双重固化性聚合物及其制备和用途的制作方法

专利名称：双重固化性聚合物及其制备和用途的制作方法
技术领域：
双重固化性硅氧烷聚合物具有通过两种不同的固化机理固 化的官能团。含此处所述的聚合物的组合物固化形成具有相当结构和 强度的产品(网络)，而与使用哪种固化机理无关。该聚合物和组合物 可用于电子应用，例如用作保形涂层、密封剂和粘合剂。
要解决的技术问题可辐射(例如，紫外线UV)固化的涂层依赖于辐射光线进行 固化。UV固化是一种低温、快速的可自由使用的固化工艺，它允许制 造者在小的空间内以高的产量生产大量固化的材料。对于电路板制造 者来说，这使得UV固化成为吸引人的技术。然而，负载组件的电路板 的复杂结构使得它们成为不那么理想的UV固化的候选物，这是因为在 各组件下存在"阴影区域"。在UV可固化的涂层中广泛使用两种化学； 一种是丙烯酸酯 类，另一种是环氧化物。丙烯酸酯基体系通过光生成的自由基物质引 发。在光引发和聚合中自由基的半衰期相对短，结果仅仅当进行活性 辐射时才发生聚合。环氧基体系借助阳离子机理固化，于是通过UV 辐射，使潜酸(通常为错盐形式)分解，得到强酸，然后所述强酸引 发环氧基自加成，形成醚键。反应性阳离子中心具有相对长的半衰期， 结果聚合可持续数天，这取决于固化基体的性质。在硬质体系内，阳 离子中心捕获在基体内，和可使用后烘烤来增加基体的迁移率并因此加快固化。在柔性硅氧烷环氧化物体系内，聚合可在室温下继续。已提出了数种方法来解决阴影固化的问题。 一个实例是烘 烤涂层。在UV辐射之后，后烘烤电路板是昂贵的第二步骤，它使得使 用UV的目的失效。此外，热可引发固化阳离子物质的错盐分解。类似 地，热可使固化丙烯酸酯基体系用的自由基生成物质例如过氧化物或 氢过氧化物分解。解决阴影固化问题的可供替代方法是所谓的双重固化材
料。这一材料的常规路线是釆用厌氧自由基引发剂体系作为辅助机理， 借助UV触发的自由基引发的丙烯酸酯官能的硅氧烷，或者相反借助湿 气引发的硅氧烷室温可硫化(RTV)化学物质，例如以下所示的曱氧基硅 烷官能的材料。
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典型地通过用三甲氧基丙烯酰基硅烷封端直链硅烷醇官能 的聚二曱基硅氧烷流体，衍生在这一族内的硅氧烷丙烯酸酯聚合物。 尽管可获得丙烯酸酯化的硅氧烷，但它们的缺点是l)难以借助常规 的氢化硅烷化路线制备，和2)丙烯酸酯基在合成过程中易于热聚合。 这一路线还限制可获得的聚合物结构，仅仅存在有限数量的硅烷醇聚 合物；典型地仅仅直链硅烷醇封端的聚合物。当在硅烷上的烷氧基之 一与仅仅留下两个可供缩合的烷氧基的硅烷醇流体缩合时，将降低二 次固化速度。在例如以上所述的聚合物中，可变的唯一设计是用下标 z表示的聚合度(DP)。借助这一路线制备的硅氧烷聚合物还倾向于分 解，这是因为由缩合催化剂引起的尾咬反应导致的。
发明概述聚合物每一分子平均包括大于一个式(I)的基团
<formula>formula see original document page 8</formula>其中Z选自一个硅原子和间隔基，其中E、 A、和R可键合到间隔基内的同一原子或不同原子上；其中 、，A基在末端包括通式Xi—Si-Rl~的单元；干2",E基在末端包括通式；s—s卜k^的单元； 每一R基独立地选自R1、 R2、 E、 A和共价鍵；和 其中每一 r独立地为氧原子或二价烃基；每一 R'独立地为单价烃 基；每一X独立地为单价可水解基团；每一J独立地为单价环氧官能 的有机基团；每一下标s独立地为数值1、 2或3;和每一下标t独立 地为数值l、 2或3。在该聚合物中，平均每一E基紧密地邻近一个或 多个A基，和平均每一 A基紧密地邻近一个或多个E基。对于本申请 的目的来说，"紧密地邻近"是指E和A基足够靠近彼此，以充当一 个交联单元。 详细说明
此处所述的聚合物可具有单元式、 /a \，(R22Si02/2)b、 (R2Si03/2)c、 (SiOw)d、(O(R23Si01/2)g。在该聚合物内所有单元之和的范围可以是50-2500，或者 50-1000。下标b与(a+b+c+d+e+f+g)的数量之比可以在0. 8-0. 999范 围内。或者，这一比值范围可以是0.93-0.98。每一聚合物链平均可干、 干、，具有至少一个通式xr—si—rL~的基团，和至少一个通式js"~s''-rL~的基团。[OOIO]在上式中，每一 R'独立地为氧原子或二价有机基团，例如 二价烃基。或者，每一^是二价烃基。每一R"是二价烃基。合适的二 价烃基的实例包括亚烷基，例如亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚己基、亚辛基，或者是亚乙基；和亚芳基，例如亚苯基，或烷基亚芳基，例 如<formula>formula see original document page 10</formula>或或者，每一 R'和每一 R"可以是亚烷基，例如亚乙基。 [OOll]在上式中，每一 W独立地为不含脂族不饱和端基(不通过 氢化硅烷化而反应)的单价有机基团。R2的合适基团的实例包括取代和 未取代的单价烃基。合适的未取代的单价烃基包括烷基，例如甲基、 乙基、丙基、戊基、己基、庚基、辛基、十一烷基、十八烷基、甲基 乙基、l-甲基丙基、2-曱基丙基、l，l-二甲基乙基、l-甲基丁基、1-乙基丙基、2-曱基丁基、3-甲基丁基、1，2-二甲基丙基和2，2-二曱基 丙基；环烷基，例如环戊基、环己基和甲基环己基；和芳基，例如苯 基、甲苯基、二甲苯基、爷基和2-苯乙基。112的单价取代的烃基的实 例包括但不限于单价卣代烃基，例如氯代烷基，其中例举氯曱基和氯 丙基；氟代烷基，例如氟甲基、2-氟丙基、3，3，3-三氟丙基、4,4,4-三氟丁基、4,4,4， 3， 3-五氟丁基、5，5,5，4，4，3，3-七氟戊基、 6， 6， 6， 5， 5， 4, 4， 3， 3-九氟己基和8， 8， 8， 7， 7-五氟辛基；氯代环烷基， 例如2，2-二氯环丙基、2，3-二氯环戊基；和氟代环烷基，例如2,2-二氟环丙基、2，3-二氟环丁基、3,4-二氟环己基和3，4-二氟-5_甲基 环庚基。R2的单价取代的烃基的实例包括但不限于用氧原子取代的烃 基，例如环氧丙氧烷基，和用氮原子取代的烃基，例如氨烷基和氰基 官能的基团，例如氰乙基和氰丙基。或者，每一^可以是烷基，例如 曱基。
