专利名称：碳化硅基抗反射涂层的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有有益光学特点的碳化硅基抗反射涂层及其制备方法，以及包含此涂层的太阳能电池。
背景技术：
太阳能电池的效率(即入射的有用光的电功率输出/输入)与进入太阳能电池的有用光的数量直接相关。给定的太阳能电池的有用光可以定义为当被太阳能电池吸收时， 会导致载流子产生的波长处的电磁能。因此，太阳能电池的效率部分取决于透过电池的入射光的数量，而透射可通过反射以及照射在太阳能电池外表面的光的吸收来限制。为了降低反射，一种抗反射涂层(ARC)被设置在太阳能电池的表面，光通过该抗反射涂层进入电池。一种合适的功能性抗反射涂层减少了有用光反射的同时并不吸收光。太阳能电池的抗反射涂层所要求的光学属性(折射率和消光系数)，除了取决于太阳能电池的抗反射涂层的光吸收率外，还取决于下层衬底的折射率，被封装表面的折射率(如果适用)，以及太阳能电池的波长响应率。为了降低抗反射涂层中有用光的吸收，需要一种具有低有用光吸收率的材料。由于A = 4 Jlk/λ，因此一个低的消光系数(k)等同于一个低的吸收率(A)(例如少于0.01的 k相当于少于的吸收率)。氮化硅膜抗反射涂层膜主要利用氮化硅膜(a _SiN:H)来制备。然而，已发现这样的薄膜在大于2. 1的高折射率时显示出对入射光的高吸收。尽管在折射率为2. 1左右，波长范围为300 1200nm的情况下，已在降低光吸收率方面取得了一些成功，但在折射率大于2. 1 的情况下却没有取得这样的成功。例如，美国专利5，418，019公开了一种SiN膜，其具有 2 3. 5的增加的折射率，但是其没有避免由于富含硅的SiN涂层所引起的较高的吸收率损失。正如Soppe等人(光伏学进展研究与应用(Prog. Photovolt :Res. Appl. )，2005 ；13 551-569)所确认的，当尝试在由硅和氨制得的SiN膜中同时获得高的η值和低的k值时，就要在消光系数或折射率方面做出折衷。当硅的含量增加时(需要这种增加来获得更高的折射率薄膜)，这种折衷被认定是由于薄膜内的Si-Si配位作用，即这些SiN膜所固有的原子水平特征所导致的。Alberle 等人(光伏学进展研究与应用 5 (Progress in Photovoltaic Researchand Applications 5)，四_50页(1997))也指出，在直接暴露于UV光下100小时后，这相当于被封装的太阳能电池暴露两年，以太阳能电池钝化为目的的由不同技术所沉积的SiN膜能失去大约50%到几乎100%的有效寿命。在工业上多晶(mc)硅太阳能电池的生产过程中，a-SiN:H膜应用的另一个问题是在焙烧之后ARC膜的收缩，一种可以改变SiN膜的厚度、组成、应力以及光学属性的因素， 使得对于ARC性能的控制变得困难。例如，Hong等人(光伏学进展研究与应用(11) (Prog. Photovolt :Res. Appl. (11)),125-130(2003))和 Jeong 等人(应用物理杂志(J. Appl.Phys. ),87(10),7551(2000))报道了除了由于焙烧过程引起的折射率的不稳定性外，还有 7nm(大约10%的膜厚度)的厚度变化。SiN膜的制备也带来安全性的挑战，因为其需要使用容易自燃的硅烷(SiH4)。在一些实施例中，这种工艺也把氧和硅烷一起使用。然而，氧的出现增加了爆炸的危险性。H2 的使用也对安全性提出挑战。尽管Lee在美国专利6，060，132中公开了一种使用0. ImTorr 到大约20mTorr的超高真空的化学气相沉积方法来降低由于将氧和硅烷混合所带来的爆炸风险，但这样的过程需要额外的费用。碳化硅膜在为ARC的应用寻找新的材料中，碳化硅(SiC)膜被认为具有潜能。SiC良好的机械性能，例如其硬度和抗磨性，对于保护性涂层和抗磨擦涂层来说是有吸引力的。进一步地说，有利的事实是这些涂层本身就含有多晶硅太阳能电池体钝化所需要的氢原子。