述曝光装置发 生异常时，在涂敷膜形成用单位块内，按照上述调温组件、上述液处 理组件、上述加热冷却组件、上述退避组件的搬送路径搬送基板，并 且使置于上述调温组件的下游侧的组件的基板总数成为比从上述调温 组件的下一组件到上述退避组件之前的组件为止的上述搬送路径的总组件数多n个的数量，并且在对存在于涂敷膜形成用单位块内的基板 进行过该单位块的通常的处理之后，使各基板退避到上述退避组件， 同时，该控制部还输出用于禁止向该单位块外搬出基板和向该单位块 内搬入基板的控制指令。
这里，也可以是以下装置上述加热冷却组件由加热基板的加热 组件和冷却基板的冷却组件的两个组件构成，上述控制部控制该单位 块内的基板搬送机构，使得置于上述调温组件的下游侧的组件的基板 总数成为比从上述调温组件的下一组件到上述退避组件之前的组件为
止的上述搬送路径的总组件数多(n—l)个的数量。
此外，可以构成为上述控制部包括控制上述基板搬送机构的机构， 使得当退避到上述退避组件的基板增加1个时，上述基板搬送机构停 止从上述调温组件支出基板，也可以是以下装置上述控制部包括控 制上述基板搬送机构的机构，使得当开始从上述退避组件向下游侧的 组件搬送基板时，上述基板搬送机构开始从上述调温组件支出基板。
此外，在本发明中，也可以设置上述1个或多少涂敷膜形成用单 位块；交接部，设置于显影处理用单位块的各单位块上，在与其它的 单位块之间进行基板的交接；和交接机构，在各单位块的交接部彼此 之间进行基板的交接，上述退避组件构成为通过涂敷膜形成用单位块 的基板搬送机构和上述交接机构进行基板的交接。
而且，本发明的涂敷、显影方法的特征在于在一个涂敷膜形成
用单位块或者相互叠层的多个涂敷膜形成用单位块中，在由输送器搬 入到输送块上的基板上形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜，之后经由接口模 块将该基板搬送到曝光装置，并在相对于所述涂敷膜形成用单位块叠 层的显影处理用单位块中对经由所述接口模块返回的曝光后的基板进 行显影处理，并将其交接到所述输送模块，并且，
所述单位块具有放置基板的多个组件和在所述组件之间进行基板 的搬送的基板搬送机构，根据预先设定的搬送程序表，通过基板搬送 机构从下游侧的组件内的基板开始， 一个一个顺次地将其移动到之后
&#7由此形成次序小的基板与次序大的基板相比位于更下游侧组
件的状态，由此进行一个搬送循环，结束该搬送循环后，进行下一个 搬送循环，由此进行基板的搬送，该涂敷、显影方法中，
在所述涂敷膜形成用单位块上设置有对基板进行调温的调温组 件、对基板涂敷涂敷液的液处理组件、加热基板并接着对其进行冷却
的加热冷却组件，并且设置能够使比所述液处理组件数多n个数量的
基板退避的退避组件，按照下述方式通过基板搬送机构搬送基板在 该单位块中，按照所述调温组件、所述液处理组件、所述加热冷却组 件、所述退避组件的搬送路径，从所述调温组件侧向所述退避组件侧 搬送基板，并当曝光装置的处理速度小于涂敷膜形成用单位块的处理 速度时，使得置于所述调温组件的下游侧的组件的基板总数成为比从 所述调温组件的下一组件到所述退避组件之前的组件为止的所述搬送
路径的总组件数多n个的数量。
此外，本发明的涂敷、显影方法的特征在于，包括以下工序在 上述涂敷膜形成用单位块上设置对基板进行调温的调温组件；对基
板涂敷涂敷液的液处理组件；加热基板并接着对其进行冷却的加热冷 却组件，并且设置能够使比上述液处理组件数多n个数量的基板退避 的退避组件，按照下述方式通过基板搬送机构搬送基板在该单位块
内，当上述曝光装置发生异常时，按照上述调温组件、上述液处理组 件、上述加热冷却组件、上述退避组件的搬送路径搬送基板，并且， 使得置于上述调温组件的下游侧的组件的基板总数成为比从上述调温 组件的下一组件到上述退避组件之前的组件为止的上述搬送路径的总
组件数多n个的数量，并且在对存在于该单位块内的基板进行过该单 位块的通常的处理之后，使各基板退避到上述退避组件；
禁止向上述涂敷膜形成用单位块外搬出基板；和
禁止向上述涂敷膜形成用单位块内搬入基板。
这里，上述加热冷却组件由加热基板的加热组件和冷却基板的冷 却组件的两个组件构成，在涂敷膜形成用单位块内，基板搬送机构进 行基板的搬送，使得置于上述调温组件的下游侧的组件的基板总数成 为比从上述调温组件的下一组件到退避组件之前的组件为止的上述搬 送路径的总组件数多(n—1)个的数量。
而且，本发明的存储介质的特征在于存储有涂敷、显影装置所 使用的计算机程序，其中该涂敷、显影装置在一个涂敷膜形成用单位 块或相互叠层的多个涂敷膜形成用单位块中，对从载置收纳有多个基 板的输送器的输送块接收的基板上形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜，并且 在相对于上述涂敷膜形成用单位块叠层的显影处理用单位块中，对曝 光后的基板进行显影处理，上述程序由实施上述涂敷、显影方法的步 骤组组成。
根据本发明，由于在涂敷膜形成用单位块上设置有退避组件，所 以即使在涂敷膜形成用单位块的处理速度大于曝光装置的处理速度的 情况下，被涂敷膜形成用单位块处理过的基板在由上述退避组件搬送 到曝光装置之前一直处于待机，由此能够吸收涂敷膜形成用单位块与 曝光装置的处理速度之差。因此，与在接口块上设置有退避组件的情 况相比，由于减轻接口臂的负荷，所以能够减少接口臂，实现制造成 本的削减。此外，由于减少接口臂，所以能够实现接口模块的占用面 积的縮小化。
而且，在涂敷膜形成用的单位模块内，设置有能够使比液处理组
件的数量多n个的数量的基板退避的退避组件，以调温组件、液处理 组件、加热冷却组件、退避组件的顺序搬送基板，使得置于调温组件 的下游侧的组件的基板总数成为比从上述调温组件的下一组件到上述 退避组件之前的组件为止的上述搬送路径的总组件数多n个的数量， 并且当上述曝光装置发生异常时，对存在于涂敷膜形成用单位块内的 基板己进行过该单位块的通常的处理之后，使各基板退避到上述退避 组件，由此，在曝光装置发生异常的情况下，也能够最后在该涂敷膜 形成用单位块内对基板进行预定的处理，由此能够抑制基板的成品率 的降低。


图1为表示本发明的涂敷、显影装置的实施方式的俯视图。
图2为表示上述涂敷、显影装置的立体图。
图3为表示上述涂敷、显影装置的侧部截面图。
图4为表示上述涂敷、显影装置中COT层B3的单位块的俯视图。
图5为表示上述COT层B3的涂敷组件、棚架组件、主臂A3和 退避组件的立体图。
图6为表示上述涂敷、显影装置中DEV层B1的显影组件、棚架
组件、主臂A1和梭臂E的立体图。
图7为用于说明上述涂敷、显影装置中晶片W的流向的侧面图。
图8为表示上述涂敷、显影装置中控制部的一例的构成图。
图9为用于说明上述涂敷、显影装置的作用的流程图。
图IO为用于说明上述涂敷、显影装置的作用的流程图。
图11为表示基本的搬送程序表的一例的说明图。
图12为表示COT层B3与BCT层B2的处理速度比曝光装置S4 的处理速度高时搬送程序表的一例的说明图。
图13为用于说明上述涂敷、显影装置的作用的流程图。
图14为表示现有的装置中搬送组件的一例的说明图。
图15为表示现有的涂敷、显影装置的俯视图。
符号说明
W半导体晶片
20 输送器(carrier)
Sl 输送块(carrierblock)
S2处理块
S3 接口块(interfaceblock)
S4曝光装置
A1 A4 主臂(main arm)
C转移臂
D交接臂
E 梭臂(shuttle arm)
F 接口臂(interface arm) BCT第一反射防止膜形成组件 COT涂敷组件
TCT第二反射防止膜形成组件
DEV显影组件
BF2 BF4 退避组件
41 44载置台
100控制部
71 COT层搬送部
72 BCT层搬送部
73 TCT层搬送部
74晶片监视部
75支出控制部
76搬送控制部
具体实施例方式
首先，参照

本发明的涂敷、显影装置的实施方式的抗蚀 剂图案形成装置。图1表示上述装置的一个实施方式的俯视图，图2