在上式中，每一X独立地为单价可水解基团。合适的单价 可水解基团包括酰氧基，链烯基氧基、烷氧基、烷氧基烷氧基、羟基、 酮基或其组合。合适的酰氧基例举乙酰氧基、辛酰氧基和 酰氧基。 合适的链烯基氧基例举异丙烯基氧基和1-乙基_2-甲基乙烯基氧基、异丙烯基氧基和l-乙基-2-曱基乙烯基氧基。合适的烷氧基例举甲氧 基、乙氧基、丙氧基和丁氧基，或者甲氧基。合适的烷氧基烷氧基例 举甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基和甲氧基丙氧基。
在上式中，每一 J独立地为单价环氧官能团。合适的环氧 官能团的实例包括3，4-环氧基环己基；环氧基乙基；环氧基甲基；环 氧丙氧基；环氧丙氧烷基，例如环氧丙氧甲基、2-环氧丙氧乙基、3-环氧丙氧丙基和4-环氧丙氧丁基；环氧基环己基烷基，例如4-甲基 -3，4-环氧基环己基、2-(3，4-环氧基环己基)乙基、3-(3，4-环氧基环 己基)丙基、3，4-环氧基-4-甲基环己基、2，3-环氧基环戊基和(2，3-环氧基环戊基)甲基；和环氧乙基烷基，例如4-环氧乙基丁基和8-环 氧乙基辛基。或者，每一J可以是脂环族环氧官能团。脂环族环氧官 能团的实例包括其中每一下标v的数值范围独立地为1-5。
该聚合物每一分子包括平均大于一个式(I)的基团一Z—EI(I) A在该聚合物中，式(I)的基团彼此隔开，以便当含该聚合物的组合 物借助辐射固化、缩合固化或其组合固化时形成聚合的网络。在不希 望束缚于理论的情况下，认为由于存在式(I)的基团，因此固化的产物 具有类似的 一般结构和强度，而与使用哪种固化机理来固化组合物无 关。在不希望束缚于理论的情况下，认为l)A和E基彼此紧密邻近和 2)式(I)的基团之间的距离这二者的结合提供这一优势。或者，式(I) 的基团可与该聚合物内式(I)的所有其他基团隔开平均至少30个单ii元，或者彼此隔开50-1000个单元。
在此处所述的聚合物中，基本上所有的X基和J基在式(I) 内。"基本上所有的X基和J基在式(I)内，，是指(i)基团X和基团J 无一键合到不是该聚合物内式(I)部分中的基团上或者(ii)键合到不 是该聚合物内式(I)部分中的基团上的基团X和/或基团J的量不影响 一般结构和强度且与使用哪种固化机理(辐射或缩合)来固化含该聚 合物的组合物无关。
Z选自一个硅原子和间隔基，其中E、 A和R可以键合到间 隔基内的相同原子或不同原子上，R选自R1、 R2、 A、 E或共价键。或 者，R可以是A或E。
基团A在一个末端包括通式^一^一K一的单元且可进一步 包括l-10个额外的单元。该额外的单元可包括R、SiO2/2、R2SiO3/2、SiOv2、R23Si01/2、 R"及其组合。或者，A基在一个末端可包括通式xr~Si_Rl~的予、，单元和在另一末端可包括通式R"的单元，其中单元x'—S—R—和单元 R1'被该额外单元隔开。或者，A基可具有式(II)—R'—Si+0—Si-)^R1~~Si-、R2 ，其中下标x的数值为大于或等于1，或者1-10。或者，下标x的数值范围可以是l-5。 在这些通式中，R1、 R2、 X和下标t如上所述。
基团e在一个末端包括通式Jr"Si一R一的单元，且可进一步包括1-10个额外的单元。该额外的单元可包括R、SiOw、 R2Si03/2、个、，Si04/2、R、SiO^、R"及其组合。基团E在一个末端可包括通式^~si_R—的单元，和在另一末端可包括通式R"的单元，其中单元、"R 和 单元R"被该额外的单元隔开。一R^Si—0")ySi—Js或者，基团E可具有式(III) R2 ，其中下标y的 数值为大于或等于l,或者为1-10。或者，下标y的数值范围可以是 1-5。在这些通式中，R1、 R2、 J和下标s如上所述。
基团R可选自A和E。当Z是一个硅原子和R是A或E时，基团(I)是通式 A 的单价基团。
或者，Z可以是间隔基。合适的间隔基的实例包括具有3-25 个硅原子的聚有机基硅氧烷基。基团E和A可键合到间隔基内的相同 硅原子或不同硅原子上。当Z是间隔基时，式(I)的合适的基团可包括 两个或更多个单元R22Si02/2、 R2Si03"、 Si04/2、 R"、 R23Si01/2、 (R22)ESi01/2、 (R22)ASi01/2、 (R2) (E) (A)Si01/2、 (R2)ESi02/2、 (A)ESi(W (R2)ASi02"、 ESi0w和ASi0m,条件是间隔基具有含基团A的至少一个单元和含基 团E的至少一个单元，其中基团A和基团E可键合到间隔基内的相同 硅原子或不同硅原子上。在这些通式中，R"、 R2、 E和A如上所述。
此处所述的聚合物的实例具有式(IV):<formula>formula see original document page 13</formula>(IV)其中R1、 R2、 A、 E和R如上所述，和下标h的数值范周为50-1000， 或者150-1000。在式(IV)中，每一R可选自A和E。在式(IV)中，每 一W可以是亚烷基，例如亚乙基。在式(IV)中，每一W可以是烷基， 例如甲基。本领域的技术人员会意识到，除了式(IV)的聚合物以外， 也可使用式(IV)的衍生物，或者使用式(IV)的衍生物替代式(IV)的聚合物。在式(IV)的衍生物的实例中，通式R、Si02"的h单元可被包括 (R22Si02/2)b,、 (R2Si03/2)c,、 (Si(Wd,、 (R ,、(R、SiOw、及其组合的单 元替代，其中(b'+c'+d'+f')的数量范围可以是50-1000,和g'的数值为 大于或等于0。
此处所述的聚合物的可供替代实例具有式(V):其中R1、 R2、 A、 E、 R和下标h如上所述，和每一下标i的数值范 围为1-10。在式(V)中，每-R可选自A和E。在式(V)中，每一 R1 可以是亚垸基，例如亚乙基。在式(V)中，每一 R'可以是烷基，例如 甲基。本领域的技术人员会意识到，除了式(V)的聚合物以外，也可使 用式(V)的衍生物，或者使用式(V)的衍生物替代式(V)的聚合物。在式 (V)的衍生物的实例中,通式R、SiO^的h单元可被包括(R22SiO^)b〃、 (R2Si03/2)c〃、 (Si04/2)d,,、 (R")f〃、 (R23Si0^h〃及其组合的单元替代，其 中(b〃+c〃+d〃+f〃)的数量范围是50-1000，和g〃的数值为大于或等于0。 在式(V)的衍生物的可供替代实例中，通式R、SiOw的i单元可被包括 (R22Si02/2)b,〃、 (R2Si03/2)c'〃、 (Si04/2)d,〃、 (R")r〃、 (R23Si01/2) g〃,及其组合 的单元替代，其中(b〃'+c〃'+d'〃+f'〃)的数量-l-25，和g〃'的数值为大 于或等于0。在式(V)的可供替代衍生物中，可如上所述替代通式 R、Si02/2的11单元和通式11223102/2的i单元。