然而，由于膜中入射光的高吸收(高消光系数)，传统的硅烷基碳化硅膜并没有展示出获得高效太阳能电池所必需的透射属性。结果是，这样的吸收产生了严重的限制，例如 (a)光不能到达太阳能电池，(b) ARC层中热的产生降低了抗反射涂层以及太阳能电池的质量，并因此降低了太阳能电池的效率，(c)电池的电性能的不稳定性，以及⑷潜在的太阳能电池寿命的降低。当设计太阳能电池使用在恶劣环境中，例如用于卫星的太阳能电池，这些问题会变得尤其尖锐。事实上，碳化硅对光的高吸收率以及高消光系数使其成为在镶嵌互联结构中用作顶层/底层抗反射涂层(BARC)的一个很有吸引力的候选者。这样一个高消光系数在BARC 应用中是十分理想的，例如栅形成，其中尺寸的控制是重要的。Subramanian等人(美国专利6，465，889和美国专利6，656，830)启示将具有消光系数(k)为0. 1 0. 6左右的SiC 作为BARC来使用。Lu等人在美国专利申请20030211755中也启示在每一个亚表层沉积后， 将ARC介电材料暴露于表面等离子体处理的方法。在他们的方法中，k值达到0. 4 0. 6。尽管已经进行了多种尝试来降低SiC膜的消光系数，但这些尝试不仅没有实现 SiC膜消光系数的充分降低，而且带来了新的挑战和局限。YANG等人(材料研究协会讨论会会议录(Mat. Res. Soc. Symp. Proc.)，715卷，A24. 3. 1页，2002)启示一种通过提高沉积温度来降低SiC消光系数和折射率的技术。在他们的研究中，他们实现了 0. 31 0. 1左右的消光系数的降低。然而，即使是这些有限的降低也伴随着一些挑战，包括使用650°C的沉积温度，该温度太高了以至于不能用在光电应用中，因为在这样的温度下，可以预见掺杂剂的互扩散。尽管在制备像太阳能电池这样的光电设备过程中可以使用高温(例如一种焙烧工序)，但这些高温一般只是维持几秒钟的时间，这限制了掺杂剂的互扩散。进一步地说，由 YANG等人使用的脉冲激光沉积(PLD)技术是众所周知的用于制造缺氢膜的技术，由于氢是一种对于太阳能电池工业中，具体为多晶太阳能电池工业中所使用的抗反射涂层薄膜非常重要的元素，氢可钝化太阳能电池的表面以及本体，因此所述缺乏是非常关键的。Gallis 等人(应用物理杂志(J. Appl. Phys. ), 102,024302 (2007))公开了一种碳化硅基膜，其中对于SiOC来说，吸收系数(α)为5000CHT1 (这等同于在波长(λ)632ηπι 处消光系数(k)为0.025)并且折射率为1.8，对于α-SiC膜来说，α为SOOcnT、在波长 (λ )632nm 处，k = 0. 04)，并且 η 为 2. 6。Klyuia 等人(太阳能材料和太阳电池(Solar Energy Materials&SolarCells),72,597-603(2002))启示具有0. 01左右消光系数和1. 97左右折射率的非晶碳化硅的光学属性。C. H. M. van der werf 等(薄固体膜(Thin SolidFilms), 501, 51-54 (2006))也报道了 0. 001的低消光系数，但是这只是在折射率为1. 9的膜中获得的。为了取得更高的折射率2. 5，消光系数被增加到0. 1。由于抗反射涂层膜的吸收，预计消光系数的增加增加了多至15%的光能损失。Shaaban 等人(固态物理(a) (Phys. stat. sol. (a))，195 (1)，277-281 Q003))研究了非晶态结晶碳化硅，并报道了 0.5左右的消光系数，以及在波长λ = 630歷处3.05左右的折射率。关于SiC另一个参考是Wetzel等的美国专利申请20050230677，其中W^tzel提到了一种SiC的具体形式，并且其折射率为1. 40 < η < 2. 60，而消光系数大约为0. 01 < k < 0. 78。然而，较低的消光系数值只能在较低的折射率下才能获得。Lipinski 等人(固态物理(c) 4 (Phys. Stat. Sol. (c) 4)，4 号，1566-1569 Q007)) 报道了梯度折射率型SiOxNy抗反射涂层。当取得2. 52%的有效反射率(即250 1200nm 的平均反射率)时，又是由于高消光系数，使得9. 43%的有效吸收率不能被降低。结果是， 所获得的低反射率被高吸收率所抵消。以上提及的高折射率和低消光系数的需要使得合适的用于太阳能电池中的抗反射涂层的发展变得困难。因此，非常需要发展一种用于太阳能电池中的结合了所有需求并降低或消除了不是全部也是大多数限制的抗反射涂层。