为其概略立体图，图3为其概略侧面图。该装置具备用于搬入搬出
密闭收纳有例如13个作为基板的晶片W的输送器20的输送块Sl、多 个(例如4个)单位块B1 B4纵排列而构成的处理块S2、接口块S3 和曝光装置S4。
在上述输送块Sl上设置有能够载置多个上述输送器20的载置 台21;从该载置台21观察设置在前方的壁面上的开闭部22;和用于 通过开闭部22，从输送器20取出晶片W的转移臂C。该转移臂C构 成为能够自由进退、自由升降、绕铅直轴自由旋转、在输送器20的排 列方向上自由移动，由此在后述的单位块B2的调温组件CPL2与单位 块B1的交接台TRSll、 TRS12之间进行晶片W的交接。
在输送块S1的里面侧连接有由框体24包围周围的处理块S2。在 本例中，处理块S2从下方侧开始，被分割成用于进行显影处理的第一 单位块(DEV层)Bl、用于进行在抗蚀剂膜的下层侧形成反射防止膜 (以下称为"第一反射防止膜")的形成处理的第二单位块(BCT层) B2、用于进行抗蚀剂膜的形成处理的第三单位块(COT膜)B3、用于 进行在抗蚀剂膜的上层侧形成反射防止膜(以下称为"第二反射防止 膜")的形成处理的第四单位块(TCT层)B4，这些各个单位块B1 B4分别区分。上述第二 第四单位块B2 B4相当于涂敷膜形成用单 位块。
这些各单位块B1 B4分别同样地构成，具有用于对晶片W涂 敷涂敷液的液处理组件、用于进行由上述液处理组件进行的处理的前 处理和后处理的加热冷却组件与调温组件等各种处理组件、和用于在
上述液处理组件与各种处理组件之间进行晶片W的交接的作为专用基
板搬送机构的主臂A1 A4。此外，在各单位块B1 B4之间，上述液 处理组件、加热组件、调温组件与主臂A1 A4构成为配置布局相同。 这里，所谓配置布局相同，是指各处理组件和主臂A1 A4中载置晶 片W的中心相同。
而且，如图1和图3所示，在各单位块B1 B4与输送块S1邻接 的区域，在转移臂C与各主臂A1 A4能够存取(access)的位置设置 有棚架组件U2。在该棚架组件U2上，例如针对每个单位块设置有用 于在与其它单位块之间进行晶片W的交接的第一交接部，构成为通过 作为进退自由且升降自由地构成的交接机构的交接臂D，对设置于棚 架组件U2上的各交接部进行晶片W的交接。而且，如图1和图3所 示，在DEV层B1与接口块S3邻接的区域，在DEV层B1的主臂A1 能够存取的位置设置有棚架组件U3，该棚架组件U3具有用于在与后 述的接口块S3之间进行晶片W的交接的第二交接部。
另一方面，在处理块S2中的棚架组件U3的里面侧，通过接口块 S3而连接有曝光装置S4。此外在接口块S3上设置有用于对上述DEV 层Bl的棚架组件U3的第二交接部和曝光装置S4进行晶片W的交接 的，并且能够自由进退、自由升降、绕着铅直轴自由旋转而构成的接 口臂F。
接着，首先以COT层B3为例，参照图3 图5对上述单位块Bl B4的构成进行说明。在该COT层B3的大致中央，在COT层B3的长 度方向(图1、图4中的Y方向)上形成有晶片W的搬送区域R1。在 从输送块S1—侧观察的该搬送区域R1的两侧，在从前面侧(输送块 Sl侧)向着里面侧的右侧，设置有具备用于进行抗蚀剂液的涂敷的多 个涂敷组件的涂敷处理部31。
该涂敷处理部31在分别与搬送区域Rl邻接面对而在Y方向上排 列的状态下被收纳在作为多个(例如3个)液处理组件的涂敷组件 COTl COT3共同的处理容器30的内部。各涂敷组件COTl COT3 构成为例如对在旋转夹头(Spin Chuck)上被水平吸附保持的晶片W， 供给来自共同的药液喷嘴的作为涂敷液的抗蚀剂液，并且使晶片W旋 转，由此使抗蚀剂液遍布晶片W的整个面，这样，在晶片W的表面
上涂敷抗蚀剂液。上述处理容器30在与各涂敷组件COTl COT3对 应的位置具有晶片W的搬送口 33A 33C (参照图5)，晶片W通过各 搬送口 33A 33C在对应的涂敷组件COTl COT3与主臂A3之间被搬送。
此外，在该涂敷处理部31的搬送区域R1朝向一侧，设置有例如 将处理组件设置成2行X4列的棚架组件Ul，在该图中设置有用于进 行由涂敷组件31进行的处理的前处理和后处理的各种处理组件。在上 述各种处理组件之中，包括对己涂敷过抗蚀剂液之后的晶片W进行 加热处理，接着进行冷却处理的加热冷却组件LHP3、和将晶片W调 温至规定的温度的调温组件CPL3、周缘曝光装置(WEE)等。
作为上述加热冷却组件LHP3，具备在其上载置例如晶片W并用 于对其进行加热的加热板34和兼用作搬送臂的冷却板35，通过冷却板 35进行主臂A3与加热板34之间的晶片W的交接，即利用构成为可 由一个组件(module)进行加热冷却的装置。此夕卜，作为调温组件CPL3，
使用具备例如以水冷方式进行冷却的冷却板的装置。这些加热冷却组 件LHP3和调温组件CPL3等各组件如图5所示，分别收纳在处理容器 36内，在各处理容器36面对搬送区域R1的面上形成有晶片搬出搬入 □ 37。
在COT层B3的棚架组件U2上叠层设置有作为上述第一交接部 的用于使多个晶片W退避的退避组件BF3与用于将晶片温度调温至规 定温度的调温组件CPL3，构成为相对于这些退避组件BF3和调温组件 CPL3， COT层B3的主臂A3与交接臂D能够进行存取。上述退避组 件BF3构成为，载置并收容设置有该退避组件BF3的单位块A3中与 晶片W的收容个数对应的个数的晶片W。所谓上述单位块A3中与晶 片W的收容个数对应的个数，是指比涂敷组件COTl COT3多n个 的个数，以下以11=1的情况为例进行说明。由此，上述退避组件BF3 具备4个载置台41 44，可使4个晶片W退避。在该例中，在各载置 台41 44上，保持晶片W的背面侧的多个(例如3个)突起形成在 当主臂A3与交接臂D进入时与它们不干涉的位置上。
接着，说明设置于上述搬送区域Rl的主臂A3。该主臂A3构成 为，在该COT层B3内的所有组件(放置晶片W的地方)，例如棚架
组件U1的各处理组件、涂敷组件COTl COT3、棚架组件U2的各交 接部之间进行晶片的交接，为此，构成为进退自由、升降自由、绕铅 直轴旋转自由、在Y轴方向上移动自由。
如图3 图5所示，该主臂A3具备用于支撑晶片W的背面侧周 缘区域的两根保持臂51、 52，这些保持臂51、 52在基台53上相互独 立且进退自由地构成。此外，基台53设置为能够在搬送基体55上通 过旋转机构54绕铅直轴自由旋转。图中的56为在搬送区域R1的长度 方向(图1中的Y方向)上延伸的导轨56，图中的57为升降用导轨， 上述搬送基体55构成为能够沿着该升降用导轨57自由升降。此外， 上述升降用导轨57的下端部深入卡止于导轨56的下方，升降用导轨 57沿着导轨56在横方向上移动，由此搬送基体55可在搬送区域Rl 上沿横方向移动。这里，升降用导轨57在搬送基体55上，以当对棚 架组件Ul的各处理组件进行晶片W的交接时不与保持臂51、 52干涉 的方式，设置在偏离保持臂51、 52进退位置的位置上。
接着，简单说明其它的单位块，上述涂敷膜形成用单位块B2 B4 全都同样地构成，BCT层B2作为液处理组件，对晶片W供给第一反 射防止膜形成用的涂敷液，设置有具备用于形成第一反射防止膜的多 个(例如3个)第一反射防止膜形成用组件BCT1 BCT3的第一反射 防止膜形成处理部。在棚架组件U1上具备在加热板上载置反射防止 膜形成处理后的晶片W并进行加热处理，接着通过冷却板对其进行保 持并进行冷却处理的加热冷却组件LHP2;和用于将晶片W调温至规 定温度的调温组件CPL2等。此外，在棚架组件U2上设置有作为第 一交接部，能够使比第一反射防止膜形成组件BCT1 BCT3的个数多 一个，在该例中是使4个晶片W退避的退避组件BF2;和将晶片W调 整为规定温度，并且用于与输送块Sl之间进行晶片W的交接的调温 组件CPL2，在这些组件之间通过主臂A2进行晶片W的交接。