此处所述的聚合物的可供替代实例具有式(VI):R2 A、/R2々一R、(VI) ， 其中R、 R1、 R2、 A和E与下标h如上所述，在式(VI)中，每一R 可选自A和E。在式(VI)中，每一W可以是亚烷基，例如亚乙基。在<formula>formula see original document page 14</formula>式(VI)中，每一W可以是烷基，例如曱基。在式(VI)中，下标u的数 值范围可以是0-22，或者0-5。本领域的技术人员会意识到，除了式 (VI)的聚合物以外，也可使用式(VI)的衍生物，或者使用式(VI)的矛汙 生物替代式(VI)的聚合物。在式(VI)的衍生物的实例中，当u大于0 时，A基和E基键合到其上的硅原子不需要在环内相邻。在式(VI)的 替代衍生物中，A和E基可键合到环内的相同硅原子上，和环内其余 与硅键合的基团是R2。在式(VI)的衍生物的实例中，通式R22SiO^的h 单元可^皮包括(R22Si02/2)b,,,, 、 (R2Si03/2)c'〃'、 (Si04/2)d〃〃 、 (R1,)，，、 (R、SiO!/2)g,〃,及其组合的单元替代，其中(b'"'+c'〃'+d""+f〃〃)的数量范 围是50-1000,和g〃〃的数值为大于或等于0。
此处所述的聚合物的实例包括下述结构。在这些结构中，h 如上所述，Me表示甲基，Et表示亚乙基，和Epchex表示环氧基环己 基乙基。<formula>formula see original document page 15</formula>MeO'Si-Et一SK)一Si-Et I I IOMe Me MeMe MeOMeEt-Si—O-Si—Et，'OMe Me Me OMeMe，i-Me Epchex■ Me ，，， McOli-E卜fi.O-干i.Et，i'O-OMc Me Me MeMe Me/ Me\ Me l^le II /I 、I I 」MeMe\ Me人Me MeMe ， ， Me O，'Et，i-O-ni僚e Mc Me Me OMeci-0MeMe Me I I I O"i-Et- i-O-,i-Me平pchex ， Me—,i-0—宁i-Et-Kle Me_|2MeSi-E卜宁i-Meh|lC ， h|lc MeMe Epche)32MeMe ，， Me Me Me OMeMc ， ， -O—宁i —Et-于i一01i-Me KleMe 6pche> 2Me ， ， Me Me Me Mc OMeOMe Me I I McO卞-Et卞OMeSi一O-Si-Et，Me—宁i-O—宁i一Et-宁i'O Epchex Mc KleM2 e呻MI 1c E cM .广M-齡，以c 卜 cM-，Mo .2MISIEMooM1TMMMoK 一 *e旧eM-，MMI1Mo01M曰MICPIMhM+MMi IMo16其中h〃的数值范围为25-250。 聚合物的制备方法
可通过结合包括下述的成分，制备以上所述的聚合物 (A)每一分子平均具有一个与硅鍵合的氢原子和I—3个可水解端<formula>formula see original document page 17</formula>基的聚有机基氢硅氧烷，其中与硅键合的氢原子和可水解基团键合到该聚有机基氢硅氧烷内的不同硅原子上；(B) 每一分子平均具有一个与硅键合的氢原子和1-3个可辐射固 化的端基的聚有机基氢硅氧烷，其中与硅键合的氢原子和可辐射固化 的基团键合到该聚有机基氢硅氧烷内的不同硅原子上；和(C) 每一分子平均具有至少4个脂族不饱和有机端基的有机官能 的聚合物；和(D) 氢化硅烷化催化剂。制备聚合物所使用的成分和所得聚合物本身可以是不具有含胺、 酰胺、丙烯酸酯和肟的基团。在不希望束绰于理论的情况下，认为这 些含胺、酰胺、丙烯酸酯和肟的基团可使得聚合物难以通过这一方法 制备，在该方法过程中丙烯酸酯基可易于聚合，或者这二者。"不具 有含胺、酰胺、丙烯酸酯和肟的基团"是指各成分不具有或者具有足 够低含量的含有胺、酰胺、丙烯酸酯和肟官能团的有机基团，以便通 过此处所述的方法形成所述聚合物。成分(A)具有可水解端基的聚有机基氢硅氧烷
成分(A)在一个末端包括通式xr"Si-RL~的单元和在另一末端包括与硅键合的氢原子。单元X'—S卜K^"和氢原子可相隔1-10 ，个额外的单元。隔开^一Si""R^和氢原子的额外单元可包括R、Si02/2、 R2Si03/2、 Si04/2、 R23Si01/2、 R"或其组合。或者，成分(A)可具有式(VII):所述。所添加的成分(A)的量可以是0. 05mol-0. 5mol/mol在成分(C) 内的基团R3。成分(A)及其制备方法是本领域已知的。例如，Klosowski 等人的美国专利4772675公开了成分(A)的实例及其制备方法。(然而，其中R1、 R"、 R2、 X和下标t与x如上美国专利4772675没有公开此处所述的聚合物)。简而言之，该方法包 括使具有3个可水解基团的链烯基官能的硅烷和用与硅键合的氢原子 封端的聚有机基硅氧烷反应。结合大于2mo1聚有机基硅氧烷与lmol 硅烷和氢化硅烷化催化剂，例如以下所述的那些。然后可^f壬选地蒸馏 所得产品。成分(B)具有可辐射固化基团的聚有机基氢硅氧烷干、，
成分(B)在一个末端包括通式^一Si-R^的单元和在另一干、，末端包括与硅键合的氢原子，其中单元^"Si一K^和氢原子可相隔1-10个额外的单元。隔开单元、一n一和氢原子的额外单元可包括R22Si02/2、 R2Si03/2、 Si04/2、 R23Si01/2、 R"或其組合。或者，成分(B)可具 有式(VIII):其中R2、 J和下标s与y如上所述。所添加的成分(B)的量可以是 0. 5mol-0. 95mol/mol在成分(C)内的W基。加入到组合物中的成分(B) 与成分(A)的相对摩尔量范围可以是(80): (20)到(50): (50)。成分(B) 及其制备方法是本领域已知的。例如，Crivello的美国专利5484950 公开了成分(B)及其制备方法。(然而，美国专利5484950没有公开此 处所述的聚合物)。简而言之，美国专利5484950的方法包括在溶剂内 结合二氢硅氧烷、具有可辐射固化的基团例如环氧官能团的烯烃、和 氬化硅烷化催化剂并加热。之后，使催化剂失活并蒸馏所得混合物。成分(C)具有多个脂族不饱和基团的有机官能的聚合物