发明内容
一方面，本发明提供了包含非晶碳化硅基膜的抗反射涂层，该膜进一步含有氢原子，以及任选地进一步含有氧和/或氮，该膜的有效折射率(η)约为2. 3 2. 7，并且在 630nm波长处消光系数(k)小于0. 01。另一方面，本发明提供了一种形成本发明抗反射涂层的方法，其包括将由固体有机硅烷源热解得到的有机硅烷、有机聚碳硅烷或其混合沉积在衬底上。另一方面，本发明提供了含有多至80重量％的甲基硅烷、多至85重量％的二甲基硅烷、5 45重量％的三甲基硅烷、多至10重量％的四甲基硅烷、多至35重量％的1，1， 2-三甲基碳乙硅烷、多至20重量％的1，1，2，2_四甲基碳乙硅烷以及多至10重量％的1， 1，1，2，2-五甲基碳乙硅烷的气体混合物。还有另一方面，本发明提供了含有多至10重量％的甲基硅烷、多至15重量％的二甲基硅烷、5 45重量％的三甲基硅烷、多至10重量％的四甲基硅烷、10 35重量％的1， 1，2-三甲基碳乙硅烷、2 20重量％的1，1，2，2-四甲基碳乙硅烷、以及多至10重量％的 1，1，1，2，2-五甲基碳乙硅烷的气体混合物。还有另一方面，本发明提供了含有20 45重量％的甲基硅烷、35 65重量％的二甲基硅烷、5 15重量％的三甲基硅烷、以及任选地多至10重量％的气态碳硅烷类的气体混合物。在接下来的说明中，当通过举例方式与说明本发明优选实施例的附图相结合时， 本发明上述和其它特征以及优势将会变得更加明显。
本发明的具体实施例参照下图来讨论图1展示了折射率对于由ARC涂敷的太阳能电池效率产生影响的PC-ID模拟。该电池被模拟成与空气直接接触；图2展示了折射率对于由ARC涂敷的太阳能电池效率产生影响的PC-ID模拟。该电池被模拟成置于由3mm厚玻璃覆盖的舱里；图3图示了作为介电薄膜消光系数函数的理论吸收率和反射百分比。R是反射率， T是透射率，A是吸收率；图4提供了现有技术和本发明具体实施例的薄膜的消光系数和折射率之间关系的对比；图5显示了就光波长而言，α -SiCH膜的折射率(η)与和消光系数(k)之间的相互关系，通过椭圆偏振光谱法来测量；图6显示了就光波长而言的α _SiCH:N膜的折射率。通过椭圆偏振光谱法来测量；图7显示了由PECVD制备的α -SiOC膜的折射率和消光系数。通过椭圆偏振光谱法来测量；图8将本发明α-SiC膜的吸收系数与在文献(Soto等人，真空科学与技术学报 A(J. Vac. Sci. Technol. Α)，16(3)，1311(1998) ；Lauinger 等人，真空技术与技术学报 A (J. Vac. Sci. Technol. Α)，16 (2)，530 (1998) ；Conde 等人，应用物理杂志(J. Appl. Phys.)， 85(6) ,3327(1999) ；Moura 等人，表面与涂层技术(Surface and Coatings Technology), 174-175,324-330(2003))中所报道的其它SiC、SiCN以及SiN膜的吸收系数进行了比较；图9比较了在不同组合物和厚度下单层α -SiCHiN的ARC膜的反射率。R值指的是在400 1200nm的波长范围内的平均反射率；图10显示了在400°C下α -SiCH膜的弹性反冲探测分析(ERD)深度分布图。硅、