而且，TCT层B4作为液处理组件，设置有具备对晶片W供给 第二反射防止膜形成用的涂敷液，用于形成第二反射防止膜的多个(例 如3个)第二反射防止膜形成组件TCT1 TCT3的第二反射防止膜形 成处理部。此外，在棚架组件U1上具备将反射防止膜形成处理后的 晶片W载置在加热板上，进行加热处理，接着通过冷却板对其进行保
持并进行冷却处理的加热冷却组件LHP4;用于将晶片W调整至规定
温度的调温组件CPL4;和周缘曝光装置WEE等。此外，在棚架组件
U2上设置有作为第一交接部，能够使比第二反射防止膜形成组件
TCT1 TCT3的个数多一个，在该例中是使4个晶片W退避的退避组 件BF4;和调温组件CPL4，在这些组件之间通过主臂A4进行晶片W 的交接。
此外，如图l、图3和图6所示，DEV层B1除棚架组件U1构成 为3段X4歹U，具备棚架组件U3、设置有梭臂E之外，与上述COT 层B3大致同样地构成，作为液处理组件，用于对晶片W供给作为涂 敷液的显影液，进行显影处理的显影处理部32设置为两段，在该显影 处理部32的1段上设置有例如3个显影组件DEV1 DEV3。在棚架组 件U1中包括对曝光后的晶片W进行加热处理的被称为曝光后烘烤 组件(Post Exposure Baking Module)等的加热组件(PEB1)、在该加 热组件(PEB1)的处理后用于将晶片W调整至规定温度的冷却组件 (COLl)、用于使显影处理后的晶片W的水分飞散而进行加热处理的 被称为后烘焙组件(Post Baking Module)等的加热组件(POSTl)、和 用于在该加热组件(POST1)的处理后将晶片W调整至规定温度的调 温组件(CPL1)等。上述第一和第二反射防止膜形成处理部和显影处 理部32与涂敷处理部31大致同样地构成。
此外，在棚架组件U2上，作为第一交接部，在上段侧设置有调温 组件CPLll，同时在其下段侧设置有例如2个交接台TRS11、 12。而 且，在棚架组件U3上，作为第二交接部，在夹着棚架组件U2的调温 组件CPL11与搬送区域Rl而相对的位置设置有调温组件CPL12，同 时在其下段侧设置有l个交接台TRS13和1个调温组件CPL13。上述 棚架组件U2的交接台TRSll、 12用于与输送块Sl之间的晶片W的 交接，棚架组件U3的交接台TRS13用于与接口块S3之间的晶片W 的交接。
如图l、图3和图6所示，上述梭臂E是例如在DEV层B1内的 上部空间，用于在棚架组件U2的调温组件CPL11与棚架组件U3的调 温组件CPL12之间进行晶片W的搬送的专用搬送机构。如图6所示， 该梭臂E具备用于支撑晶片W的背面侧周缘区域，沿着基台62进退
的一根保持臂61，上述基台62设置为在搬送基体64上通过旋转机构 63绕铅直旋转轴自由旋转。上述搬送基体64构成为，例如能够在棚架 组件U1的上部侧，在与沿着棚架组件的长度方向(图中的Y方向) 设置的支撑部件66的搬送区域Rl面对的面上，沿着搬送区域Rl的长 度方向延伸设置的导轨65，在上述长度方向上移动，这样，构成为能 够与上述棚架组件U2的调温组件CPL11与棚架组件U3的调温组件 CPL12进行存取，在这些组件之间进行晶片W的搬送。
这样，在该抗蚀剂图案形成装置中，作为涂敷膜，以形成第一反 射防止膜和抗蚀剂膜的情况为例，参照图7简单说明晶片W的流向。 这里，图中退避组件BF2、 BF3、 BF4的虚线部分表示晶片W退避的 载置台。首先，从外部搬入到输送块S1的输送器20内的晶片W，由 转移臂C通过棚架组件U2的调温组件CPL2交接到BCT层B2，按照 主臂A2—第一反射防止膜形成组件BCT1 BCT3—主臂A2—加热冷 却组件LHP2的路径搬送，形成第一反射防止膜。
接着，加热冷却组件LHP2的晶片W通过主臂A2，按照例如棚架 组件U2的退避组件BF2的载置台41 —交接臂D—棚架组件U2的调 温组件CPL3—COT层B3的主臂A3—涂敷组件COTl COT3 —主臂 A3—加热冷却组件LHP3—主臂A3—周缘曝光装置WEE的路径被搬 送，在第一反射防止膜上形成抗蚀剂膜。
接下来，晶片W —直被搬送到棚架组件U2的退避组件BF3的载 置台41—交接臂D—棚架组件U2的调温组件CPL11—梭臂E—棚架组 件U3的调温组件CPL12。接着，晶片W通过接口块S3的接口臂F 被搬送到曝光装置S4，进行规定的曝光处理。
曝光处理后的晶片W按照接口臂F—棚架组件U3的交接台TRS13 —主臂A1的路径被搬送到DEV层B1，在该DEV层B1，以加热组件 PEB1—冷却组件COL1 —显影组件DEV1 DEV3—加热组件POST1 —调温组件CPL1的顺序而被搬送，进行规定的显影处理。这样，进行 过显影处理的晶片W经由棚架组件U2的交接台TRS11或TRS12，被 转移臂C归还到载置在输送块Sl上的原来的输送器20。
此外，上述抗蚀剂图案形成装置具备控制部100，其由进行各处理 组件的方案的管理、晶片W的搬送流程(搬送路径)的方案的管理、各处理组件的处理、进行主臂A1 A4、转移臂C、交接臂D、梭臂E 接口臂F的驱动控制的计算机构成。该控制部100具有例如存储有计 算机程序的程序存储部，在程序存储部中存储有例如由软件构成的程 序，该程序具备抗蚀剂图案形成用装置整体的作用、即用于对晶片W 形成规定的抗蚀剂图案的、实施各处理组件的处理和晶片W的搬送等 的步骤(命令)组。而且，这些程序由控制部100读出，由此控制部 IOO控制抗蚀剂图案形成装置整体的作用。其中，该程序例如以存储在 软盘、硬盘、小型激光盘、光磁盘、存储卡等存储介质中的状态，而 被存储在程序存储部中。
图8是表示该控制部100的构成的示意图，实际由CPU (中央处 理单元)、程序和存储器等构成，在本发明中由于涂敷膜形成用单位块 B2 B4中晶片W的搬送具有特征，所以这里将与其关联的构成要素 的一部分以块化方式进行说明。图8中标号70为总线，在该总线70 上连接有C0T层搬送部71、 BCT层搬送部72、 TCT层搬送部73、 晶片监视部74、输送块支出控制部75、搬送控制部76和各层的主臂 A1 A4、转移臂C、交接臂D、梭臂E、接口臂F各自的控制器(未 图示)。
上述COT层搬送部71具备COT层搬送组件71A、改写程序71B、 支出控制部71C。上述COT层搬送组件71A是指，在COT层B3中， 例如按照次序分配晶片W，使晶片W的次序与各组件对应，按照时间 序列排列已指定搬送循环的搬送循环数据，存储所生成的基本的搬送 程序表的部位。此外，在该例中，改写程序71B是指，在作为退避组 件BF3的下游侧组件的调温组件CPLll中，在由基本的搬送程序表确 定的规定的定时不能进行晶片W的搬送的情况下，将基本的搬送程序 表改写为如后述的程序。
这里，所谓在调温组件CPLll中，在上述规定的定时不能进行晶 片W的搬送的情况，是指曝光装置S4的处理速度小于涂敷膜形成用 单位块B2、 B3的处理速度的情况、和曝光装置S4发生故障，或因某 种原因而停止、或曝光装置S4中发生搬送问题等，曝光装置S4发生 异常，在基本的搬送程序表中设定的定时曝光装置S4不能进行晶片W 的交接的情况。
而且，所谓上述支出控制部71C是指在该例中，在COT层B3的 单位块中控制主臂A3从调温组件CPL3支出晶片W的机构，使得置 于调温组件CPL3的下游侧的组件的晶片W的总数不超过晶片W的搬 送路径的总组件数(从上述调温组件CPL3的下一组件到退避组件 BF31 34之前的组件、即周缘曝光装置WEE为止的晶片W搬送路径 的总组件数)、即比5多n个(l个)的数。这里，上述退避组件BF31 34相当于退避组件BF3的四个载置台41 44。
具体是下述机构，即，其控制主臂A3，使得当退避到退避组件 BF31 34的基板增加一个时，停止上述主臂A3从调温组件CPL 3支 出晶片，当从退避组件BF31 34向该退避组件BF31 34的下游侧的 组件、即调温组件CPLll的搬送开始时，使来自调温组件CPL3的晶 片W的支出再开始。
