专利名称：一种用于ito电路及模组保护的辐射固化胶粘剂的制作方法
技术领域：
本发明属于胶粘剂技术领域，具体地，涉及IXD液晶屏C0G、C0F、TAB模组保护胶粘 剂，尤其涉及一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂。
背景技术：
在IXD面板制程中，可大致分为三段，分别为Array制程、Cell制程和Module制 程。Array制程是指将薄膜晶体管(TFT)和彩色滤光片(CF)制作在玻璃基板上；Cell制程 是以制作好TFT的玻璃为基板，与制作好CF的玻璃基板结合，并在两片玻璃基板间滴入液 晶(0DF工艺)后贴合背光板，制成IXD平板(IXDpanel)；而Module制程，是在IXD平板的 外观进行检查后组装驱动IC、柔性电路和一些机构部品，最后对ITO电路和TAB、COG、COF 模组进行防腐蚀处理。目前LCM制程中涉及ITO电路和TAB、COG、COF模组保护主要采取在ITO电路及 TAB、C0G、C0F模组上披覆一层单组份室温硫化硅橡胶(RTV-I)的方法来实现。但RTV-I固 化时间较长，最少也要48小时才能彻底固化，严重影响了生产效率；而且，在室温硫化过程 中会产生腐蚀性气体，如乙酸等，对ITO电路和IC芯片模组造成腐蚀；另外，RTV-I流动性 较差，施工时容易出现边角收缩，从而降低一次性良品率，返工率高，浪费人力物力；RTV-I 胶体强度差，粘附力弱，对LCM的可靠性会造成隐患；RTV-I无法通过高低温冲击1000小 时，高温高湿点亮测试1000小时的环境测试，无法应用于对LCD显示屏有更高要求的场合； RTV-I属湿气固化型，要求打开包装后要一次用完，否则容易吸湿后增稠甚至报废，给现场 生产组织带来了较大的不便。
发明内容
为了克服RTV-I的缺陷，本发明提供了一种用于ITO电路及TAB、COG和COF模组 保护的辐射固化胶粘剂，该胶粘剂固化过程中不需要湿气参与反应，在紫外光照射下即可 迅速固化，进而快速完成封装，从而极大提高了生产效率，同时，其对ITO电路及模组保护 性强，环境测试可靠性高，还节省能源，降低了成本。本发明的技术方案如下一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，所含 组分及各组分的质量比例如下聚硅氧烷丙烯酸酯 30 70%，聚酯丙烯酸酯10 50%，活性稀释剂0 40%，光引发剂0.2 8%，偶联剂0.1 5%，抗老化剂0 2%，消泡剂0 2%，其中，所述活性稀释剂为单(二或多)官能团丙烯酸酯类；所述光引发剂为裂解型引发剂、夺氢型引发剂或二者组合；所述偶联剂为硅烷偶联剂；所述消泡剂为有机硅类消 泡剂、非有机硅类消泡剂或二者组合；所述抗老化剂为酚类抗氧剂、胺类抗氧剂、含硫化合 物抗氧剂、含磷化合物抗氧剂、有机金属盐抗氧剂中的任一种或几种的组合物。所述单(二或多)官能团丙烯酸酯类选自丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸异冰片酯、 1,6己二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯或双季戊四醇六丙 烯酸酯中的任一种或几种的组合物。所述裂解型引发剂光引发剂选自光引发剂1173、光引发剂184、光引发剂907、光 引发剂369、光引发剂1490、光引发剂1700或光引发剂TPO ；所述夺氢型引发剂为二苯甲酮 和2-异丙基硫杂蒽酮的组合物。所述硅烷偶联剂选自环氧基硅烷、乙烯基硅烷、(甲基)丙烯酰氧基硅烷中的任一 种或几种的组合物。其中，所述(甲基)丙烯酰氧基硅烷选自3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、 3-甲基丙烯酰氧基丙基二甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3_(甲基 丙烯酰氧)丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基三甲氧基硅烷或甲基丙烯酰氧基三乙氧基 硅烷；所述乙烯基硅烷选自乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基 硅烷、三叔丁氧基乙烯基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基 二甲氧基甲基硅烷或乙烯基二乙氧甲基硅烷；所述环氧基硅烷选自甲基三甲氧基硅烷、乙 基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、苯基三 甲氧基硅烷、已基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、7-辛烯-1-基三甲氧基硅烷、对甲基 苯基三甲氧基硅烷或3-环戊并二烯丙基三甲氧基烷基。