碳、氮、氧、氢含量表示原子含量，总和=100% ；图11图示了作为退火温度函数的4微米厚的α-SiCH膜的应力，这种膜是特别制备的，以便于应力的测量；图12a显示了由kmilab的微波光电导衰减(μ P⑶)法所测量的载流子寿命的晶圆图表。图表数据同时在图12b中表示为柱状图。该膜是在浮区(FZ)上通过PECVD沉积在5，OOOOhm · cm的N型Si衬底上的SiCN。平均的载流子寿命显示为1700毫秒左右；图13图示了在快速升温退火(RTA)之前或之后，在不同温度下持续5秒峰值时间的沉积在Si (100)衬底上的α -SiCH的折射率。温升速率和冷却速率为25°C /秒；图14图示了在快速升温退火(RTA)之前或之后，在不同温度下持续5秒峰值时间的沉积在Si (100)衬底上的α -SiCH:N的折射率。温升速率和冷却速率为25°C /秒；图15图示了在快速升温退火(RTA)之前或之后，在不同温度下持续5秒峰值时间的沉积在Si (100)衬底上的α -SiCH的消光系数。温升速率和冷却速率为25°C /秒；图16图示了在快速升温退火(RTA)之前或之后，在不同温度下持续5秒峰值时间的沉积在Si (100)衬底上的α -SiCH:N膜的消光系数。温升速率和冷却速率为25°C /秒；图17图示了在快速升温退火(RTA)之前或之后，在不同温度下持续5秒峰值时间的沉积在Si (100)衬底上的α-SiCH膜的厚度。温升速率和冷却速率为25°C/秒；
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图18图示了在快速升温退火(RTA)之前或之后，在不同温度下持续5秒峰值时间的沉积在Si (100)衬底上的α-SiCH膜的厚度。温升速率和冷却速率为25°C/秒；图19展示了一张由PECVD制备的粗化的太阳能电池表面上角峰的扫描电子显微照片；图20显示了在浮区(FZ)的η型Si(IOO)上，作为退火温度的函数的SiCN膜的寿命以及饱和电流密度(Jo)；图21展示了作为波长函数的太阳光谱强度；图22展示了硅的PN结的响应率；图23展示了在不同载荷下从微米划痕仪获得的SiC膜划痕的显微照片；图M图示了由不同浓度的NH3气体所制备的a-SiCH:N样品的折射率和消光系数；图2 25d展示了双抗反射层(DARC)对下列太阳能电池参数的影响短路电流 (Jsc)、断路电压(Voc)、填充系数(F. F.)和转换效率(Eff.)。将DARC的太阳能电池参数与具有不同折射率的单抗反射层(SARC 1-4)的太阳能电池参数进行了比较。
具体实施例方式光学属件抗反射涂层(ARC)的目的是降低或消除任何反射的光波，通常是通过调整ARC材料的三个方面ARC的折射率(η)，消光系数(k)(也指的是吸收率)，以及厚度(t)来产生相位消除以及反射光的吸收。通常，所需的n，k和t值取决于下层衬底的厚度和属性，并且需要对每一特定的应用做出调整。由本发明所制造的ARC膜具有可调节的折射率和消光系数，其沿着膜厚度可任选地呈多层或呈梯度以便匹配衬底和封装表面的光学属性。这些ARC材料大大减少了在 300 1200nm波长处的光的吸收率和反射率，因此预计该材料能提供非常高的有用光的透射，并且提高了太阳能电池的效率。η和k的临界状况作为一种基本的光学属性，抗反射涂层应该降低有用光的反射。进一步说，为了有效地利用带有膜的太阳能电池，最好是使用在整个例如300 1200nm的有用光谱中不吸收光(即k = 0)的抗反射涂层，。一般来说，单层ARC膜的最佳折射率(η)能够通过下式来计算
权利要求
1.一种包含非晶碳化硅基膜的抗反射涂层，其中所述膜进一步含有氢原子，以及任选地进一步含有氧和/或氮原子，所述膜具有约2. 3 2. 7的有效折射率(η)以及在630nm 波长处小于0. 01左右的消光系数(k)。
2.根据权利要求1所述的抗反射涂层，其中所述非晶碳化硅基膜为非晶碳化硅膜、非晶碳氮化硅膜、非晶碳氮氧化硅膜或非晶碳氧化硅膜。
3.根据权利要求1或2所述的抗反射涂层，其中所述有效折射率(η)约为2.3 2. 4。
4.根据权利要求1 3中任一所述的抗反射涂层，其中所述膜具有多层，并且每层的折射率在1. 5 2. 7左右变化。
5.根据权利要求1 3中任一所述的抗反射涂层，其中所述膜沿厚度具有梯度折射率。