上述BCT层搬送部72与COT层搬送部71相同，具备BCT层搬 送程序表72A、改写程序72B、和支出控制部72C。上述BCT层搬送 程序表72A是存储BCT层B2中基本的搬送程序表的部位，改写程序 72B在该例中是调温组件CPL3在规定的定时不能进行晶片W的搬送 的情况下，将基本的搬送流程改写为如后所述的程序。
所谓上述支出控制部72C是指在该例中，在BCT层B2的单位块 中控制主臂A2从调温组件CPL2支出晶片W的机构，使得置于调温 组件CPL2的下游侧的组件的晶片W的总数不超过晶片W的搬送路径 的总组件数(上述调温组件CPL2的下一组件到退避组件BF21 24之 前的组件、S卩加热冷却组件LHP2为止的晶片W搬送路径的总组件数)、 即比4多n个(l个)的数，。这里，上述退避组件BF21 24相当于 退避组件BF2的四个载置台41 44。
具体是下述机构，即，其控制主臂A2，使得当退避到退避组件 BF21 24的基板增加一个时，停止上述主臂A2从调温组件CPL2支 出晶片W，当从退避组件BF21 24向该退避组件BF21 24的下游侧 的组件、即调温组件CPL3的搬送开始时，使来自调温组件CPL2的晶 片W的支出再开始。 ，,
上述TCT层搬送部73与COT层搬送部71相同，具备TCT层搬 送程序表73A、改写程序73B、和支出控制部73C。在上述TCT层搬 送程序表73A中存储有TCT层B4中基本的搬送程序表。此外，改写 程序73B在该例中是调温组件CPU 1在规定的定时不能进行晶片W的 搬送的情况下，将基本的搬送流程改写为如后所述的程序。
所谓上述支出控制部73C是指在TCT层B4的单位块中控制主臂 A4从调温组件CPL4支出晶片W的机构，使得置于调温组件CPL4的 下游侧组件的晶片W的总数不超过比晶片W的搬送路径的总组件数 多n个(l个)的数，其中晶片W的搬送路径的总组件数是上述调温 组件CPL4的下一组件到退避组件BF41 44之前的组件为止的晶片W 的搬送路径的总组件数。这里，上述退避组件BF41 44相当于退避组 件BF4的四个载置台41 44。具体是下述机构，g卩，其控制主臂A4， 使得当退避到上述退避组件BF41 44的基板增加一个时，上述主臂 A4停止从调温组件CPL4支出晶片W，当从退避组件BF41 44向该 退避组件BF41 44的下游侧的组件、即调温组件CPLll的搬送幵始 时，使来自调温组件CPL4的晶片W的支出再开始。
晶片监视部74是监视各单位块B1 B4中晶片W的位置的部位， 例如一直监视什么次序的晶片W处于哪个程序表，由此能够掌握置于 各单位块B1 B4内的组件中的晶片W的总数。
输送块支出控制部75是控制转移臂C的机构，使得在前面的晶片 W被置于调温组件CPL2，不能进行后续晶片W搬送的情况下，禁止 从输送块Sl向调温组件CPL2支出晶片W，在从该调温组件CPL2向 下游侧的组件的搬送开始时，开始从输送块S1向调温组件CPL2支出 晶片W。
搬送控制部76是参照上述基本的搬送程序表和改写后的搬送程序 表，控制转移臂C、主臂A1 A4、交接臂D、梭臂E、接口臂F，使 得写入搬送循环数据的晶片搬送至与该晶片对应的组件中，由此实行 搬送循环的部位，相当于控制基板搬送机构的机构。
接下来，说明本实施方式的作用。如上所述，在作为涂敷膜而形 成第一反射防止膜，并在其上形成抗蚀剂膜的情况下，以涂敷膜形成 用单位块B2、 B3的处理速度大于曝光装置S4的处理速度的情况为例 进行说明。由于本发明中以从涂敷膜形成用单位块B2、 B3到曝光装置 S4为止的晶片W的搬送路径具有特征，所以，以下着眼于BCT层B2 与COT层B3的晶片W的搬送路径来说明。
如图7所示，此时晶片W在BCT层B2禾卩COT层B3中，以输送 块S1 —调温组件CPL2—第一反射防止膜组件BCT1 BCT3—'加热冷 却组件LHP2—退避组件BF2—调温组件CPL3—涂敷组件COT1 COT3—加热冷却组件LHP3—周缘曝光装置WEE—退避组件BF3—调 温组件CPLll—调温组件CPL12—曝光装置S4的路径而被搬送。
此外，在进行处理时，如图9的搬送流程所示，首先询问曝光装 置S4是否正常(步骤S1)，如果正常则进入到步骤S2，如果不正常则 进入到步骤S3。首先，对于曝光装置S4正常的情况，以COT层B3 的搬送控制为例进行说明。此时，在步骤S2中，询问晶片监视部74 中S-CPL是否为空。这里所谓S-CPL是指与梭臂E之间进行交接所使 用的专用的调温组件CPLll、 CPL12，这里将组件CPLll、 CPL12统 称为S-CPL。
接着，如果为空则进行步骤S4，参照图ll所示的基本的搬送程序 表，并通过主臂A3进行1个循环的搬送。如果不为空则进入图10的 搬送流程的步骤S5，将基本的搬送程序表的COT层B3的最后组件从 退避组件BF31改写为退避组件BF31 34。这里，COT层B3的基本 的搬送程序表是指，图11表示CPL3—COTl、 COT2、 COT3—LHP3 —WEE—BF31为止的搬送程序表，记载有以下搬送循环在该搬送程 序表中，搬送顺序记载为横轴上晶片W的搬送目的地的组件中，纸面 左侧的组件为上游侧的组件，纸面右侧的组件为下游侧的组件，纵轴 为时间轴。CB是指输送块S1，晶片W01是指加载的第一晶片，晶片 W02是指加载的第二晶片。
接着返回图10的搬送流程继续说明，在步骤S6中参照改写后的 搬送程序表，通过主臂A3实施一个循环的搬送。接着在步骤S7中， 询问晶片监视部74置于退避组件BF31 34的晶片W的个数是否增 加，如果没有增加则返回步骤S6。如果增加则进入步骤S8，禁止主臂 A3从调温组件CPL3向COT层B3支出晶片W，参照改写后的搬送流 程，进行一个循环的搬送。此后，在步骤S9中，询问晶片监视部74 置于退避组件BF31 34的晶片W的个数是否增加，如果增加则返回 步骤S8，如果没有增加则在步骤S10中再开始从调温组件CPL3向COT
层B3的晶片W的支出，这样，在C0T层B3中，对加载的晶片W进 行抗蚀剂膜的形成。
接着说明BCT层B2的搬送控制，与COT层B3的搬送控制相同， 首先询问晶片监视部74调温组件CPL3是否为空，如果为空则参照图 11所示的基本的搬送程序表，并通过主臂A2进行一个循环的搬送。 如果不为空则将BCT层B2的最后组件从退避组件BF21改写为退避组 件BF21 24，参照改写后的搬送程序表，通过主臂A2进行一个循环 的搬送。这里，BCT层B2的基本的搬送程序表是指图11的CPL2— BCT1、 BCT2、 BCT3—LHP2—BF21为止的搬送程序表。
接着，询问晶片监视部74置于退避组件BF21 24的晶片W的个 数是否增加，如果没有增加则参照改写后的搬送程序表，进行一个循 环的搬送，如果增加则禁止主臂A2从调温组件CPL2向BCT层B2支 出晶片W，参照改写后的搬送程序表，进行一个循环的搬送。接着询 问晶片监视部74置于退避组件BF21 24的晶片W的个数是否增加， 如果增加则禁止从调温组件CPL2向BCT层B2支出晶片W，参照改 写后的搬送程序表，进行一个循环的搬送，如果没有增加则再开始从 调温组件CPL2向BCT层B2的晶片W的支出，这样，在BCT层B2 对加载的晶片W进行第一反射防止膜的形成。
接着说明转移臂C的搬送控制，S卩，这样进行控制，使得询问晶 片监视部74调温组件CPL2是否为空，如果为空则开始从输送块Sl 向调温组件CPL2支出晶片W，如果不为空则停止从输送块S1向调温 组件CPL2支出晶片W。
通过这样进行搬送控制，例如晶片W依照图12所示的搬送程序 表，在COT层B3、 BCT层B2内被搬送。该搬送程序表是设涂敷膜形 成用单位块、即COT层B3与BCT层B2的处理速度为20秒/个、曝 光装置S4的处理速度为30秒/个，曝光装置S4的处理速度小于COT 层B3与BCT层B2的处理速度的情况而成生的。这里，COT层B3与 BCT层B2的处理速度相当于上述搬送程序表的一个循环量，曝光装置 S4的处理速度相当于上述搬送流程的1.5个循环量。 、.