所述消泡剂选自 Deuchem 2700,Deuchem 3600,Dow Coring 163、Airex900、Airex 920、BYK-088中的任一种或几种的混合物。所述抗氧剂选自抗氧剂1010、抗氧剂1076、抗氧剂2246、抗氧剂168、抗氧剂618、 抗氧剂300中的任一种或几种的混合物。按重量计，所述聚硅氧烷丙烯酸酯，含有组分及各组分的百分含量如下异氰酸酯类10 50%端羟基聚硅氧烷 20 70%(甲基)丙烯酸羟乙酯5 20%无水乙醇5 20%催化剂0.1 2%阻聚剂0.1 2%所述阻聚剂选自对羟基苯甲醚、对苯二酚、叔丁基对苯二酚、二叔丁基对苯二酚中 的一种或几种的混合物；所述催化剂选自叔胺、二月桂酸二丁基锡或二者的组合物；所述 (甲基)丙烯酸羟乙酯也可以用丙烯酸羟乙酯或二者的混合物替代。所述聚硅氧烷丙烯酸酯的制备方法包括如下具体步骤，步骤A 按配方称量所述聚硅氧烷丙烯酸酯的各组分；步骤B:在装有搅拌器、温度计、冷凝管、通氮管和恒压漏斗的四口烧瓶中加入步 骤A所称量的异氰酸酯类；在常温、搅拌条件下，从恒压漏斗中缓慢滴加端羟基聚硅氧烷， 滴加完毕后，缓慢升温，反应温度控制在45°C以下，每隔半小时测定一次异氰酸根的含量，直到溶液中的羟基反应完全，即异氰酸根的含量降到理论值；步骤C 待异氰酸根的含量降到理论值后，向四口烧瓶中滴加步骤A所称量的(甲 基)丙烯酸羟乙酯，以及催化剂进行化学反应，同时加入步骤A所称量的阻聚剂，滴完后逐 渐升温到65 75°C，检测游离异氰酸根的含量，以游离异氰酸根的含量小于0. 5%作为反 应终点，待瓶内温度降至50°C时，加入5 20%无水乙醇反应20分钟，减压抽除过量的乙 醇，即得所述聚硅氧烷丙烯酸酯。所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂密封ITO电路及模组的方法， 包括如下步骤步骤A 按所述配方称量所述用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂各组分， 混合均勻，储存于黑色塑料筒中，室温保存备用；步骤B 将已完成Cell组装的IXD平板的TAB、C0G、C0F模组和ITO电路用步骤A 所得辐射固化胶粘剂披覆一层厚度为0. 1 1. Omm的膜；步骤C 在紫外光或电子束下辐照步骤B所填充的辐射固化胶粘剂，待辐射固化胶 粘剂固化成膜后，停止辐射，从而完成对ITO电路及模组的封装。本发明所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，所述光引发剂选自裂 解型引发剂、夺氢型引发剂或二者组合，该类引发剂具有通过吸收强紫外灯光发射的紫外 量子，从而引发聚合交联和接枝反应，使液体几分之一秒内形成固态薄膜，从而有效提高了 所述辐射固化密封胶的固化时间。所述偶联剂选用硅烷偶联剂，选用环氧基硅烷、乙烯基硅烷、(甲基)丙烯酰氧基 硅烷中的任一种或几种的混合物，尤其是(甲基)丙烯酰氧基硅烷偶联剂，其含有不饱和双 键，具有与多种树酯进行反应的活性，而三甲氧基水解后形成的硅羟基可与无机材料表面 的羟基发生缩合反应，从而在无机材料和树酯之间架起分子桥，发挥偶联作用。本发明所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，相比传统的硫化硅橡 胶，其主要优点如下1、常温下，10 20秒即可快速固化，极大的提高了 LCM制程的生产效 率和良品率，降低了生产成本；2、耐高低温冲击、高温高湿等环测性能更加优异，具有更好 的产品应用可靠性；3、固化过程中无腐蚀性气体放出，降低了因为对ITO电路的腐蚀而导 致的不良率，提高了 LCD显示屏生产中的良品率；4、存储稳定对湿气不敏感，不易在储存过 程中出现增稠现象；5、粘度低，润湿性好，在施工中具有更好的适应性；6、具有节能、高效、 无公害、固化速度快等特点，并能够实现工业化大生产，满足企业对效益、环保和成本的需 求，是一种友好的环境材料。