成分(C)可以是有机聚合物，聚有机基硅氧烷，或硅氧烷-有机共聚物。或者，成分(C)可以是聚有机基硅氧烷。
成分(C)可具有式(IX):及其衍生物，其中R1、 R2、 R3、下标h和下标u如上所述。本领域 的技术人员会意识，到可使用式(XII)的衍生物，例如当u大于0时，
20
平3平2 Z 、 R'
R3—宁卜R11--0-干i十0-，R'-Si-R3
(IX) 及其衍生物，其中R1、 R2
和下标h如上所述，和每一 W独立地为具有脂族不饱和端基的有机基 团。W例举丙烯酸酯官能团；甲基丙烯酸酯官能团；链烯基，例如乙 烯基、烯丙基、丙烯基和丁烯基；炔基，例如乙炔基、丙炔基和丁炔 基；和芳基链烯基，例如苯乙烯基。或者，每一RS可以是链烯基，例 如乙烯基。可通过本领域已知的方法，在氢化硅烷化催化剂存在下， 通过使直链聚有机基氢硅氧烷与四乙烯基硅烷反应，制备式(IX)的化 合物。或者，成分(C)可具有式(X):
及其衍生物，其中R1、 R2、 R3、下标h和下标i如上所述。
可在氩化硅烷化催化剂存在下，使二氢硅氧烷(每一末端具 有一个氢原子的聚二有机基硅氧烷)与式(XI)的树脂反应，制备式00 :
Si [ ( 0-
Si-A2
J4
(XI) " ,其中R1、 R2、 113和下标i如上所述,或者，成分(C)可具有式(XII): 卿
—' R3
3 R
R
R、？ R2々—R"i
3〉v ,o
O一SiR.
R
R\ ,o—s(
Si-OR3基键合到其上的硅原子不需要在环内相邻。在式(XII)的可供替代衍 生物中，两个RS基键合到环内的相同硅原子上，和在环内的其余与硅 键合的基团是R2。可通过本领域已知的方法，例如在氢化硅烷化催化 剂存在下，使聚有机基氢硅氧烷与甲基乙烯基环硅氧烷反应，制备式 (XII)。
成分(D)氢化硅烷化催化剂成分(D)是氢化硅烷化催化剂。基于成分(A)、 (B)和(C)的 结合重量，成分(D)的添加量范围为0. l-1000ppm铂族金属，或者 l-500ppm，或者2-200，或者5-150ppm。合适的氩化硅烷化催化剂是本领域已知的且可商购。成分 (D)可包括选自铂、铑、钌、钯、锇或铱金属中的铂族金属或其有机金 属化合物，或它们的组合。成分(D)例举诸如氯铂酸、六水合氯铂酸、 二氯化铂，和所述化合物与低分子量有机基聚硅氧烷的络合物或者在 基体或核壳型结构体内微胶囊化的铂化合物之类的化合物。铂与低分 子量有机基聚硅氧烷的络合物包括1， 3-二乙烯基-1， 1， 3， 3-四甲基二 硅氧烷与铂的络合物。或者，催化剂可包括1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷与铂的络合物。当催化剂是铂与低分子量有机基聚硅 氧烷的络合物时，基于可固化的硅氧烷组合物的重量，催化剂的用量 范围可以是O. 04%-0. 4%。在例如美国专利3159601、 3220972、 3296291、 3419593、 3516946、 3814730、 3989668、 4784879、 5036117和5175325与 EP034 7 895B中公开了成分(D)的合适的氢化硅烷化催化剂。
聚合物的用途以上所述的聚合物可配制成组合物。该组合物包含
(a) 以上所述的聚合物，和
(b) 光引发剂。光引发剂可以是本领域已知的可辐射固化的硅氧烷组合物 用的任何常规的光引发剂，例如在Crivello的美国专利"i0469和 Koshar等人的4313988和欧洲专利申请No. EP0562922中公开的那些。
21光引发剂可包括阳离子光引发剂。阳离子光引发剂可以是当暴露于波
长范围为150-800nm的辐射线下时能引发聚合物固化(交联)的任何阳 离子光引发剂。阳离子光引发剂的实例包括但不限于镇盐。合适的错盐包括通式选自R、H、 R43S+MG" R43Se+MG/、 R、P+MGw—和nMG/中的盐，其中每一 W独立地为具有1-30个碳原子的 取代或未取代的单价烃基；M为选自过渡金属、稀土金属、镧系金属、 准金属、磷和硫中的元素；G是卤素(例如，氯、溴、碘)，和w的数 值使得结果w(G上的电荷+M的氧化数)--1。烃基上的取代基的实例包 括但不限于C广Cs烷氧基、C广Ch坑基、硝基、氯、溴、氰基、羧基、 巯基和杂环芳族基团，例如吡啶基、瘘吩基和吡喃基。用M表示的金 属的实例包括但不限于过渡金属，例如Fe、 Ti、 Zr、 Sc、 V、 Cr和Mn; 镧系金属，例如Pr和Nd;其他金属，例如Cs、 Sb、 Sn、 Bi、 Al、 Ga 和In;准金属，例如B和As;和P。式MG/表示非碱、非亲核阴离子。 具有式MGw—的阴离子的实例包括但不限于BF,、PF,、 AsF6—、SbF"SbC1「 和SnCl6—。铕盐的实例包括但不限于双-二芳基碘错盐，例如双(十二 烷基苯基)碘错盐，其中例举六氟砷酸双(十二烷基苯基)碘絲、盐和六氟 锑酸双(十二烷基苯基)碘锵盐；烷基苯基碘银盐，例如六氟锑酸烷基 苯基碘错盐；磺酸的二芳基碘错盐、磺酸的三芳基锍盐、硼酸的二芳 基碘锵盐和硼酸的三芳基锍盐。磺酸的二芳基碘铕盐的实例包括但不限于全氟烷磺酸的二 芳基碘银盐，例如全氟丁磺酸的二芳基碘错盐、全氟乙磺酸的二芳基 碘铕盐、全氟辛磺酸的二芳基碘铕盐和三氟曱磺酸的二芳基碘镄盐； 和芳基磺酸的二芳基碘镇盐，例如对曱苯磺酸的二芳基捵铕盐、十二 烷基苯磺酸的二芳基碘错盐、苯磺酸的二芳基碘银盐和3-硝基苯磺酸 的二芳基碘银盐。磺酸的三芳基锍盐的实例包括但不限于全氟烷磺酸的三芳 基锍盐，例如全氟丁磺酸的三芳基锍盐、全氟乙磺酸的三芳基锍盐、
全氟辛磺酸的三芳基锍盐和三氟甲磺酸的三芳基锍盐；和芳基磺酸的
22三芳基锍盐，例如对曱苯磺酸的三芳基锍盐、十二烷基苯磺酸的三芳
基锍盐、苯磺酸的三芳基锍盐和3-硝基苯磺酸的三芳基锍盐。硼酸的二芳基碘锵盐的实例包括但不限于全囟芳基硼酸的 二芳基碘错盐。硼酸的三芳基锍盐的实例包括但不限于全卣芳基硼酸 的三芳基銃盐。阳离子光引发剂可以是单一的阳离子光引发剂或含两种或 更多种不同阳离子光引发剂的组合，其中各自如上所述。基于組合物 的重量，阳离子光引发剂的浓度范围可以是0. 01%-15%，或者0.1 %-5% ，或者0. 1%-2% 。