在该图12所示的搬送程序表中，在COT层B3中，对于加载的第 一晶片W01和加载的第二晶片W02，进入图9的搬送流程的步骤S4，
依照基本的搬送程序表，从输送块Sl搬送到S-CPL。另一方面，对于
加载的第三晶片W03，曝光装置B4的处理速度小于COT层B3的处 理速度，在从COT层B3搬送晶片W03到S-CPL的定时，由于晶片 W02还未进入S-CPL，所以在步骤S2中进入S-CPL不为空者。其中， 图12的搬送程序表的向下的箭头表示该组件的待机时间。
接下来，在图10的搬送流程的步骤S5中，将COT层B3的最后 组件改写为退避组件BF31 BF34，以在步骤S6中改写后的搬送程序 表进行一个循环的搬送(循环16)。接着，在步骤S7中，对于晶片 W03，置于退避组件BF31 34的晶片W为l个，没有增加，所以返 回步骤S6，进行下一循环的搬送(循环17)。在循环17中，使晶片 W04退避到退避组件BF31 34时，置于退避组件BF31 BF34的晶片 W为2个，由于增加，所以进入步骤S8，禁止从CPL3向COT层B3 支出晶片W。
由于该影响，在CPL3中晶片W09待机，在BCT层B2中，在规 定的定时不能搬送晶片W10到CPL3，由于置于退避组件BF21 BF24 的晶片W没有增加，所以禁止从CPL2向BCT层B2支出晶片W，而 且由于该影响，在CPL2内晶片W15待机，由于CPL2没有空出，在 禁止转移臂C从输送区域Sl向CPL2支出晶片W的状态下，在COT 层B3禾nBCT层B2中，各自参照改写后的搬送程序表，通过主臂A3、 A2进行一个循环的搬送(循环18)。
接着，在循环18中，置于COT层B3的退避组件BF31 BF34的 晶片W的个数为2个，没有增加，所以在步骤10中开始从CPL3支出。 这里，所谓置于COT层B3的退避组件BF31 BF34的晶片W的个数 没有增加，是指退避组件BF31的晶片W03向S-CPL搬送，晶片W05 被搬送到该退避组件BF31，该循环18意味着从退避组件BF31 BF34 向下游侧的晶片W的搬送开始后，进行从CPL3的晶片W的支出。
这样，对加载的晶片W进行控制，使得置于COT层B3的退避组 件BF31 BF34的晶片W的个数增加时，禁止从调温组件CPL3的支 出，当从COT层B3的退避组件BF31 BF34向下游侧组件的晶片W 的搬送开始时，再开始从调温组件CPL3支出晶片W，由此，使得在 COT层B3中，置于调温组件CPL3的下游侧的组件、即涂敷组件C0T1 C0T3、加热冷却组件LHP3、周缘曝光装置WEE、退避组件 BF31 34的晶片W的个数不超过6个。
此外，通过这样控制COT层B3，停止从调温组件CPL3的支出， 由此发生在BCT层B2不能向调温组件CPL3进行搬送的情况，在此 情况下进行上述搬送控制，在置于BCT层B2的退避组件BF21 BF24 的晶片W个数增加时，禁止从调温组件CPL2支出晶片W，当从BCT 层B2的退避组件BF21 BF24向下游侧组件的晶片W的搬送再开始 时，再开始从调温组件CPL2支出晶片W，由此使得在BCT层B2中， 置于调温组件CPL2的下游侧的组件、即第一反射防止膜形成组件 BCT1 BCT3、加热冷却组件LHP2、退避组件BF21 BF24的晶片W 的个数不超过5个。
接着，回到图9以COT层B3的搬送控制为例对在曝光装置S4 中发生异常的情况进行说明。首先，在步骤S3中，询问晶片监视部74 调温组件S-CPL是否为空，如果为空则进入步骤S4,参照图11所示 的基本的搬送程序表，并通过主臂A3进行一个循环的搬送。如果不为 空则进入步骤Sll，禁止从COT层B3向S-CPL支出晶片W，接着在 步骤S12中将COT层B3的最后组件从退避组件BF31改写为退避组 件BF31 34，并在步骤S13中参照改写后的搬送程序表，利用主臂 A3进行一个循环的搬送。
接着，在步骤S14中，询问晶片监视部74置于COT层B3的退避 组件BF31 34的晶片W的个数是否增加，如果没有增加则返回步骤 S13。如果增加则进入步骤S15，禁止从CPL3向COT层B3支出晶片 W。之后，进入步骤S16，对于COT层B3的晶片W，依照改写后的 搬送程序表进行搬送，使得从下游侧的组件开始装满晶片W，在COT 层B3中，使4个晶片W退避到退避组件BF31 BF34，并且在周边曝 光装置WEE、 LHP3的冷却板35中使晶片W待机。
此外，在BCT层B2的搬送控制中，首先询问调温组件CPL3是 否为空，如果为空，则参照图IO所示的基本的搬送程序表，通过主臂 A2进行一个循环的搬送。如果不为空则禁止从BCT层B3向CPL3支 出晶片W，将BCT层B2的最后的组件从退避组件BF21改写为退(避 组件BF21 24，参照改写后的搬送程序表，通过主臂A2进行一个循 环的搬送。
接着，询问晶片监视部74置于BCT层B2的退避组件BF21 24 的晶片W的个数是否增加，如果没有增加则参照改写后的搬送程序表 进行一个循环的搬送。如果增加则禁止从CPL2向BCT层B2支出晶 片W，对于BCT层B2的晶片W，依照改写后的搬送程序表进行搬送， 使得从下游侧的组件开始装满晶片W，在BCT层B2中，使4个晶片 W退避到退避组件BF21 BF24，并且在LHP2的冷却板35中使晶片 W待机。
此时，由于禁止从调温组件CPL2向BCT层B2支出晶片W，所 以在询问晶片监视部74调温组件CPL2是否为空时，由于调温组件 CPL2不为空，所以从输送块S1向调温组件CPL2支出晶片W也被禁止。
这样进行控制，使得当曝光装置S4发生异常时，在COT层B3 中，停止从退避组件BF31 34向调温组件S-CPL搬送晶片W，当置 于COT层B3的退避组件BF31 BF34的晶片W的个数增加时，禁止 从调温组件CPL3支出晶片W，由此在COT层B3中，使置于调温组 件CPL3的下游侧的组件的晶片W的个数不超过6个。此外，在该单 位块B3中进行过通常的处理之后，进行搬送，使得从下游侧的退避组 件BF31 BF34侧顺次装满组件，这样，在COT层B3的6个晶片W 中，4个晶片W被搬送至退避组件BF31 BF34，剩下的2个分别被 搬送至周缘曝光装置WEE和加热冷却组件LHP3，并在各自的组件中 待机。
此外，这样进行控制，使得在BCT层B2中，停止从退避组件 BF21 24向调温组件CPL3搬送晶片W，置于BCT层B2的退避组件 BF21 BF24的晶片W的个数增加时，禁止从调温组件CPL2支出晶 片W，由此使得置于调温组件CPL2下游侧的组件的晶片W的个数不 超过5个。此外，在该单位块B2中进行过通常的处理之后，进行搬送， 使得从下游侧的退避组件BF21 BF24侧顺次地装满组件，这样，在 BCT层B2的5个晶片W中，4个晶片W被搬送至退避组件BF21 BF24,剩下的1个被搬送至加热冷却组件LHP2，并且在各自的组件中 待机。
接着，对于COT层B3和BCT层B2的处理速度与曝光装置S4 的处理速度相同的情况下的搬送控制，依照图13的搬送流程，以COT 层B3为例进行说明。首先，询问曝光装置S4是否正常(步骤S21)， 如果正常则进入步骤S22，参照图11所示的基本的搬送程序表，并通 过主臂A3进行一个循环的搬送。如果不正常则进入步骤S23，禁止从 COT层B3向S-CPL支出晶片W，在步骤S24中将COT层B3的最后 的组件从退避组件BF31改写为退避组件BF31 34，在步骤S25中参 照改写后的搬送程序表进行一个循环的搬送。
接着，在步骤S26中，询问晶片监视部74置于COT层B3的退避 组件BF31 34的晶片W的个数是否增加，如果没有增加则返回步骤 S25。如果增加则在步骤S27中，禁止从CPL3向COT层B3支出晶片 W，之后在步骤S28中，对于COT层B3的晶片W，依照改写后的搬 送程序表进行搬送，使得从下游侧的组件开始装满晶片W，使4个晶 片W退避到退避组件BF31 BF34，并且使周边曝光装置WEE、加热 冷却组件LHP3的冷却板35各自的晶片W待机。
此外，在BCT层B2中，首先询问曝光装置S4是否正常，如果正 常，则参照图11所示的基本的搬送程序表，通过主臂A2进行一个循 环的搬送。如果不正常，则禁止从BCT层B2向CPL3支出晶片W。