具体实施例方式实施例一一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，按重量计，含有组分及各组分 的百分含量如下聚硅氧烷丙烯酸酯 40% ；聚酯丙烯酸酯20% ；活性稀释剂36.7%;光引发剂 2% ；
偶联剂0.2%;抗老化剂 1%;消泡剂0.1%;所述聚酯丙烯酸酯为聚酯丙烯酸酯CN922 ；所述活性稀释剂为丙烯酸异冰片酯 (IBOA)、1，6己二醇二丙烯酸酯(HDDA)和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)的混合物，其中 I BOA在所述辐射固化密封胶中的质量含量为9%，HDDA在所述辐射固化密封胶中的质量 含量为18.7%，TMPTA在所述辐射固化密封胶中的质量含量为9%;光引发剂为裂解型光引 发剂184 ；偶联剂为硅烷偶联剂，选用Y -甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)；抗 老化剂为抗氧剂1010 ；所述消泡剂为有机硅类消泡剂BYK-088。所述聚硅氧烷丙烯酸酯为自制，按重量计，所含组分及各组分的质量百分含量 为异氰酸酯类 50%端羟基聚硅氧烷20%丙烯酸羟乙酯10%无水乙醇16%催化剂2%阻聚剂2%所述催化剂为叔胺，所述阻聚剂为对羟基苯甲醚。所述聚硅氧烷丙烯酸酯的制备方法，包括如下具体步骤，步骤A 按配方称量所述聚硅氧烷丙烯酸酯的各组分；步骤B:在装有搅拌器、温度计、冷凝管、通氮管和恒压漏斗的四口烧瓶中加入步 骤A所称量的异氰酸酯类；在常温、搅拌条件下，从恒压漏斗中缓慢滴加端羟基聚硅氧烷， 滴加完毕后，缓慢升温，反应温度控制在45°C以下，每隔半小时测定一次异氰酸根的含量， 直到溶液中的羟基反应完全，即异氰酸根的含量降到理论值；步骤C:待异氰酸根的含量降到理论值后，向四口烧瓶中滴加步骤A所称量的丙 烯酸羟乙酯和催化剂，进行化学反应，同时加入步骤A所称量的阻聚剂，滴完后逐渐升温到 65 75°C，检测游离异氰酸根的含量，以游离异氰酸根的含量小于0. 5%作为反应终点，待 瓶内温度降至50°C时，加入步骤A所称量的无水乙醇反应20分钟，减压抽除过量的乙醇，即 得所述聚硅氧烷丙烯酸酯。实施例二一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，按重量计，含有组分及各组分 的百分含量如下聚硅氧烷丙烯酸酯30% ；
聚酯丙烯酸酯40% ；
活性稀释剂21. 3%
光引发剂5% ；
偶联剂3% ；
抗老化剂0. 5% ；
消泡剂0. 2% ；
所述聚酯丙烯酸酯为聚酯丙烯酸酯CN736 ；所述活性稀释剂为甲基丙烯酸异冰片 酯(MIBOA)、二缩三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA)和双季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)的混合物， 其中MIBOA在所述辐射固化密封胶中的质量含量为10.8%，TPGDA在所述辐射固化密封胶 中的质量含量为3.6%，TMPTA在所述辐射固化密封胶中的质量含量为7.1% ；光引发剂为 裂解型光引发剂184和光引发剂TPO的混合物；所述偶联剂为硅烷偶联剂，选用Y-甲基丙 烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)；所述抗老化剂为抗氧剂2246 ；所述消泡剂为非有机 硅类消泡剂Airex920。所述聚硅氧烷丙烯酸酯为自制，按重量计，所含组分及各组分的质量百分含量 为异氰酸酯类18%端羟基聚硅氧烷 70%(甲基)丙烯酸羟乙酯6·8%无水乙醇5%催化剂0.1%阻聚剂0.1%所述催化剂选自二月桂酸二丁基锡，所述阻聚剂选自对羟基苯甲醚。步骤A 按配方称量所述聚硅氧烷丙烯酸酯的各组分；步骤B:在装有搅拌器、温度计、冷凝管、通氮管和恒压漏斗的四口烧瓶中加入步 骤A所称量的甲苯二异氰酸酯；在常温、搅拌条件下，从恒压漏斗中缓慢滴加端羟基聚硅氧 烷，滴加完毕后，缓慢升温，反应温度控制在45°C以下，每隔半小时测定一次异氰酸根的含 量，直到溶液中的羟基反应完全，即异氰酸根的含量降到理论值；步骤C 待异氰酸根的含量降到理论值后，向四口烧瓶中滴加步骤A所称量的(甲 基)丙烯酸羟乙酯和二月桂酸二丁基锡，进行化学反应，同时加入步骤A所称量的阻聚 剂，滴完后逐渐升温到65 75°C，检测游离异氰酸根的含量，以游离异氰酸根的含量小于 0. 