额外的成分组合物可任选地进一步包含一种或多种额外的成分。额外 的成分的实例包括(c)填料、(d)填料处理剂、(e)溶剂，(f)缩合反应 催化剂，(g)粘合促进剂、(h)着色剂(例如，染料或颜料)，(i)反应性 稀释剂(即，与成分(a)上的官能团反应的溶剂，例如醇、环氧、乙烯 基醚、酸酐或氧杂环丁烷)，(j)自由基生成剂(例如，过氧化物)，(k) 货架期延长剂，(l)抗氧化剂，(m)交联剂，(n)腐蚀抑制剂，或其组合。成分(c)是可任选地加入到组合物中的填料，基于组合物的 重量，其用量范围为0. 1%_20%。合适的增强和增量填料的实例包括 热解法二氧化硅、沉淀二氧化硅、石英、碳酸钙粉、沉淀碳酸钙、碳 酸镁、氧化铁、二氧化钛、硅藻土、氧化铝、氢氧化铝、氧化锌、碳 酸锌。可任选地用例如下述成分(d)表面处理剂来处理填料有机 基烷氧基硅烷，其中例举曱基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、正 辛基三曱氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、及其组合；有机基卣代硅 烷，其中例举三曱基氯代硅烷；有机基硅氮烷，例如六甲基二硅氮烷； 有机基硅氧烷低聚物，例如羟基封端的二甲基硅氧烷低聚物、羟基封 端的甲基苯基硅氧烷低聚物、羟基封端的甲基乙烯基硅氧烷共聚物及 其组合。可在混合填料与组合物中的其他成分之前或之后，例如通过 混合处理剂与填料，事先或就地处理填料。基于组合物的重量，成分(d)的用量范围可以是0. 001%-2%。组合物可任选地进一步包含成分(e)溶剂。合适的溶剂例举 有机溶剂，例如甲苯、二曱苯、丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、己烷、 庚烷、及其组合；和不可交联的硅氧烷溶剂，例如三甲基甲硅烷氧基 封端的聚二甲基硅氧烷、三曱基甲硅烷氧基封端的聚曱基苯基硅氧烷、
及其组合。基于组合物的重量，成分(e)的用量范围可以是0. 001%-90 %。组合物可任选地进一步包含成分(f)缩合反应催化剂。缩合 反应催化剂可以是路易斯酸；伯、仲或叔有机胺；金属氧化物；钛化 合物；锡化合物；锆化合物；或其组合。成分(f)可包括在金属的电动 序中范围从铅到锰的金属(包括端值)的羧酸盐。或者，成分(f)可包括 螯合的钛化合物、钛酸酯例如四烷氧基钛酸酯、或其组合。合适的钛 化合物的实例包括但不限于双(乙基乙酰乙酸)二异丙氧基钛、四丁氧 基钛酸酯、钛酸四丁酯、钛酸四异丙酯和双(乙氧基乙酰丙酮酸)二异 丙氧基钛(IV)、及其组合。或者，成分(f)可包括锡化合物，例如二乙 酸二丁锡、二月桂酸二丁锡、氧化二丁锡、辛酸亚锡、氧化锡或其组 合。缩合反应催化剂的实例是本领域已知的且公开于美国专利 4962076、 5051455、 5053442、 4753977第4栏第35行-第5拦第57 行；和4143088第7栏第15行-第10栏第35行。成分(f)的用量取决 于各种因素，其中包括所选催化剂的类型和组合物中其余成分的选择， 然而，基于组合物的重量，成分(f)的用量范围可以是0. 001%-5%。成分(g)是粘合促进剂。合适的粘合促进剂的实例包括烷氧 基硅烷，例如环氧官能的烷氧基硅烷或巯基官能的化合物；烷氧基硅 烷与羟基官能的聚有机基硅氧烷的组合；巯基官能的化合物；不饱和 化合物；环氧官能的硅烷；环氧官能的硅氧烷；组合物，例如环氧官 能的硅烷或环氧官能的硅氧烷与羟基官能的聚有机基硅氧烷的反应产 物；或者其组合。加入到组合物中的粘合促进剂的用量取决于各种因 素，其中包括所选的具体粘合促进剂，组合物中的其他成分，和组合
24物的最终用途，然而，基于组合物的重量，用量范围可以是0. 1°/ -5%。
成分(g)可以是不饱和或环氧官能的化合物。合适的环氧官 能的化合物是本领域已知的且可商购，参见例如美国专利4087585、 5194649、 5248715和5744507第4-5栏。成分(g)可包括不饱和或环 氧官能的烷氧基硅烷。例如，该官能的烷氧基硅烷的通式可以是 R5jSi(OR6)(4—j)，其中下标j为l、 2或3，或者j为l。每一 115独立地为单价有机基团，条件是至少一个W是不饱 和有机基团或环氧官能的有机基团。R5的环氧官能的有机基团例举3-环氧丙氧丙基和(环氧基环己基)乙基。R5的不饱和有机基团例举3-甲 基丙烯酰氧基丙基、3-丙烯酰氧基丙基，和不饱和单价烃基，例如乙 烯基、烯丙基、己烯基、十一烯基。每一 W独立地为至少1个碳原子的未取代的饱和烃基。R6 可具有最多4个碳原子，或者最多2个碳原子。116例举甲基、乙基、 丙基和丁基。合适的环氧官能的烷氧基硅烷的实例包括3-环氧丙氧丙 基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧丙基三乙氧基硅烷、(环氧基环己基)乙 基二甲氧基硅烷、(环氧基环己基)乙基二乙氧基硅烷、及其组合。合 适的不饱和烷氧基硅烷的实例包括乙烯基三甲氧基硅烷、烯丙基三甲 氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、己烯基三甲氧基硅烷、十一烯基三 甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧 基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧 基丙基三乙氧基硅烷、及其组合。或者，合适的粘合促进剂的实例包 括环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷；和环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷与铝螯 合剂或锆螯合剂的组合。成分(g)可包括环氧官能的硅氧烷，例如羟基封端的聚有机 基硅氧烷与如上所述环氧官能的烷氧基硅烷的反应产物，或者羟基封 端的聚有机基硅氧烷与环氧官能的烷氧基硅烷的物理共混物。成分(g) 可包括环氧官能的烷氧基硅烷和环氧官能的硅氧烷的组合。例如，成 分(g)例举羟基封端的曱基乙烯基硅氧烷与3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷的反应产物和3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷的混合物，或者3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷与羟基封端的曱基乙烯基硅氧烷的混合 物，或者3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和羟基封端的甲基乙烯基/二 曱基硅氧烷共聚物的混合物。