接着，将BCT层B2的最后组件从退避组件BF21改写为退避组件 BF21 24，参照改写后的搬送程序表，通过主臂A2进行一个循环的 搬送。接着，询问晶片监视部74置于BCT层B2的退避组件BF21 24的晶片W的个数是否增加，如果没有增加则参照改写后的搬送程序 表进行一个循环的搬送。如果增加则禁止从CPL2向BCT层B2支出 晶片W，对于BCT层B2的晶片W，依照改写后的搬送程序表进行搬 送，使得从下游侧的组件开始装满晶片W，在BCT层B2中，使4个 晶片W退避到退避组件BF21 BF24，同时在加热冷却组件LHP2的 冷却板35中使晶片W待机。
此时，由于禁止从调温组件CPL2向BCT层B2支出晶片W，所 以在询问晶片监视部74调温组件CPL2是否为空时，由于调温组件 CPL2不为空，所以从输送块Sl向调温组件CPL2的晶片W的支出也 被禁止。这样进行控制，使得即便在该情况下，当曝光装置S4发生异常时， 在COT层B3中，停止从退避组件BF31 34向调温组件S-CPL搬送 晶片W，当置于COT层B3的退避组件BF31 BF34的晶片W的个数 增加时，禁止从调温组件CPL3支出晶片W，由此使得在COT层B3 中，置于调温组件CPL3的下游侧的组件的晶片W的个数不超过6个。 此外，在该单位块B3中进行过通常的处理之后，进行搬送，使得从下 游侧的退避组件BF31 BF34侧开始装满组件，这样，在COT层B3 的6个晶片W中，4个晶片W被搬送至退避组件BF31 BF34，剩下 的2个分别被搬送至周缘曝光装置WEE和加热冷却组件LHP3的冷却 板35，并且在各自的组件中待机。
此外，进行控制，使得在BCT层B2中，停止从退避组件BF21 24向调温组件CPL3搬送晶片W，置于BCT层B2的退避组件BF21 BF24的晶片W的个数增加时，禁止从调温组件CPL2支出晶片W， 由此使得置于调温组件CPL2的下游侧的组件的晶片W的个数不超过 5个，在该单位块B2中进行过通常的处理之后，进行搬送，使得从下 游侧的退避组件BF21 BF24侧开始装满组件，这样，在BCT层B2 的5个晶片W中，4个晶片W被搬送至退避组件BF21 BF24，剩下 的1个被搬送至加热冷却组件LHP2的冷却板35，并且在各自的组件 中待机。
在这样的抗蚀剂图案形成装置中，由于在涂敷膜形成用单位块 B2 B4中设置有退避组件BF2 BF4，所以即使曝光装置S4的处理速 度小于涂敷膜形成用单位块B2 B4的处理速度，在各涂敷膜形成用单 位块B2 B4中被处理的晶片W退避到各单位块B2 B4的退避组件 BF2 BF4，这里使向曝光装置S4的搬送待机，由此可吸收曝光装置 S4与涂敷膜形成用单位块B2 B4的处理速度之差。
此时，在上述COT层B3和BCT层B2中，由于上述主臂A3 (A2) 进行的晶片W的搬送被控制为置于调温组件CPL3 (CPL2)下游侧的 组件的晶片W的总数比从上述调温组件CPL3 (CPL2)的下一组件到 退避组件BF3 (BF2)之前的组件为止的上述搬送路径的总流程数多n 个(l个)的个数，所以只要退避组件BF3 (BF2)构成为能够使比液 处理组件数量多n个(l个)的个数的晶片W退避，则即使曝光装置S4发生异常，不能将晶片W搬送到该曝光装置S4的情况下，通过禁 止从调温组件CPL3 (CPL2)支出晶片W，而能够使由所有的液处理 组件(C0T1 C0T3、 BCT1 BCT3)进行过液处理的晶片W收纳在 退避组件BF31 34 (BF21 24)中。
在这种情况下，加热冷却组件LHP3 (LHP2)和周缘曝光装置WEE 中也可收纳晶片W，在加热冷却组件LHP3 (LHP2)中，完成加热板 34进行的加热处理的晶片W在规定的定时被交接到用于与主臂A3 (A2)进行交接的兼用作搬送臂的冷却板35上，这里由于为待机，所 以不会过度进行加热处理，抑制晶片W上形成的涂敷膜变质。此外， 即使在周缘曝光装置WEE待机，也不会对涂敷膜产生不良影响，所以 不用担心晶片W上形成的涂敷膜发生变质。所以通过分别针对COT 层B3和BCT层B2设置退避组件BF3 (BF2)，而能够在抑制涂敷膜 变质的状态下使COT层B3和BCT层B2中进行完通常处理的所有晶 片W待机，通过在曝光装置S4再开始运转的时刻进行曝光处理，而 能够保持原样继续进行涂敷膜形成处理，抑制成品率的降低。
此时，在该例中设定n=l，所以如上所述，如果退避组件BF3(BF2) 构成为能够使比液处理组件数多1个的个数的晶片W退避，则COT 层B3和BCT层B2中进行完通常处理的晶片W能够在抑制涂敷膜变 质的状态下而被收纳，所以能够抑制退避组件BF3 (BF2)的大型化， 收纳于涂敷膜形成用单位块中。
这样，通过将退避组件BF2 BF4设置于涂敷膜形成用单位块， 这些退避组件BF2 BF4在涂敷膜形成用单位块B2 B4的内部分别通 过主臂A2 A4进行存取，所以与现有技术那样在接口块上设置退避 组件的构成相比，减轻接口块的负担。因此，由于即使接口臂F为1 基(个)也能实现目标的生产效率，所以，与现有技术的设置2基(个) 接口臂的构成相比，本发明能够减少该臂F的设置数，因此能够实现 制造成本的削减。此外，由于可以在接口块S3上设置1基(个)的接 口臂F，所以能够縮小装置的占用面积。
这里，图14表示现有的图15所示的装置的搬送程序表。该例的 退避组件构成为在曝光装置停止时能够收纳处理块内所有的晶片W， 所以在处理块内的所有组件数为14个的情况下，构成为可收纳16个
晶片W，在该搬送程序表中，为便于图示，记载为退避组件BF能够 收纳8个晶片W。在该例中，进行搬送控制，使得从调温组件CPL到 退避组件BF8的晶片W的个数为16个，当上述晶片W的个数超过16 个的情况下，进行从输送块CB的晶片W的支出，是这样进行控制。
这样，在现有技术中，在一个处理块中进行第一反射防止膜的形 成、抗蚀剂液的涂敷、显影处理，所以处理块内的组件数变多，退避 组件构成为能够收纳多于该组件数的晶片W，退避组件大型化，由于 在接口块上设置有退避组件，导致接口臂的负担增加，这也可以从该 搬送程序表中得知。
而且，近年来，在向曝光装置搬送晶片W时，为了提高曝光精度， 要求将晶片W的温度调整为规定温度，所以需要在向曝光装置过渡之 前通过调温组件CPL调整晶片温度。因此，在接口块上配置有退避组 件的情况下，需要在曝光装置之前搬送到调温组件CPL，增加搬送工 序，并且需要在接口块上设置调温组件CPL，所以导致接口块进一步 大型化。此外，考虑到退避组件的待机时间，在图14的搬送流程中， 由于待机时间比本发明的图11的搬送程序表长，所以导致调温组件 CPL的调温时间也变长。
此外，在本发明中，退避组件BF2 BF4是涂敷膜形成用单位块 的搬送路径的最终组件，所以通过设置于棚架组件U2上，不仅可以与 设置有退避组件的单位块的主臂进行存取，而且还可以与交接臂D进 行存取，易于搬送到进行下一个工序的其它单位块。此时经由调温组 件CPL11—调温组件CPL12，通过梭臂E搬送到曝光装置，这些调温 组件CPLll、 CPL12 (S-CPL)具有调整温度的功能，所以能够同时进 行晶片W的搬送和温度调整。因此，在搬送到曝光装置S4之前不需 要另外搬送到调温组件CPL，因此能够减少搬送工序。此外，不需要 在接口块S3上配置调温组件CPL，所以可以抑制装置占用面积的增加。
以上的本发明，可适用于作为涂敷膜仅形成抗蚀剂膜的情况、在 抗蚀剂膜之上形成第二反射防止膜的情况、形成第一反射防止膜和抗 蚀剂膜以及第二反射防止膜的情况。在形成抗蚀剂膜的情况下，以输 送块SI—CPL2—CPL3—COT—LHP3—WEE—退避组件BF3—CPL11 —CPL12—曝光装置S4的路径搬送，当令n=l时，搬送到退避组件BF31 BF34的晶片W的个数增加时，通过禁止从调温组件CPL3支 出，由此进行控制，使得置于调温组件CPL3的下游侧的组件上的晶片 W的数量不超过6个，当曝光装置S4发生异常时，停止从退避组件 BF31 BF34向调温组件S-CPL搬送晶片W，停止从输送块Sl向调温 组件S-CPL2支出晶片W。