6.根据权利要求1 5中任一所述的抗反射涂层，其中所述消光系数(k)小于0.001。
7.根据权利要求1 6中任一所述的抗反射涂层，其在300 1200nm波长范围内，不吸收多于的入射光。
8.根据权利要求1 7中任一所述的抗反射涂层，其中所述膜在630nm波长处具有小于的反射率。
9.根据权利要求1 8中任一所述的抗反射涂层，其中沉积在硅衬底上并且由玻璃覆盖的所述膜在400 1200nm波长处具有7%或更小的平均光反射率。
10.根据权利要求1 9中任一所述的抗反射涂层，其中在700 850°C左右的温度下将所述抗反射涂层退火后，所述折射率是稳定的。
11.根据权利要求1 10中任一所述的抗反射涂层，其中在700 850°C左右的温度下将所述抗反射涂层退火后，所述消光系数保持稳定或降低。
12.根据权利要求1 11中任一所述的抗反射涂层，其具有约50 ieOnm的厚度。
13.根据权利要求12所述的抗反射涂层，其中在700 900°C，优选850 875°C之间的温度下将所述抗反射涂层焙烧1 15秒，优选3 5秒后，其厚度变化少于1%。
14.根据权利要求1 13中任一所述的抗反射涂层，其具有15 25Gpa，优选18 22Gpa的硬度。
15.根据权利要求1 14中任一所述的抗反射涂层，其中所述涂层中的残余机械应力为150Mpa或更少。
16.根据权利要求1 15中任一所述的抗反射涂层，其中以原子百分数计，所述膜具有 10% 40%左右，优选10% 左右，更优选10% 30%左右，或最优选10% 15%左右的氢含量。
17.根据权利要求1 16中任一所述的抗反射涂层，其中以原子百分数计，所述膜具有 30 % 70 %左右，优选；35 % 60 %左右，更优选40 % 60 %左右，还要更优选45 % 55 % 左右，或最优选50 %左右的Si含量。
18.根据权利要求1 17中任一所述的抗反射涂层，其中以原子百分数计，所述膜具有 3% 60%左右，优选10% 50%左右，更优选20% 40%左右，或最优选25% 左右的碳含量。
19.根据权利要求1 18中任一所述的抗反射涂层，其中以原子百分数计，所述膜具有小于50%左右，例如，10% 45%左右，20% 40%左右，或25% 左右的氮含量。
20.根据权利要求1 19中任一所述的抗反射涂层，其中以原子百分数计，所述膜具有小于50 %左右，优选10 % 40 %左右，更优选20 % 30 %左右，或最优选22 % 沘％左右的氧含量。
21.根据权利要求1 20中任一所述的抗反射涂层，其是由聚二甲基硅烷(PDMS)、聚碳甲基硅烷(PCMQ、三苯基硅烷、九甲基三硅氮烷或其组合，优选PDMS、PCMS、或其组合的热解产物制备而成。
22.根据权利要求1 20中任一所述的抗反射涂层，其是通过气态前体的由能量引起的化学气相沉积制备的，所述气态前体是通过聚二甲基硅烷(PDMQ、聚碳甲基硅烷 (PCMS)、三苯基硅烷或九甲基三硅氮烷，优选PDMS或PCMS的热解获得的。
23.根据权利要求1 20中任一所述的抗反射涂层，其是通过气态前体的等离子体增强化学气相沉积制备的，所述气态前体是通过聚二甲基硅烷(PDMQ、聚碳甲基硅烷 (PCMS)、三苯基硅烷或九甲基三硅氮烷，优选PDMS或PCMS的热解获得的。
24.根据权利要求1 20中任一所述的抗反射涂层，其是由通过旋涂聚二甲基硅烷 (PDMS)、聚碳甲基硅烷(PCMQ、三苯基硅烷、九甲基三硅氮烷或其组合，优选PDMS、PCMS或其组合的液相制备的。
25.根据权利要求1 20中任一所述的抗反射涂层，其是通过气态前体的静电沉积制备的，所述气态前体是由聚二甲基硅烷(PDMS)、聚碳甲基硅烷(PCMS)、三苯基硅烷、九甲基三硅氮烷或其组合，优选PDMS、PCMS或其组合的热分解获得的。
26.一种形成如权利要求1 20中任一所述的抗反射涂层的方法，其中包括在衬底上沉积由固态有机硅烷源热解获得的有机硅烷、有机聚碳硅烷或其组合。