当以物理共混物而不是反应产物形式使 用时，这些组分可单独储存在多部分的套盒内。合适的巯基官能的化合物包括有机基硫醇、含巯基的硅烷、 或其组合。合适的含巯基的硅烷包括3-巯丙基三甲氧基硅烷。合适的 巯基官能的化合物公开于美国专利4962076中。成分(h)是着色剂(例如，染料或颜料)。合适的着色剂的实 例包括炭黑和Stan-Tone 50SP01 Green(商购于PolyOne)。着色剂的 实例是本领域已知的且公开于美国专利4962076、 5051455和5053442 中。加入到组合物中的着色剂的用量取决于各种因素，其中包括組合 物中的其他成分，然而基于组合物的重量，用量范围可以是0.001% -20%。成分(i)是自由基生成剂。合适的自由基生成剂的实例包括 过氧化物。加入到組合物中的自由基生成剂的用量取决于各种因素， 其中包括组合物中的其他成分，然而基于组合物的重量，用量范围可 以是0. 1%-10%。成分(j)是反应性稀释剂。成分(j)可以是与成分(a)上的官 能团反应的溶剂，例如丙烯酸酯、醇、酸酐例如马来酸酐、环氧化合 物例如单官能的环氧化合物、氧杂环丁烷、乙酸乙烯酯、乙烯酯、乙 烯醚、氟烷基乙烯基醚、乙烯基吡咯烷酮例如N-乙烯基吡咯烷酮、苯 乙烯、或其组合。合适的醇的实例包括乙醇、丁醇、己醇、癸醇、及其组合。 合适的环氧化合物的实例包括缩水甘油基醚，例如丁基缩水甘油基醚、 甲酚缩水甘油基醚、脂族缩水甘油基醚、2-乙基己基缩水甘油基醚， 和环己烷二甲醇的缩水甘油基醚；以及基于1，4-丁二醇的二缩水甘油 基醚和新戊二醇的双官能的反应性稀释剂。这些环氧化合物是本领域 已知的且以商品名EPODIL 741、 742、 746、 747、 748、 749、 750、 751、757和759商购于Air Products.适合于作为反应性稀释剂的其他环 氧化合物以商品名Heloxy Modifiers 7、 8、 61和116获自Hexion Specialty Chemicals, Inc. of Houston, Texas, USA。 合适的乙烯 基醚的实例包括但不限于丁二醇二乙烯基醚、环己烷二甲醇二乙烯基 醚、环己烷二曱醇单乙烯基醚、环己基乙烯基醚、二乙二醇二乙烯基 醚、二乙二醇单乙烯基醚、十二烷基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、羟基 丁基乙烯基醚、异丁基乙烯基醚、异丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、 正丙基乙烯基醚、十八烷基乙烯基醚、三乙二醇二乙烯基醚、及其组 合。乙烯基醚是本领域已知的且可商购于德国BASF AG。成分(j)的用 量取决于各种因素，例如所选的具体反应性稀释剂，但基于组合物的 重量，用量范围可以是0. 5-50%。成分(n)是腐蚀抑制剂。合适的腐蚀抑制剂的实例包括苯并 三唑、巯基苯并三唑和可商购的腐蚀抑制剂，例如获自美国R. T. Vanderbilt of Norwalk， Connecticut的2， 5-二巯基-1， 3， 4-塞二峻 衍生物(CUVAN 826)和烷基瘗二唑(CUVAN⑧484)。基于组合物的重量， 成分(n)的用量范围可以是0. 05%-0. 5%。可通过在环境温度下以所述比例结合该聚合物与光引发剂 和任何额外的成分，制备组合物。可通过本领域已知的任何技术混合， 例如研磨、共混和搅拌，在间歇或者连续工艺中进行结合。特定的装 置通过各成分的粘度和待生产的组合物的粘度来确定。可例如使用该组合物来制备在基底上的涂层。或者，该组 合物可用作密封剂，例如用于填充基底上的间隙。或者，该组合物可 用作粘合剂，例如将基底粘合在一起。可使用该组合物来粘合第一基 底例如电子器件到第二基底例如电路板上。使用以上所述的组合物的 方法包括
(i) 施加该组合物到基底上；和
(ii) 固化该组合物。基底可以是具有平面、复杂或不规则轮廓的任何硬质或柔 性材料。基底可透过或不透过电磁光谱内的可见范围(400-700nm)内的
27光。此外，基底可以是导电体、半导体或非导体。而且，基底可以是 电子器件，例如离散器件或集成电路。基底的实例包括但不限于半导体，例如硅，具有二氧化硅、 碳化硅、磷化铟和砷化镓的表面层的硅；石英；熔融石英；氧化铝； 陶瓷；玻璃；金属箔；聚烯烃，例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚 对苯二甲酸乙二酯(PET)和聚萘二甲酸乙二酯；氟烃聚合物，例如聚四 氟乙烯和聚氟乙烯；聚酰胺，例如尼龙；聚酰亚胺；聚酯，例如聚(曱 基丙烯酸甲酯)；环氧树脂；聚醚；聚碳酸酯；聚砜；和聚醚砜。离散器件的实例包括但不限于二极管，例如PIN 二极管、 参考电压二极管、变容二极管、雪崩二极管、DIAC、耿氏二极管、Snap 二极管、IMPATT 二极管、隧道二极管、齐纳二极管、标准(p-n)二极 管和Shottky 二极管；晶体管，例如双极性晶体管，其中包括绝缘栅 双极性晶体管(IGBT)和达林顿晶体管和场效应晶体管(FET),其中包括 金属氧化物半导体FET(MOSFET)、连接FET (JFET)、金属-半导体 FET(MESFET)、有机FET、高电子迁移率晶体管(HEMT)和薄膜晶体管 (TFT)，其中包括有机场效应晶体管；晶体闸流管，例如DIAC、 TRIAC 和硅控制的整流器(SCR)、分布式緩沖-可关断晶闸管(DB-GTO)、可关 断晶闸管(GTO)、 MOFSET控制的晶闸管(MCT)、改性阳极-可关断晶闸 管(MA-GTO)、静电感应晶闸管(SITh)和场控制晶闸管(FCTh);变阻器； 电阻器；聚光器；电容器；热敏电阻；和光电器件，例如光电二极管、 太阳能电池(例如CIGS太阳能电池和有才/L光生伏打电池)、光电晶体 管、光电倍增管、集成光学电路(IOC)元件、光依赖型电阻器、激光二 极管、发光二极管(LED)和有机发光二极管(OLED)，其中包括小分子 OLED(SM-OLED)和聚合物发光二极管(PLED)。集成电路的实例包括但不限于单片集成电路，例如存储 IC，其中包括RAM (随机存取存储器)，其中包括DRAM和SRAM，和ROM (只 读存储器)；逻辑电路；模拟集成电路；混合集成电路，其中包括薄膜 混合IC和厚膜混合IC;薄膜电池；和燃料电池。将该组合物施加到基底的至少一部分上。该组合物可以是在基底的一部分上的连续涂层，在整个基底上的连续涂层，或者不连 续涂层。而且，不连续涂层可在基底上形成规则或不规则的图案。可使用常规方法，其中包括旋涂、浸涂、喷涂、刷涂、和 印刷例如筛网印刷和模版印刷，将组合物施加到基底上。例如，可通 过在范围为200-5000rpm的速度下旋涂5-60秒，施加硅氧烷组合物。 可调节旋涂速度、旋涂时间和组合物的粘度，以便所生产的所得涂层