此外，在抗蚀剂膜之上形成第二反射防止膜的情况下，以输送块 S1 — CPL2 — CPL3 — COT — LHP3 —退避组件BF3 — CPL4 — TCT — LHP4—WEE—退避组件BF4—CPL11—CPL12—曝光装置S4的路径搬 送，在TCT层B4中，当令『1时，置于退避组件BF41 BF44的晶 片W的数量增加时，通过禁止从调温组件CPL4支出晶片W，由此进 行控制，使得置于调温组件CPL4的下游侧的组件上的晶片W的数量 不超过6个(从调温组件CPL4的下游侧的组件到退避组件BF4为止 的总组件数+l个)，当曝光装置S4发生异常时，停止从退避组件BF41 44向调温组件S-CPL搬送晶片W。此外，在COT层B3中，当令『1 时，置于退避组件BF31 BF34的晶片W的个数增加时，通过禁止从 调温组件CPL3支出晶片W，由此进行控制，使得置于调温组件CPL3 的下游侧的组件上的晶片W的个数不超过5个(从调温组件CPL3的 下游侧的组件到退避组件BF3为止的总组件数+1个)，当曝光装置S4 发生异常时，停止从退避组件BF31 34向调温组件CPL4搬送晶片W， 停止从输送块Sl向调温组件CPL2支出晶片W。
而且，在形成第一反射防止膜和抗蚀剂膜以及第二反射防止膜的 情况下，以输送块Sl—CPL2—BCT—LHP2—退避组件BF2—CPL3— COT—LHP3—退避组件BF3—CPL4—TCT—LHP4—WEE—退避组件 BF4—CPL11—CPL12—曝光装置S4的路径搬送，在TCT层B4中， 当令11=1时，置于退避组件BF41 BF44的晶片W的数量增加时，通 过禁止从调温组件CPL4支出晶片W，由此进行控制，使得置于调温 组件CPL4的下游侧的组件上的晶片W的数量不超过6个(从调温组 件CPL4的下游侧的组件到退避组件BF4为止的总组件数+1个)，当曝 光装置S4发生异常时，停止从退避组件BF41 44向调温组件S-CPL 搬送晶片W。
此外，在COT层B3，当令11=1时，置于退避组件BF31 BF34
的晶片W的个数增加时，通过禁止从调温组件CPL3支出晶片W,由 此进行控制，使得置于调温组件CPL3的下游侧的组件上的晶片W的 个数不超过5个(从调温组件CPL3的下游侧的组件到退避组件BF3 为止的总组件数+l个)，当曝光装置S4发生异常时，停止从退避组件 BF31 34向调温组件CPL4搬送晶片W。在BCT层B2中，当令n-l 时，置于退避组件BF21 BF24的晶片W的个数增加时，通过禁止从 调温组件CPL2支出，由此进行控制，使得置于调温组件CPL2的下游 侧的组件上的晶片W的个数不超过5个(从调温组件CPL2的下游侧 的组件到退避组件BF3为止的总组件数+1个)，当曝光装置S4发生异 常时，停止从退避组件BF21 24向调温组件CPL3搬送晶片W，停止 从输送块Sl向调温组件CPL2支出晶片W。
以上，在上述实施方式中，在COT层B3中，当不能将晶片W搬 送到调温组件S-CPL时，改写COT层B3的搬送程序表，在BCT层 B2中，当不能将晶片W搬送到调温组件CPL3时，改写BCT层B2 的搬送程序表，此外，当不能将晶片W搬送到调温组件CPL2时，分 别控制COT层B3和BCT层B2以及转移臂C，使得转移臂C停止从 输送块Sl搬送晶片W，当在COT层B3中不能将晶片W搬送到调温 组件S-CPL时，结果成为在BCT层B2中不能将晶片W搬送到调温组 件CPL3，由于也不能从输送块S1向调温组件CPL2搬送晶片W，所 以在COT层B3中不能向调温组件S-CPL搬送晶片时，也可以改写COT 层B3的搬送程序表和BCT层B2的搬送程序表，使得转移臂C停止 从输送区域Sl支出晶片W，这样来进行控制。
此外，本发明的退避组件构成为能够使比液处理组件数多n+l个 以上的多个基板退避，使比液处理组件数多n个数量的基板退避，如 本发明所示，若在单位块内通过主臂搬送晶片时使用，能够使置于调 温组件的下游侧的组件的基板总数为从上述调温组件的下一组件到退 避组件之前的组件为止的上述搬送路径的总组件数多n个的数量，则 该装置相当于本发明的退避装置。
在以上的本发明中，只要在上述涂敷膜形成用单位块上设置有能 够使比在基板上涂敷涂敷液的液处理组件的数多n个数量的基板退避 的退避组件，在涂敷膜形成用单位块中，按照对基板进行调温的调温
组件、在基板上涂敷涂敷液的液处理组件、加热基板并接着对其进行 冷却的加热冷却组件、退避组件的搬送路径，从上述调温组件侧向着 退避组件侧搬送基板，并且能够在该单位块内通过主臂搬送晶片，使 置于上述调温组件的下游侧的组件的基板总数为从上述调温组件的下 一组件到退避组件之前的组件为止的上述搬送路径的总组件数多n个
数量，则这些各组件(module)的个数、种类以及布局并不限于上述 实施方式。
此外，在上述例子中，作为加热冷却组件，以利用由一个组件进 行晶片W的加热处理，接着对其进行冷却处理的构成的情况为例进行 说明，作为上述加热冷却组件，也可以使用加热基板的加热组件、冷 却基板的冷却组件分别为两个组件，将晶片W搬送到加热组件后接着 搬送到冷却组件，在此情况下，当令n=l时，在涂敷膜形成用单位块 B3 (B2、 B4)内，通过主臂A3 (A2、 A4)搬送晶片W，使得置于上 述调温组件CPL3 (CPL2、 CPL4)的下游侧的组件上的晶片W的总数 为，与从上述调温组件CPL3 (CPL2、 CPL4)的下一组件到退避组件 BF31 34 (BF21 24、 BF41 44)之前的组件为止的上述搬送路径的 总组件数多(n-l)个的数量、即与上述总组件数相同的数。
在此情况下，例如在COT层B3中，当令n=l时，从调温组件CPL3 的下一组件到退避组件BF31 34之前的组件为止的上述搬送路径的 总组件数为COTl、 COT2、 COT3、加热组件、冷却组件、WEE，共 为6个，在COT层B3内，通过主臂A3搬送晶片W，使得置于调温 组件CPL3的下游侧的组件的晶片W的总数为6个。此外，当曝光装 置S4发生异常时，例如在COT层B3内进行完通常处理的6个晶片W 内，4个晶片W在退避组件BF31 34中待机，1个晶片W在WEE中 待机，1个晶片W在冷却组件中待机。此外，在上述例子中，在BCT 层B2与COT层B3之间或者COT层B3与TCT层B4之间的晶片W 的交接分别经由退避组件BF2、 BF3的一个载置台进行，也可以设置 用于进行退避组件BF2、 BF3与另外的BCT层B2与COT层、B3之间、 或COT层B3与TCT层B4之间的晶片W的交接的交接台。
而且，各单位块的叠层数和叠层的次序不限于上述例子，显影处 理用单位块也可以为两层，涂敷膜形成用单位块也可以配置为从下方
侧向着上方侧依次为TCT层、COT层、BCT层。此夕卜，也可以将涂敷 膜形成用单位块配置在下方侧，在其上配置显影处理用单位块。此外， 本发明不仅能够适用于半导体晶片，也可以适用于处理液晶显示器用 的玻璃基板(LCD基板)的基板的涂敷、显影装置。
权利要求
1.一种涂敷、显影装置，其特征在于在一个涂敷膜形成用单位块或者相互叠层的多个涂敷膜形成用单位块中，在由输送器搬入到输送块上的基板上形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜，之后经由接口模块将该基板搬送到曝光装置，并在相对于所述涂敷膜形成用单位块叠层的显影处理用单位块中对经由所述接口模块返回的曝光后的基板进行显影处理，并将其交接到所述输送模块，并且，所述单位块具有放置基板的多个组件和在所述组件之间进行基板的搬送的基板搬送机构，根据预先设定的搬送程序表，通过基板搬送机构从下游侧的组件内的基板开始，一个一个顺次地将其移动到之后的组件，由此形成次序小的基板与次序大的基板相比位于更下游侧组件的状态，由此进行一个搬送循环，结束该搬送循环后，进行下一个搬送循环，由此进行基板的搬送，该涂敷、显影装置包括设置在所述涂敷膜形成用单位块上的对基板进行调温的调温组件、对基板涂敷涂敷液的液处理组件、以及加热基板并接着对其进行冷却的加热冷却组件；退避组件，设置在所述涂敷膜形成用单位块上，能够使比所述液处理组件数多n个数量的基板退避；和控制部，对单位块内的基板搬送机构进行控制，使得在涂敷膜形成用单位块中，按照所述调温组件、所述液处理组件、所述加热冷却组件、所述退避组件的搬送路径，从所述调温组件侧向所述退避组件侧搬送基板，并且当曝光装置的处理速度小于涂敷膜形成用单位块的处理速度时，使置于所述调温组件的下游侧的组件的基板总数成为比从所述调温组件的下一组件到所述退避组件之前的组件为止的所述搬送路径的总组件数多n个的数量。