27.根据权利要求沈所述的方法，其中所述固态有机硅烷源是聚二甲基硅烷、聚碳甲基硅烷、三苯基硅烷、九甲基三硅氮烷或其组合。
28.根据权利要求沈或27所述的方法，其中所述固态有机硅烷源包含人工合成比例的同位素。
29.根据权利要求沈 观中任一所述的方法，其中所述有机硅烷、有机聚硅烷或其组合是气态的，并且沉积步骤通过利用能量源使气体反应来实现。
30.根据权利要求四所述的方法，其进一步包括在反应步骤前，将气态前体与反应气体混合。
31.根据权利要求30所述的方法，其中所述反应气体是适当的含氮或含氧的气体，优选 N2、NH3> NCl3,、NO、NO2, 02、O3> CO 或 CO2,或其组合。
32.根据权利要求四 31中任一所述的方法，其中能量源是电加热、UV照射JR照射、 微波照射、X-射线照射、电子束、RF或等离子体。
33.根据权利要求32所述的方法，其中所述能量源是等离子体。
34.根据权利要求33所述的方法，其中所述膜是通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)、射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)、电子回旋加速器共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)、联用等离子体增强化学气相沉积(ICP-ECVD)、等离子束源等离子体增强化学气相沉积(PBS-PECVD)或者其组合在衬底上形成的。
35.根据权利要求四 34中任一所述的方法，其中所述沉积步骤是在大于IOOTorr的压力下实现的。
36.根据权利要求沈 洲中任一所述的方法，其中所述沉积步骤是通过旋涂固态有机硅烷源的液相，例如聚二甲基硅烷(PDMS)或聚碳甲基硅烷(PCMS)，随后通过热退火来实现的。
37.权利要求沈 观中任一所述的方法，其中所述沉积步骤是通过静电沉积来实现的。
38.一种在沿厚度上具有梯度折射率的抗反射涂层，所述涂层在一选取厚度上具有 2. 3 2. 7左右的折射率以及在630nm波长处的小于0. 01左右的消光系数，以及具有与权利要求1 20中任一所述的膜的成分相同的成分。
39.一种包含两层或多层的抗反射涂层，其中至少一层是如权利要求1 20中任一所限定的。
40.一种包含如权利要求1 25、38和39中任一所述的抗反射涂层的太阳能电池。
41.根据权利要求40所述的太阳能电池，其包括玻璃盖。
42.一种气体混合物，其包含多至80重量％的甲基硅烷、多至85重量％的二甲基硅烷、 5 45重量％的三甲基硅烷、多至10重量％的四甲基硅烷、多至35重量％的1，1，2_三甲基碳硅烷、多至20重量％的1，1，2，2_四甲基碳乙硅烷和多至10重量％的1，1，1，2，2_五甲基碳乙硅烷。
43.一种气体混合物，其包含多至10重量％的甲基硅烷、多至15重量％的二甲基硅烷、 5 45重量％的三甲基硅烷、多至10重量％的四甲基硅烷、10 35重量％的1，1，2_三甲基碳乙硅烷、2 20重量％的1，1，2，2-四甲基碳乙硅烷和多至10重量％的1，1，1，2，2-五甲基碳乙硅烷。
44.一种气体混合物，其包含20 45重量％的甲基硅烷、35 65重量％的二甲基硅烷、5 15重量％的三甲基硅烷、以及可选地多至10重量％的气态碳硅烷类化合物。
全文摘要
本发明涉及包含非晶碳化硅基膜的抗反射涂层，该膜进一步含有氢原子，以及任选地进一步含有氧和/或氮，该膜具有约2.3～2.7的有效折射率(n)以及在630nm波长处少于0.01的消光系数(k)。本发明也涉及制备抗反射涂层的方法以及包含抗反射涂层的太阳能电池。
文档编号C09D5/32GK102171384SQ200980128859
公开日2011年8月31日 申请日期2009年5月28日 优先权日2008年5月28日
发明者亚历山大·戈蒙德, 塞巴斯蒂安·艾伦, 约瑟夫·阿维德, 迈克尔·戴维斯 申请人:乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司