具有所需的厚度。可通过将组合物暴露于紫外辐射线下或者大气湿气下或这
二者下进行步骤(ii)。或者，可通过将组合物暴露于热或大气湿气下 或这二者下进行步骤(ii)。可通过任何常规的方式，例如使用光源，其中例举超高压 汞灯、高压汞灯、低压汞灯、氙气-汞灯或金属卣化物灯，进行将组合 物暴露于紫外辐射线下。所使用的条件可使得在254nm下的辐射量范 围为0. 01-10J/cm2。或者，可通过将组合物暴露于波长范围为 150-800nm，或者250-400nm的辐射线下，在足以固化(交联)聚合物的 剂量下固化组合物。辐射剂量范围可以是50-1000raJ/cm2，或者 200-500mJ/cm2。可任选地在光源上安装滤光器(在特定波长下的UV辐 射膝光用)。由于在以上所述的通式内J是环氧官能团，尤其当J是脂 环族环氧基时，聚合物以主要的UV固化机理而阳离子固化。在不希望 束縛于理论的情况下，认为由于阳离子环氧化物不受氧气抑制，因此 这可提供改进的工艺要求的优势，因为阳离子体系具有固有的二次固 化机理，在于在环境温度以及升高的温度下，阳离子固化在未被辐照 的部分内继续。在其中这一固有的环境二次固化太慢以致于使用现有 技术的组合物在商业上不实用的一些应用中，此处所述的聚合物可提 供精细微调的UV与湿气固化速度(彼此独立地)以及物理性能。
实施例对于本领域的普通技术人员来说，包括这些实施例阐述本 发明。然而，本领域的技术人员应当理解，鉴于本发明的公开内容，可在没有脱离权利要求书中列出的本发明的精神与范围的情况下，在所公开的具体实施方案中做出许多变化，且仍然获得相同或类似的结果。所有用量、比值和百分数以重量计，除非另有说明。实施例1-制备聚合物通过混合下述成分制备聚合物。在这些通式中，Me、 Et和
Epchex如上所定义，和Vi表示乙烯基。
<formula>formula see original document page 30</formula>成分(Bl)是Me Me
成分(D1)是铂催化剂。在这一实施例中，使用4mol成分(Al)和2mol成分(Bl)/mo1成分(C1)。使用催化量(ppm级)成分(Dl)。实施例2-制备聚合物通过混合下述成分制备聚合物。在这些通式中，Me、 Et和EpH如上所定义，和Vi表示乙烯基。
<formula>formula see original document page 30</formula><formula>formula see original document page 31</formula>
成分(B1)是 Me
<formula>formula see original document page 31</formula>
成分(C2)是 Vi Me
成分(D1)是铂催化剂。在这一实施例中，使用4mol成分(Al)和2mol成分(Bl)/mo1成分(C2)。使用催化量(ppm级)成分(Dl)。实施例3-制备聚合物通过混合4mo1成分(A1)、 2mol成分(Bl)、催化量(ppm)成分(D1)(各自如以上实施例1所述)和lraol具有下式的成分(C3)，制备聚合物
\ Me 人
其中每一 i的数值平均为1和h的数值为200。与以前公开的双重固化体系相比，以上所述的双重固化的硅氧烷组合物提供数个优点。当组合物借助辐射固化、缩合固化或其组合固化时，形成聚合的网络。在不希望束缚于理论的情况下，认为由于存在式(I)的基团，因此固化的产物具有类似的一般结构和强度，而与使用哪种固化机理来固化组合物无关。这区别于以前公开的双重固化体系，后者具有比此处公开的組合物少的可固化官能团且通常在直链聚合物的末端具有不同的官能团(即在一个末端具有单一的可辐射固化的基团和在另一末端具有一个或多个可湿气固化的基团的聚合物)。在其中通过阳离子机理的固有环境二次固化(当J是环氧官能团时)太慢的应用中，聚合物可允许精细微调UV和湿气固化速度以及物理性能。
在制备以上所述的聚合物的方法中，可容易地将成分(A)和(B)加入到成分(C)中，得到聚合物，所述聚合物借助UV和湿气路线快速固化，且与简单的直链封端的类似物例如在以上的段落
中所示的那些相比，具有改进的粘合与物理性能。与在段落
中所述的那些相比，在二次固化中，这些聚合物还显示出显著的固化速度优势，这是因为存在最少3个可水解基团，例如在聚合物末端上的甲氧基。在末端具有多个官能团提供湿气固化的优化，以及辐射固化，且没有改变DP。 DP可影响机械性能以及粘度，可使之最小化，以允许在含该聚合物的组合物内容易分散和可加入较高含量的填料。
权利要求
1.一种聚合物，其中每一分子平均包括两个或更多个式(I)的基团其中Z选自一个硅原子和间隔基，其中E、A和R可键合到间隔基内的同一原子或不同原子上；其中A基在末端包括通式 id="icf0002" file="A2007800472590002C2.tif" wi="23" he="13" top= "78" left = "78" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>的单元；E基在末端包括通式 id="icf0003" file="A2007800472590002C3.tif" wi="23" he="13" top= "95" left = "80" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>的单元；每一R独立地选自R1、R2、E、A和共价键；和其中两个或更多个式(I)的基团在聚合物内彼此隔开；和每一R1独立地为氧原子或二价烃基；每一R2独立地为不含脂族不饱和端基的单价有机基团；每一X独立地为单价可水解基团；每一J独立地为单价环氧官能的有机基团；每一下标s独立地为数值1、2或3；和每一下标t独立地为数值1、2或3；条件是基本上所有的基团X和基团J在式(I)内。