2. —种涂敷、显影装置，其特征在于在一个涂敷膜形成用单位块或者相互叠层的多个涂敷膜形成用单 位块中，在由输送器搬入到输送块上的基板上形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜，之后经由接口模块将该基板搬送到曝光装置，并在相对于所述 涂敷膜形成用单位块叠层的显影处理用单位块中对经由所述接口模块 返回的曝光后的基板进行显影处理，并将其交接到所述输送模块，并 且，所述单位块具有放置基板的多个组件和在所述组件之间进行基板 的搬送的基板搬送机构，根据预先设定的搬送程序表，通过基板搬送 机构从下游侧的组件内的基板开始， 一个一个顺次地将其移动到之后 的组件，由此形成次序小的基板与次序大的基板相比位于更下游侧组 件的状态，由此进行一个搬送循环，结束该搬送循环后，进行下一个 搬送循环，由此进行基板的搬送，该涂敷、显影装置包括设置在所述涂敷膜形成用单位块上的对基板进行调温的调温组 件、对基板涂敷涂敷液的液处理组件、以及加热基板并接着对其进行 冷却的加热冷却组件；退避组件，设置在所述涂敷膜形成用单位块上，能够使比所述液处理组件数多n个数量的基板退避；和控制部，控制单位块内的基板搬送机构，使得当所述曝光装置发 生异常时，在涂敷膜形成用单位块内，按照所述调温组件、所述液处 理组件、所述加热冷却组件、所述退避组件的搬送路径搬送基板，使 置于所述调温组件的下游侧的组件的基板总数成为比从所述调温组件 的下一组件到所述退避组件之前的组件为止的所述搬送路径的总组件数多n个的数量，并且在对存在于涂敷膜形成用单位块内的基板进行 过该单位块的通常处理之后，使各基板退避到所述退避组件，同时， 该控制部还输出用于禁止向该单位块外搬出基板和向该单位块内搬入 基板的控制指令。
3.如权利要求1或2所述的涂敷、显影装置，其特征在于所述加热冷却组件由加热基板的加热组件和冷却基板的冷却组件 的两个组件构成，所述控制部控制该单位块内的基板搬送机构，使得 置于所述调温组件的下游侧的组件的基板总数成为比从所述调温组件 的下一组件到所述退避组件之前的组件为止的所述搬送路径的总组件数多(n—l)个的个数。
4. 如权利要求l或2所述的涂敷、显影装置，其特征在于 所述控制部具备控制所述基板搬送机构的机构，使得当退避到所述退避组件的基板增加1个时，使所述基板搬送机构停止从所述调温 组件支出基板。
5. 如权利要求4所述的涂敷、显影装置，其特征在于 所述控制部具备控制所述基板搬送机构的机构，使得当开始从所述退避组件向下游侧的组件搬送基板时，使所述基板搬送机构开始从 所述调温组件支出基板。
6. 如权利要求1或2所述的涂敷、显影装置，其特征在于，包括 所述1个或多少涂敷膜形成用单位块；交接部，设置于显影处理用单位块的各单位块上，用于在与其它单位块之间进行基板的交接；和交接机构，在各单位块的交接部彼此之间进行基板的交接，其中， 所述退避组件设置成通过涂敷膜形成用单位块的基板搬送机构和所述交接机构进行基板的交接。
7. —种涂敷、显影方法，其特征在于在一个涂敷膜形成用单位块或者相互叠层的多个涂敷膜形成用单 位块中，在由输送器搬入到输送块上的基板上形成包含抗蚀剂膜的涂 敷膜，之后经由接口模块将该基板搬送到曝光装置，并在相对于所述 涂敷膜形成用单位块叠层的显影处理用单位块中对经由所述接口模块 返回的曝光后的基板进行显影处理，并将其交接到所述输送模块，并 且，所述单位块具有放置基板的多个组件和在所述组件之间进行基板 的搬送的基板搬送机构，根据预先设定的搬送程序表，通过基板搬送 机构从下游侧的组件内的基板开始， 一个一个顺次地将其移动到之后 的组件，由此形成次序小的基板与次序大的基板相比位于更下游侧组 件的状态，由此进行一个搬送循环，结束该搬送循环后，进行下一个搬送循环，由此进行基板的搬送，该涂敷、显影方法中，在所述涂敷膜形成用单位块上设置有对基板进行调温的调温组 件、对基板涂敷涂敷液的液处理组件、加热基板并接着对其进行冷却的加热冷却组件，并且设置能够使比所述液处理组件数多n个数量的基板退避的退避组件，按照下述方式通过基板搬送机构搬送基板在 该单位块中，按照所述调温组件、所述液处理组件、所述加热冷却组 件、所述退避组件的搬送路径，从所述调温组件侧向所述退避组件侧 搬送基板，并当曝光装置的处理速度小于涂敷膜形成用单位块的处理 速度时，使得置于所述调温组件的下游侧的组件的基板总数成为比从 所述调温组件的下一组件到所述退避组件之前的组件为止的所述搬送路径的总组件数多n个的数量。
8. —种涂敷、显影方法，其特征在于在一个涂敷膜形成用单位块或者相互叠层的多个涂敷膜形成用单 位块中，在由输送器搬入到输送块上的基板上形成包含抗蚀剂膜的涂 敷膜，之后经由接口模块将该基板搬送到曝光装置，并在相对于所述 涂敷膜形成用单位块叠层的显影处理用单位块中对经由所述接口模块 返回的曝光后的基板进行显影处理，并将其交接到所述输送模块，并 且，所述单位块具有放置基板的多个组件和在所述组件之间进行基板 的搬送的基板搬送机构，根据预先设定的搬送程序表，通过基板搬送 机构从下游侧的组件内的基板开始， 一个一个顺次地将其移动到之后 的组件，由此形成次序小的基板与次序大的基板相比位于更下游侧组 件的状态，由此进行一个搬送循环，结束该搬送循环后，进行下一个 搬送循环，由此进行基板的搬送，在该涂敷、显影方法中，包括以下 工序在所述涂敷膜形成用单位块上设置对基板进行调温的调温组件； 对基板涂敷涂敷液的液处理组件；加热基板并接着对其进行冷却的加 热冷却组件，并且设置能够使比所述液处理组件数多n个数量的基板 退避的退避组件，按照下述方式通过基板搬送机构搬送基板在该单 位块内，当所述曝光装置发生异常时，按照所述调温组件、所述液处理组件、所述加热冷却组件、所述退避组件的搬送路径搬送基板，并 且使得置于所述调温组件的下游侧的组件的基板总数成为比从所述调 温组件的下一组件到所述退避组件之前的组件为止的所述搬送路径的总组件数多n个的数量，并且在对存在于该单位块内的基板进行过该 单位块的通常处理之后，使各基板退避到所述退避组件；禁止向所述涂敷膜形成用单位块外搬出基板；和禁止向所述涂敷膜形成用单位块内搬入基板。
9. 如权利要求7或8所述的涂敷、显影方法，其特征在于 所述加热冷却组件由加热基板的加热组件和冷却基板的冷却组件的两个组件构成，基板搬送机构进行基板的搬送，使得置于所述调温 组件的下游侧的组件的基板总数成为比从所述调温组件的下一组件到 所述退避组件之前的组件为止的所述搬送路径的总组件数多(n—l) 个的数量。
10. —种记录介质，其特征在于存储有涂敷、显影装置所使用的计算机程序，其中该涂敷、显影 装置在一个涂敷膜形成用单位块或者相互叠层的多个涂敷膜形成用单 位块中，在从载置收纳有多个基板的输送器的输送块接收的基板上形 成包含抗蚀剂膜的涂敷膜，并且在相对于所述涂敷膜形成用单位块叠 层的显影处理用单位块中，对曝光后的基板进行显影处理，所述程序由实施权利要求7或8所述的涂敷、显影方法的步骤组 组成。
全文摘要
本发明的涂敷、显影装置通过在涂敷膜形成用单位块上设置退避组件，减少接口臂设置数，削减制造成本并缩小装置占用面积。在COT层(B3)上设置能够使比涂敷组件(COT1～COT3)数多1个数量的晶片(W)退避的退避组件(BF31～34)。在COT层(B3)中，以调温组件(CPL3、COT1～COT3)、加热冷却组件(LHP3、BF31～34)的搬送路径搬送晶片(W)，当曝光装置(S4)的处理速度小于COT层(B3)的处理速度时，通过主臂(A3)搬送晶片(W)，使置于所述CPL3下游侧组件的晶片(W)总数成为比从所述CPL3的下一组件到退避组件之前的组件为止的所述搬送路径的总组件数多1个的数量。
文档编号B05C11/08GK101197253SQ200710194160
公开日2008年6月11日 申请日期2007年12月5日 优先权日2006年12月5日
发明者原圭孝, 林田安 申请人:东京毅力科创株式会社