5%作为反应终点，待瓶内温度降至50°C时，加入步骤A所称量的无水乙醇反应20分钟， 减压抽除过量的乙醇，即得所述聚硅氧烷丙烯酸酯。实施例三一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，按重量计，含有组分及各组分 的百分含量如下，聚硅氧烷丙烯酸酯70% ；聚酯丙烯酸酯 10% ；活性稀释剂 % ；光引发剂8% ；硅烷偶联剂5% ；所述聚硅氧烷丙烯酸酯为实施例1中所制备的聚硅氧烷丙烯酸酯；所述聚酯丙烯 酸酯为聚酯丙烯酸酯CN736;所述活性稀释剂为甲基丙烯酸异冰片酯(MIBOA)；光引发剂为 裂解型光引发剂ΤΡ0;硅烷偶联剂为乙烯基三甲基硅烷和3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基 硅烷的混合物。实施例四
一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，按重量计，含有组分及各组分 的百分含量如下，聚硅氧烷丙烯酸酯 30% ；聚酯丙烯酸酯50% ；活性稀释剂7% ；光引发剂8% ；硅烷偶联剂5% ；所述聚硅氧烷丙烯酸酯为实施例1中所制备的聚硅氧烷丙烯酸酯；所述聚酯丙烯 酸酯为聚酯丙烯酸酯CN736;所述活性稀释剂为甲基丙烯酸异冰片酯(MIBOA)；光引发剂为 裂解型光引发剂907 ；硅烷偶联剂为甲基三甲氧基硅烷。实施例五一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，按重量计，含有组分及各组分 的百分含量如下，聚硅氧烷丙烯酸酯35% ；聚酯丙烯酸酯12%活性稀释剂40%光引发剂6%硅烷偶联剂3%抗老化剂2%消泡剂2%所述聚硅氧烷丙烯酸酯为实施例2中所制备的聚硅氧烷丙烯酸酯；所述聚酯丙烯 酸酯为聚酯丙烯酸酯CN736;所述活性稀释剂为甲基丙烯酸异冰片酯(MIBOA)；光引发剂为 夺氢型光引发剂二苯甲酮和2-异丙基硫杂蒽酮的混合物；硅烷偶联剂为甲基丙烯酰氧基 三甲氧基硅烷；所述消泡剂为Airex 920，所述抗老化剂为抗氧剂300。实施例六一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，按重量计，含有组分及各组分 的百分含量如下，聚氨酯丙烯酸酯低聚物29%;聚酯丙烯酸酯30.8%;活性稀释剂33%;光引发剂0.2%;硅烷偶联剂5%;抗老化剂1%;消泡剂1%;所述聚酯丙烯酸酯为聚酯丙烯酸酯CN736 ；所述活性稀释剂为甲基丙烯酸异冰片 酯(MIBOA)；光引发剂为裂解型光引发剂1700和光引发剂184的混合物；硅烷偶联剂为甲 基丙烯酰氧基三甲氧基硅烷；所述消泡剂为Deuchem 3600 ；所述抗氧剂为抗氧剂2246。所述聚硅氧烷丙烯酸酯含有组分及各组分的百分含量如下异氰酸酯类 50%
端羟基聚硅氧烷23%丙烯酸羟乙酯5%无水乙醇 20%催化剂阻聚剂所述催化剂为叔胺，所述阻聚剂为对羟基苯甲醚。其制备方法同实施例1。实施例七一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂密封ITO电路及模组的方法，按 实施例1所述配方称量所述辐射固化胶粘剂各组分，混合均勻，置于黑色塑料桶室温储存 备用；将已完成Cell组装的IXD平板的TAB、COG、COF模组和ITO电路用上述辐射固化胶 粘剂披覆一层厚度为0. Imm的膜；在紫外光或电子束下辐照辐射固化胶粘剂，待辐射固化 密封胶固化成膜后，停止辐射，从而完成对ITO电路及模组的封装。实施例八一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂密封ITO电路及模组的方法，按 实施例2所述配方称量所述辐射固化胶粘剂各组分，混合均勻，置于黑色塑料桶室温储存 备用；将已完成Cell组装的IXD平板的TAB、COG、COF模组和ITO电路用上述辐射固化胶 粘剂披覆一层厚度为0. 7mm的膜；在紫外光或电子束下辐照辐射固化胶粘剂，待辐射固化 密封胶固化成膜后，停止辐射，从而完成对ITO电路及模组的封装。