2.权利要求l的聚合物，其中基团A具有式(II):f &2 A..其中下标x的数值为大于或等于1。
3.权利要求l的聚合物，其中基团E具有式(III):E基在末端包括通式的单元;其中下标y的数值为大于或等于l。
4.权利要求l的聚合物，其中聚合物具有式(iv)<formula>formula see original document page 0</formula>或其衍生物，其中每一 R独立地选自E和A，和下标h的数值范围为 50-1000。
5.权利要求l的聚合物，其中聚合物具有式(V):或其衍生物，其中每一R独立地选自E和A，下标h的数值范围为50-1000，和每一下标i的数值范围为1-10。
6.权利要求l的聚合物，其中聚合物具有式(VI)<formula>formula see original document page 0</formula>(VI)或其衍生物，其中下标h的数值范围为50-1000， 每一下标u的数值范围独立地为0-22。
7.制备权利要求1的聚合物的方法，该方法包括结合包括下述的 成分(A) 每一分子平均具有一个与硅键合的氢原子和1-3个可水解端基的聚有机基氢硅氧烷；(B) 每一分子平均具有一个与硅键合的氢原子和1-3个环氧官能的 <formula>formula see original document page 0</formula>有机端基的聚有机基氢硅氧烷；和(C) 每一分子平均具有至少4个脂族不饱和有机基团的聚合物；和(D) 氢化硅烷化催化剂。
8. 权利要求7的方法，其中成分(A)在一个末端包括通式X'—Si—RL"&、的单元，在另一末端包括与硅键合的氢原子，其中单元X'—Si—K^和氢 原子隔开1-10个额外的单元，该额外的单元选自R22Si02/2、 R2Si03/2、 Si04/2、 R23Si01/2、 R"及其组合;其中每一 W独立地为氧原子或二价烃基；每一 R"独立地为二价烃基；每一 R2独立地为不含脂族不饱和端基的单价有机基团； 每一 X独立地为单价可水解基团； 下标t的数值1、 2或3。
9. 权利要求7的方法，其中成分(A)具有通式(VII):<formula>formula see original document page 4</formula>(VII) ,其中下标x的数值为大于或等于1。
10.权利要求7的方法，其中成分(B)在一个末端包括通式 Js—Si-R^的单元，在另一末端包括与硅键合的氢原子，其中单元 干、J:一Si-Ri""和氬原子隔开卜"个额外的单元，该额外的单元选自R22Si02/2、 R2SiOV2、 Si04/2、 R23Si01/2、 R"及其组合;其中 每一 R"独立地为二价烃基；每一 W独立地为不含脂族不饱和端基的单价有机基团；J是单价环氧官能的有机基团，和 下标s的数值为1、 2或3。
11.权利要求7的方法，其中成分(B)具有式(VIII):<formula>formula see original document page 5</formula>其中下标y的数值为大于或等于1。
12.权利要求7的方法，其中成分(C)具有式(IX)<formula>formula see original document page 5</formula>(K) - -- 或其衍生物，其中下标h的数值范围为50-1000, 每一 W独立地为氧原子或二价烃基； 每一 112独立地为不含脂族不饱和端基的单价有机基团； 每一 113独立地为具有脂族不饱和端基的有机基团。
13.权利要求7-ll任何一项的方法，其中成分(C)具有式(X)<formula>formula see original document page 0</formula> 或其衍生物，其中下标i的数值范围为1-10，下标h的数值范围为50-1000,每一 W独立地为氧原子或二价烃基；每一 R2独立地为不含脂族不饱和端基的单价有机基团；每一 W独立地为具有脂族不饱和端基的有机基团。
14.权利要求7-ll任何一项的方法，其中成分(C)具有式(XII)<formula>formula see original document page 6</formula>其中下标h的数值范围为50-1000，每一下标u的数值范围为0-22，每一 R'独立地为氧原子或二价烃基；每一 112独立地为不含脂族不饱和端基的单价有机基团；每一 R3独立地为具有脂族不饱和端基的有机基团。
15. —种组合物，它包含(a) 权利要求l-6任何一项的聚合物，和(b) 光引发剂。
16. —种方法，它包括(i) 施加权利要求15的组合物到基底上，(ii) 将该组合物暴露于紫外辐射线或大气湿气或这二者下。
17. —种方法，它包括(i) 施加权利要求15的组合物到基底上，(ii) 将该组合物暴露于热或大气湿气或这二者下。
18. 权利要求16或17的方法，其中基底选自电子器件和电路板。
19. 权利要求15的組合物作为粘合剂、密封剂或涂层的用途。
20. 权利要求15的组合物，进一步包含选自下述中的一种或多种额 外的成分(c)填料、(d)填料处理剂、(e)溶剂，(f)缩合反应催化剂， (g)粘合促进剂、(h)着色剂,(i)反应性稀释剂，(j)自由基生成剂,00 货架期延长剂，(l)抗氧化剂，(m)交联剂，(n)腐蚀抑制剂，及其组合。
全文摘要
通过或者辐射或者湿气固化机理或这二者固化聚合物。通过氢化硅烷化反应制备该聚合物。该聚合物包括下式的单元(R²₂SiO_2/2)_b、(R²SiO_3/2)_c、(SiO_4/2)_d、(R^1′)_f和(R²₃SiO_1/2)_g，其中每一R¹独立地为氧原子或二价烃基；每一R^1′独立地为二价烃基；每一R²独立地为不含脂族不饱和端基的单价有机基团；每一X独立地为单价可水解基团；每一J独立地为单价环氧官能的有机基团；下标a的数值为大于或等于1；下标b的数值为大于或等于0；下标c的数值为大于或等于0；下标d的数值为大于或等于0；下标e的数值为大于或等于1；下标f的数值为大于或等于0；下标g的数值为大于或等于0；下标s为1、2或3；和下标t为1、2或3。
文档编号C09D183/14GK101578324SQ200780047259
公开日2009年11月11日 申请日期2007年11月7日 优先权日2006年12月21日
发明者J·汤奇, K·E·阿尔瓦雷斯, N·E·谢泼德 申请人:陶氏康宁公司