实施例九一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂密封ITO电路及模组的方法，按 实施例2所述配方称量所述辐射固化胶粘剂各组分，混合均勻，置于黑色塑料桶室温储存 备用；将已完成Cell组装的IXD平板的TAB、COG、COF模组和ITO电路用上述辐射固化胶 粘剂披覆一层厚度为1.0mm的膜；在紫外光或电子束下辐照辐射固化胶粘剂，待辐射固化 密封胶固化成膜后，停止辐射，从而完成对ITO电路及模组的封装。以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定 本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在 不脱离本发明构思的前提下，其架构形式能够灵活多变，可以派生系列产品。只是做出若干 简单推演或替换，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。
权利要求
1. 一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，其特征在于，所含组分及各组分 的质量比例如下聚硅氧烷丙烯酸酯 30 70 %，其中，所述活性稀释剂为单(二或多)官能团丙烯酸酯类；所述光引发剂为裂解型引发 剂、夺氢型引发剂或二者组合；所述偶联剂为硅烷偶联剂；所述消泡剂为有机硅类消泡剂、 非有机硅类消泡剂或二者组合；所述抗老化剂为酚类抗氧剂、胺类抗氧剂、含硫化合物抗氧 剂、含磷化合物抗氧剂、有机金属盐抗氧剂中的任一种或几种的组合物。
2.如权利要求1所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，其特征在于，所述 单(二或多)官能团丙烯酸酯类选自丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸异冰片酯、1，6己二醇二 丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯或双季戊四醇六丙烯酸酯中的 任一种或几种的组合物。
3.如权利要求1所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，其特征在于，所述 裂解型引发剂光引发剂选自光引发剂1173、光引发剂184、光引发剂907、光引发剂369、光 引发剂1490、光引发剂1700或光引发剂ΤΡ0;所述夺氢型引发剂为二苯甲酮和2-异丙基硫 杂蒽酮的组合物。
4.如权利要求1所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，其特征在于，所述 硅烷偶联剂选自环氧基硅烷、乙烯基硅烷、(甲基)丙烯酰氧基硅烷中的任一种或几种的组 合物。
5.如权利要求4所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，其特征在于，所 述(甲基)丙烯酰氧基硅烷选自3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基 丙基二甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三乙 氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基三甲氧基硅烷或甲基丙烯酰氧基三乙氧基硅烷；所述乙烯基硅 烷选自乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷、三叔丁氧基乙 烯基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基二甲氧基甲基硅烷 或乙烯基二乙氧甲基硅烷；所述环氧基硅烷选自甲基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、丙 基三甲氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、已基三 甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、7-辛烯-1-基三甲氧基硅烷、对甲基苯基三甲氧基硅烷或 3-环戊并二烯丙基三甲氧基烷基。
6.如权利要求1所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，其特征在于， Μ 肖夕包齐[Jit 自 Deuchem 2700、Deuchem 3600、Dow Coring 163、Airex 900、Airex 920、 BYK-088中的任一种或几种的混合物。
7.如权利要求1所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，其特征在于，所述 抗氧剂选自抗氧剂1010、抗氧剂1076、抗氧剂2246、抗氧剂168、抗氧剂618、抗氧剂300中聚酯丙烯酸酯10 50%， 0 40%， 0. 2 8%， 0. 1 5%， 0 2%， 0 2%，活性稀释剂 光引发剂 偶联剂 抗老化剂 消泡剂的任一种或几种的混合物。
8.如权利要求1所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，其特征在于，其特 征在于，按重量计，所述聚硅氧烷丙烯酸酯，含有组分及各组分的百分含量如下异氰酸酯类10 50%端羟基聚硅氧烷 20 70% (甲基)丙烯酸羟乙酯5 20% 无水乙醇5 20%催化剂0.1 2%阻聚剂0.1 2%所述阻聚剂选自对羟基苯甲醚、对苯二酚、叔丁基对苯二酚、二叔丁基对苯二酚中的一 种或几种的混合物；所述催化剂选自叔胺、二月桂酸二丁基锡或二者的组合物；所述(甲 基)丙烯酸羟乙酯也可以用丙烯酸羟乙酯或二者的混合物替代。
9.如权利要求8所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，其特征在于，所述 聚硅氧烷丙烯酸酯的制备方法包括如下具体步骤，步骤A 按配方称量所述聚硅氧烷丙烯酸酯的各组分；步骤B:在装有搅拌器、温度计、冷凝管、通氮管和恒压漏斗的四口烧瓶中加入步骤A所 称量的异氰酸酯类；在常温、搅拌条件下，从恒压漏斗中缓慢滴加端羟基聚硅氧烷，滴加完 毕后，缓慢升温，反应温度控制在45°C以下，每隔半小时测定一次异氰酸根的含量，直到溶 液中的羟基反应完全，即异氰酸根的含量降到理论值；步骤C 待异氰酸根的含量降到理论值后，向四口烧瓶中滴加步骤A所称量的(甲基) 丙烯酸羟乙酯，以及催化剂进行化学反应，同时加入步骤A所称量的阻聚剂，滴完后逐渐升 温到65 75°C，检测游离异氰酸根的含量，以游离异氰酸根的含量小于0. 5%作为反应终 点，待瓶内温度降至50°C时，加入5 20%无水乙醇反应20分钟，减压抽除过量的乙醇，即 得所述聚硅氧烷丙烯酸酯。
10.如权利要求1-9任一项所述的用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂密封 ITO电路及模组的方法，其特征在于，包括如下步骤步骤A 按所述配方称量所述用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂各组分，混合 均勻，储存于黑色塑料筒中，室温保存备用；步骤B 将已完成Cell组装的IXD平板的TAB、C0G、C0F模组和ITO电路用步骤A所得 辐射固化胶粘剂披覆一层厚度为0. 1 1. Omm的膜；步骤C 在紫外光或电子束下辐照步骤B所填充的辐射固化胶粘剂，待辐射固化胶粘剂 固化成膜后，停止辐射，从而完成对ITO电路及模组的封装。
全文摘要
本发明提供了一种用于ITO电路及模组保护的辐射固化胶粘剂，所含组分及各组分的质量比例如下聚硅氧烷丙烯酸酯30～70％，聚酯丙烯酸酯10～50％，活性稀释剂0～40％，光引发剂0.2～8％，偶联剂0.1～5％，抗老化剂0～2％，消泡剂0～2％，其中，所述活性稀释剂为单(二或多)官能团丙烯酸酯类；所述光引发剂为裂解型引发剂、夺氢型引发剂或二者组合；所述偶联剂为硅烷偶联剂；所述抗老化剂为酚类抗氧剂、胺类抗氧剂、含硫化合物抗氧剂、含磷化合物抗氧剂、有机金属盐抗氧剂中的任一种或几种的组合。该胶粘剂固化过程中不需要湿气参与反应，在紫外光照射下即可迅速固化，进而完成封装，从而极大提高了生产效率，同时还节省能源，降低了原材料成本。
文档编号C09J167/06GK102102007SQ20101060011
公开日2011年6月22日 申请日期2010年12月22日 优先权日2010年12月22日
发明者吴国飞, 张小中, 杜学锋, 陈三多, 黄战光, 黄育环 申请人:东莞市派乐玛新材料技术开发有限公司